နမူနာမြေပုံဆွဲခြင်း။

ဖောက်သည်မှ ပံ့ပိုးပေးသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနမူနာကို အခြေခံ၍ (၎င်းသည် ပွန်းပဲ့သော သို့မဟုတ် ကျိုးကြေနေသော အသုံးပြုထားသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်လျှင်ပင်) ကျွန်ုပ်တို့သည် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဖွဲ့စည်းပုံပြောင်းပြန်အင်ဂျင်နီယာမှ ရုပ်ဝတ္ထုဆိုင်ရာ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာလက္ခဏာရပ်များအထိ ရောင်စဉ်အပြည့်ဝန်ဆောင်မှုကို ပေးဆောင်ပါသည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအဆင့်မြင့်သော တိကျသေချာသည့် စစ်ဆေးရေးကိရိယာများကို အသုံးချခြင်းဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် ရှုပ်ထွေးသော 3D ဂျီဩမေတြီဖွဲ့စည်းပုံများ၊ အပေါ်ယံအလွှာ/အလွှာမျက်နှာပြင် ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ပစ္စည်းပိုင်းဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များကို တိကျစွာ တွက်ချက်ပြီး အင်ဂျင်ပြောင်းပြန်အင်ဂျင်နီယာထုတ်ကုန်နှင့် ကိုက်ညီကြောင်း သေချာစေပါသည်။ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အံဝင်ခွင်ကျ၊ လုပ်ငန်းစဉ် လိုက်ဖက်ညီမှု၊ နှင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း (Form-Fit-Function Replacement) တို့တွင် OEM စံနှုန်းများကို ကျော်လွန်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ တိုင်းတာသည့်အရာ (နည်းပညာဆိုင်ရာ ပေးအပ်နိုင်မှု)-

• အတိုင်းအတာနှင့် ဂျီဩမေတြီ ခံနိုင်ရည်များ-မြင့်မားသောတိကျမှုရှိသော ညှိနှိုင်းတိုင်းတာရေးစက် (CMM) နှင့် optical 3D စကင်နာများကို အသုံးပြု၍ ကျွန်ုပ်တို့သည် အရွယ်အစားပြည့် point-cloud မော်ဒယ်ပုံစံကို လုပ်ဆောင်ပြီး ရှုပ်ထွေးသောအပေါက်များ တည်ဆောက်ခြင်းနှင့် မိုက်ခရိုနအဆင့် တိကျမှုကို ရရှိစေပါသည်။
• မျက်နှာပြင်အသေးစားပုံသဏ္ဍာန်နှင့် ပြားချပ်ချပ်-နာနိုမီတာ မျက်နှာပြင် ကြမ်းတမ်းမှု (Ra) နှင့် ဧရိယာ ကျယ်ဝန်းမှုကို အကဲဖြတ်ရန်၊ wafer ကိုင်တွယ်ခြင်းနှင့် အခန်းတွင်း တံဆိပ်ခတ်ခြင်း လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန် အဖြူရောင်-အလင်း interferometers နှင့် optical profileometer များကို အသုံးပြုခြင်း။
• Edge Micro-Features-အပေါ်ယံပုံသဏ္ဍာန်တက်ခြင်းနှင့် အပူချိန်မြင့်ခြင်းတို့ကို ဖြစ်စေနိုင်သည့် ချွန်ထက်သောထောင့်များတွင် ဖိစီးမှုအာရုံစူးစိုက်မှုကို ရှောင်ရှားရန် အစွန်း R-radii နှင့် chamfer မိုက်ခရိုပရိုဖိုင်များကို ချဲ့ထွင်မြေပုံဆွဲခြင်း။
• Graphite Substrate နှင့် Thermal Matching Analysisသန့်စင်သောဂရပ်ဖိုက်အလွှာ၏သိပ်သည်းဆ၊ ကောက်နှံအရွယ်အစားနှင့် အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှု (CTE) ၏အကဲဖြတ်ခြင်း နှင့် CVD အပေါ်ယံပိုင်းအကြား အပူဒဏ်ခံနိုင်မှု ကိုက်ညီမှုရှိစေရန် အကဲဖြတ်ခြင်း။
• အပိုင်းဖြတ်ပိုင်းနှင့် အင်တာဖေ့စ်ချည်နှောင်ခြင်း အရည်အသွေး-ပကတိအထူ၊ CVD အပေါ်ယံပိုင်း၏ အစွန်းထွက်တူညီမှုနှင့် အင်တာဖေ့စ်ထိုးဖောက်မှုအတိမ်အနက်ကို တိုင်းတာရန် အဖျက်သဘောဆောင်သော XRF နှင့် သတ္တုဗေဒဆိုင်ရာ အပိုင်းဖြတ်ပိုင်း SEM ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း။
• Phase Structure နှင့် Micro-Crystal Analysis-CVD SiC ၏ ကုဗအဆင့် (β-SiC) သန့်စင်မှု XRD အကဲဖြတ်ခြင်း၊ CVD TaC ၏ ဓာတု stoichiometry နှင့် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံသွင်ပြင်လက္ခဏာများ၏ အရည်အသွေး အကဲဖြတ်ခြင်း။

ဖြစ်ရပ်မှန်နှင့် သုံးစွဲသူအကျိုးခံစားခွင့်များ (အတွေ့အကြုံ)

12 လက်မ semiconductor etching အစိတ်အပိုင်း ဝယ်ယူသူ-OEM ထောက်ပံ့မှုကို ရပ်ဆိုင်းလိုက်သည်၊ ဟောင်းနွမ်းနေသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုသာ ရနိုင်သည်။ CMM ပြောင်းပြန်ပုံစံဆွဲခြင်း + SEM အပေါ်ယံပိုင်းဖြတ်ပိုင်းခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းမှတဆင့်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် မူရင်းပုံများမပါဘဲ 2 လအတွင်း အစားထိုး တီထွင်မှုနှင့် ကိရိယာစမ်းသပ်ခြင်းတို့ကို ပြီးမြောက်ခဲ့ပြီး 100% တပ်ဆင်မှုအံဝင်ခွင်ကျဖြစ်ခဲ့သည်။ အဆုံးစွန်အားဖြင့်၊ အစိတ်အပိုင်းဝယ်ယူရေးစက်ဝန်းအား မူလ 6 လကြာတင်သွင်းခဲသည့်အချိန်မှ 2 လသို့လျှော့ချခဲ့ပြီး ယူနစ်ဝယ်ယူရေးကုန်ကျစရိတ် 42% ကျဆင်းသွားကာ ဤမော်ဒယ်သည် အတွဲ 30 ကျော်အတွက် တည်ငြိမ်စွာထောက်ပံ့ပေးထားပါသည်။

SEM coating cross-section တွင် Silicon Carbide (SiC) coating

အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

သင်၏သီးသန့်ဝန်ဆောင်မှုကို ယခုစတင်လိုက်ပါ။