CVD SIC Coating Barreal Suleceptor

Estitaxy တိုးတက်မှုနှုန်းသည် Crystal substrate (substrate) တွင် Crystal ရုပ်ရှင်တစ်ခုတည်း (Singstal Layer) ကိုကြီးထွားလာခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။ ဤတစ်ခုတည်းသောကြည်လင်ရုပ်ရှင်ကို epileer ဟုခေါ်သည်။ Emilayer နှင့်အလွှာအလွှာနှင့်အလွှာများကိုတူညီသောပစ္စည်းများကိုပြုလုပ်သောအခါ၎င်းကို homoepitaxial တိုးတက်မှုဟုခေါ်သည်။ ၎င်းတို့သည်မတူညီသောပစ္စည်းများဖြင့်ပြုလုပ်သောအခါ၎င်းကို HeteroePitaxial တိုးတက်မှုဟုခေါ်သည်။

Estitaxial တုံ့ပြန်မှုအခန်း၏ဖွဲ့စည်းပုံအရအမျိုးအစားနှစ်မျိုးရှိသည်။ Horizontal နှင့်ဒေါင်လိုက်။ ဒေါင်လိုက်ရလာသည့်ရေခဲပြင်ဆိုင်ရာရေခဲသေတ္တာ၏လက်ကိုင်ထားသည်လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်းလည်ပတ်နေစဉ်အတွင်းလည်ပတ်နေစဉ်အတွင်းလည်ပတ်နေသဖြင့်ကောင်းမွန်သောတူညီမှုနှင့်ထုတ်လုပ်မှုပမာဏရှိသည်။ Vetek Semiconductor သည် EPI အတွက် SIC coubitite barreal suleceptor ၏ထုတ်လုပ်မှုဆိုင်ရာကျွမ်းကျင်သူဖြစ်သည်။

Estitaxial တိုးတက်မှုနှုန်း MOCVD နှင့် HIVPE ကဲ့သို့သော SIC COCKEDTION BAREL SUNCRELS သည်ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တွင်တည်ငြိမ်နေဆဲဖြစ်ကြောင်းသေချာစေရန် Wafer ကိုပြင်ဆင်ရန်အသုံးပြုသည်။ အဆိုပါ wafer ကိုစည်အမျိုးအစားလက်ကိုင်ပေါ်တွင်ထားရှိသည်။ ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ဆက်လက်လုပ်ဆောင်နေစဉ် SUAPOR ကိုအညီအမျှလှည့်ပတ်လည်ပတ်သည်။

CVD SIC Coating Barreal အမျိုးအစား SUREAPORCONCHOMAN

Estitaxial တိုးတက်မှုမီးဖိုသည်အပူချိန်မြင့်မားသောဓာတ်ငွေ့များနှင့်ပြည့်နေသောအပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်ဖြစ်သည်။ ထိုကဲ့သို့သောကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်ကိုကျော်လွှားရန် Vetek Semiconductor သည် CVD နည်းလမ်းမှတစ်ဆင့် CVD Method မှ ဖြတ်. graphite barrel sulevor သို့ SIC အဖုံးကိုထည့်သွင်းထားပြီး SIC cover barrel sleceptor ကိုရယူသည်

ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာအသွင်အပြင်လက္ခဏာများ:

●  ယူနီဖောင်းအပူချိန်ဖြန့်ဖြူး: စည်သဏ်ဌာန်ဖွဲ့စည်းပုံသည်အပူကိုပိုမိုအညီအမျှဖြန့်ဝေခြင်းနှင့်ဒေသအပူလွန်ကဲခြင်းသို့မဟုတ်အအေးကြောင့်ကရေအားလျှပ်စစ်ကိုဖြန့်ဝေနိုင်သည်။

●  လေတိုက်အနှောင့်အယှက်များကိုလျှော့ချပါ: စည်သဏ်ဌာန်ပုံစံ၏ဒီဇိုင်းသည်ဓာတ်ငွေ့ခန်းမ၌လေကြောင်းလိုင်းများဖြန့်ဖြူးခြင်းကိုပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်နိုင်ပြီးဓာတ်ငွေ့သည်ဓာတ်ငွေ့နှင့်ယူနီဖောင်းနှင့်ယူနီဖောင်းများ epitaxial layer ကိုထုတ်လုပ်ရန်ကူညီသည်။

●  လည်ပတ်ယန္တရား: စည်သဏ်ဌာန်၏လှည့်ထားသောအလှည့်အပြောင်းယန္တရားသည် EpitAXAxial Layer ၏အထူကိုက်ညီမှုနှင့်ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများကိုတိုးတက်စေသည်။

●  အကြီးစားထုတ်လုပ်မှု- ကြီးမားသောအစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုအတွက်သင့်လျော်သောကြီးမားသောကစားသမားကြီးများကိုသယ်ဆောင်စဉ်စည်ပုံစံကိုလက်သည်းခြေသည်းသည်၎င်း၏ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုကိုထိန်းသိမ်းနိုင်သည်။

Vetek Semiconductor CVD Sic CISCEL TIGREACT REATCAL တွင် CISCAL နှင့် CVD SIC SIC COREATE တို့ဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသည့်စင်ကြယ်သောဖိုက်စုအမျိုးအစားနှင့် CVD SIC SIC SIC CISITION တို့ဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားပြီးအပူဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှင့်တည်ငြိမ်သောစက်ပစ္စည်းအထောက်အပံ့များရှိသည်။ အဆိုပါ wafer အညီအမျှအပူနှင့်တိကျသော epitaxial တိုးတက်မှုနှုန်းအောင်မြင်ကြောင်းသေချာပါစေ။

CVD CISEATE ၏အခြေခံရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ

CVD CISEATE ၏အခြေခံရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ
ဉစ်စာပစ္စည်းများ	ပုံမှန်တန်ဖိုး
Crystal ဖွဲ့စည်းပုံ	FCC β phase polycrystalline, အဓိကအားဖြင့် (111) ဦး တည်
သိပ်သည်းဆ	3.21 g / cm³
ခိုင်မာသော	2500 Vickers Hardness (500 ဂွမ်းဝန်)
စပါးအရွယ်အစား	2 ~ 10mm
ဓာတုသန့်ရှင်းရေး	99.99995%
အပူစွမ်းရည်	640 JES-1· k-1
sublimation အပူချိန်	2700 ℃
flexural အစွမ်းသတ္တိ	415 MPA RT 4-point
လူငယ်၏ Modulus	430 GPA 4PP Bend, 1300 ℃
အပူကူးယူခြင်း	300w ·မီတာ-1· k-1
အပူတိုးချဲ့မှု (CTE)	4.5 × 10-6K-1

Vetek Semiconductor CVD SIC Coating Barrel Type Susceptor