တစ်ခုတည်းသောကြည်လင်မီးဖို၏အပူနယ်ပယ်၏အပူချိန် gradient ကဘာလဲ?

ဘာလဲအပူလယ်ပြင်?

၏အပူချိန်လယ်ပြင်တစ်ခုတည်း Crystal ကြီးထွားမှုအပူစင်တာဟုလည်းလူသိများသော Crystal မီးဖိုထဲတွင်အပူချိန်ကိုဖြန့်ဖြူးခြင်းကိုရည်ညွှန်းသည်။ တွက်ချက်နေစဉ်အတွင်းအပူစနစ်အတွင်းရှိအပူချိန်ဖြန့်ဖြူးခြင်းသည်တည်ငြိမ်သောအပူနယ်ပယ်ဟုခေါ်သည်။ Crystal တစ်ခုတည်းတိုးတက်မှုတွင်အပူလယ်ကွင်းပြောင်းလဲသွားလိမ့်မည်ဖြစ်သောပြောင်းလဲနေသောအပူနယ်ပယ်ဟုခေါ်သည်။

Phase (Liquid Phase သို့အရည်အဆင့်) ကိုစဉ်ဆက်မပြတ်အသွင်ပြောင်းမှုကြောင့် Crystal တစ်ခုတည်းသော Crystal ကြီးထွားလာသည့်အခါအစိုင်အခဲအဆင့်နေအိမ်အပူချိန်ကိုစဉ်ဆက်မပြတ်ဖြန့်ချိသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်ကြည်လင်ပြတ်သားလာပြီးအရည်ပျော်သောအဆင့်သည်အဆက်မပြတ်ကျဆင်းနေပြီးအပူပေးပို့သောနှင့်ဓါတ်ရောင်ခြည်သည်ပြောင်းလဲနေသည်။ ထို့ကြောင့်အပူလယ်ကွင်းပြောင်းလဲခြင်းသည်ပြောင်းလဲနေသောအပူနယ်ပယ်ဟုခေါ်သည်။

အစိုင်အခဲ - အရည် interface ကဘာလဲ?

အချိန်တန်လျှင်မီးဖို၌မည်သည့်အချက်ကိုမဆိုအပူချိန်အချို့ရှိသည်။ အကယ်. ကျွန်ုပ်တို့သည်အာကာသအတွင်းရှိအချက်များကိုအပူချိန်အကွက်ထဲတွင်တူညီသောအပူချိန်နှင့်ချိတ်ဆက်ပါကကျွန်ုပ်တို့သည် Spatial မျက်နှာပြင်ရရှိမည်ဖြစ်သည်။ ဒီ Spatial မျက်နှာပြင်ပေါ်မှာအပူချိန်ဟာနေရာတိုင်းမှာတန်းတူဖြစ်တယ်, အဲဒါက ISothermal မျက်နှာပြင်လို့ခေါ်တယ်။ Crystal မီးဖိုထဲရှိ Isothermal မျက်နှာပြင်များထဲမှအစိုင်အခဲအဆင့်နှင့်အရည်အဆင့်အကြား interface ဖြစ်သောကြောင့်အလွန်အထူး Isotermal မျက်နှာပြင်ရှိသည်။ အဆိုပါကြည်လင် solid-life interface ကနေကြီးထွားလာသည်။

အပူချိန် gradient ဆိုတာဘာလဲ။

အပူချိန် gradient သည်အပူချိန်တစ်ခု၏အပူချိန်တစ်ခု၏အပူချိန်တစ်ခု၏အပူချိန်တစ်ခု၏အပူချိန်တစ်ခု၏အပူချိန် (B. ၏အပူချိန်ရှိရာအနီးအနားရှိအမှတ်ခ။ အပူချိန်တွင်အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုနှုန်းဖြစ်သည်။

ဘယ်တော့လဲတစ်ခုတည်း Crystal siliconကြီးထွားလာသည်မှာအပူနယ်ပယ်တွင်အစိုင်အခဲနှင့်အရည်ပျော်မှုပုံစံနှစ်မျိုးရှိပြီးအပူချိန် gradient အမျိုးအစားနှစ်မျိုးရှိသည်။

▪ကြည်လင်သောအပူချိန် gradient နှင့် radial comeption gradient ကို Crystal တွင် gradient ။

▪အရည်ပျော်ရာတွင် longitudinal အပူချိန် gradient နှင့် radial comeption gradient ။

▪၎င်းတို့သည်လုံးဝကွဲပြားခြားနားသောအပူချိန်ဖြန့်ဖြူးမှုနှစ်ခုဖြစ်သည်။ Crystal ၏ adial comeption gradient ကို transpalal နှင့် transverse အပူရှိန်ကို Transvalal နှင့် Transverse အပူချိန်, ယေဘုယျအားဖြင့်ပြောရလျှင်စင်တာအပူချိန်မြင့်မားပြီးကြည်လင်၏အစွန်းအပူချိန်မှာနိမ့်ကျသည်။ အရည်ပျော်မှု၏အခြေခံအပူချိန်ကိုအဓိကအားဖြင့်၎င်းပတ် 0 န်းကျင်အပူပေးစက်များကဆုံးဖြတ်ထားသည့်အတွက်ဗဟိုအပူချိန်မှာအပူချိန်နိမ့်ကျပြီး Crucible အနီးရှိအပူချိန်မြင့်မားပြီး adial အပူချိန် gradient သည်အမြဲတမ်းအပြုသဘောဆောင်သည်။

အပူချိန်အပူချိန်အပူချိန်ကိုအောက်ပါအခြေအနေများနှင့်ကိုက်ညီရန်လိုအပ်သည်။

▪ကြည်လင်သောအပူချိန်စံသတ်မှတ်ချက်သည်အလွန်ကြီးမားသည်။Crystal ကြီးထွားမှုcrystall ၏ငုပ်လျှိုးနေအပူကိုဖယ်ရှားပစ်ရန်။

▪အရည်ပျော်မှုတွင် longitudinal အပူချိန် gradient သည်အလွန်များပြားသည်။ သို့သော်အလွန်ကြီးမားသော်ဖြစ်လျှင်မလွှဲပြောင်းခြင်းနှင့်ကျိုးပဲ့ခြင်းများဖြစ်ပေါ်စေရန်လွယ်ကူသည်။

▪ crystall interface တွင် tightitudinal အပူချိန် gradient သည်သင့်လျော်စွာကြီးမားသည်။ ၎င်းသည်ကြီးမားလွန်းခြင်းမရှိသေးပါ, အကယ်.သာမဟုတ်ရင်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာချို့ယွင်းချက်များပေါ်ပေါက်လာလိမ့်မည်။

Vetek Semiconductor သည်တရုတ်ထုတ်လုပ်သူဖြစ်သည်SIC Crystal တိုးတက်မှုနှုန်း, crucible ဆွဲ monocrystalline, ဆီလီကွန်တစ်ခုတည်း Crystal Jig ကိုဆွဲပါ, monocrystalline ဆီလီကွန်အတွက် crucible, Crystal ကြီးထွားမှုအတွက် Tantalum carbide cape ကိုပြွန်။  Vetek Semiconductor သည် SicMonductor Industry အတွက်အမျိုးမျိုးသော Sic Wafer ထုတ်ကုန်များအတွက်အဆင့်မြင့်ဖြေရှင်းချက်များပေးရန်ကတိကဝတ်ပြုထားသည်။

အထက်ပါထုတ်ကုန်များကိုသင်စိတ်ဝင်စားပါကကျွန်ုပ်တို့အားတိုက်ရိုက်ဆက်သွယ်ပါ။  

MOB: + 86-180 6922 0752

WhatsApp: +86 180 6922 0752

အီးမေးလ် - Anny@veteksemi.com