MOCVD အတွက် SiC-Coated Wafer Carriers- အပူပိုင်းတူညီမှု၊ အထွက်နှုန်းနှင့် ဝန်ဆောင်မှုဘဝ

A SiC-coated wafer carrierMOCVD ဓာတ်ပေါင်းဖိုအတွင်းရှိ အဓိကအပူနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြားခံများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် wafer အများအပြားကို ပံ့ပိုးပေးကာ ၎င်းတို့ကို လုပ်ငန်းစဉ်ပတ်၀န်းကျင်တွင် လှည့်ပတ်ကာ အလွှာတစ်ခုစီ၏အောက်ရှိ အပူချိန်ဘောင်ကို ထူထောင်ရန် ကူညီပေးသည်။ ဂရပ်ဖိုက်ကိုယ်ထည်သည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် အပူပေးစွမ်းဆောင်နိုင်မှုတို့ကို ပံ့ပိုးပေးကာ၊CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာg သည် ဓာတုဗေဒအရ တည်ငြိမ်ပြီး သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော လုပ်ငန်းစဉ်ကို မျက်နှာမူသည့် မျက်နှာပြင်ကို ဖန်တီးသည်။

GaN နှင့် LED epitaxy အတွက် အင်ဂျင်နီယာ ရည်မှန်းချက်သည် ဂရပ်ဖိုက်ကို ကာကွယ်ရန် ရိုးရှင်းစွာ မဟုတ်ပါ။ သယ်ဆောင်သူသည် ထပ်ခါတလဲလဲ ကြီးထွားမှုနှင့် သန့်ရှင်းရေးသံသရာများတစ်လျှောက် တစ်သမတ်တည်းရှိသော wafer အပူချိန်၊ အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုနှင့် မျက်နှာပြင်အခြေအနေတို့ကို ထိန်းသိမ်းရန် ကူညီပေးရပါမည်။

Wafer Carrier သည် MOCVD တွင် အဘယ်ကြောင့် အရေးကြီးသနည်း။

သတ္တု-အော်ဂဲနစ် ဓာတုအခိုးအငွေ့များ စုပုံခြင်းသည် ဓာတ်ငွေ့အဆင့် ဓာတုဗေဒ၊ အရည် သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနှင့် အပူလွှဲပြောင်းခြင်းတို့ကို မြင့်မားသော အပူချိန်-ထိခိုက်လွယ်သော epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ပေါင်းစပ်ထားသည်။ wafer carrier သည် substrates များအောက်တွင် တိုက်ရိုက်ထိုင်ပြီး အမှန်တကယ် wafer-surface temperature ကို ဆုံးဖြတ်သည့် အပူပေးစနစ်၏ အစိတ်အပိုင်း ဖြစ်လာပါသည်။

ရိုးရှင်းသောဆက်ဆံရေးသည်-

အပူပေးစက်/စွမ်းအင်အရင်းအမြစ် → SiC-Coated Wafer Carrier → Wafer အပူပိုင်းနယ်နိမိတ် → Wafer အပူချိန် → Epitaxial ကြီးထွားမှု

ဤဆက်ဆံရေးသည် GaN အခြေခံပစ္စည်းများအတွက် အထူးအရေးကြီးပါသည်။ InGaN ကွမ်တမ်ရေတွင်းများအတွင်းသို့ အင်ဒီယမ်ပေါင်းစပ်ခြင်းသည် အပူချိန်ပြင်းထန်စွာမူတည်သောကြောင့်၊ ထို့ကြောင့် spatial temperature ကွာခြားချက်များသည် LED wafer များတစ်လျှောက် လှိုင်းအလျားမတူညီမှုကို အထောက်အကူဖြစ်စေပါသည်။ MOVPE စိုက်ပျိုးထားသော GaN အဆောက်အဦများတွင် စမ်းသပ်ခြင်းလုပ်ငန်းသည် ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှု-လှိုင်းအလျားတစ်သားတည်းဖြစ်မှုနှင့် မျက်နှာပြင်-အပူချိန်ဖြန့်ဖြူးမှုကို တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်ထားသည်။

ထို့ကြောင့် သယ်ဆောင်သူကို passive tray အဖြစ် မရှုမြင်သင့်ပါ။ ၎င်း၏ ဂျီသြမေတြီ၊ အပူဓာတ်ဂုဏ်သတ္တိများ၊ လည်ပတ်မှု၊ အိတ်ဆောင်ဒီဇိုင်းနှင့် မျက်နှာပြင်အခြေအနေတို့သည် ဓာတ်ပေါင်းဖိုစီးဆင်းမှုနှင့် အပူပေးစနစ်တို့နှင့် သက်ရောက်မှုရှိသည်။

LED MOCVD တွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် SiC-coated ဂရပ်ဖိုက် wafer သယ်ဆောင်သူများနှင့် အပေါ်ယံပိုင်းအရည်အသွေး၊ လှိုင်းအလျားသွေဖည်မှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှုအထွက်နှုန်းတို့နှင့် ပြတ်သားစွာ ချိတ်ဆက်ပေးပါသည်။

Carrier Geometry သည် Thermal Uniformity ကို မည်ကဲ့သို့ လွှမ်းမိုးထားသည်။

multi-wafer carrier အတွက်၊ အပူတူညီမှုသည် nominal heater temperature ထက် များစွာပို၍မူတည်ပါသည်။

အိတ်ကပ်အတိမ်အနက်၊ အိတ်ကပ်အချင်း၊ ကယ်ရီယာ ပြားချပ်ချပ်၊ ဒေသတွင်း နံရံအထူ၊ လှည့်ပတ်မှု အချိုးညီမှုနှင့် ဝေဖာနှင့် သယ်ဆောင်သူကြား အကွာအဝေးသည် ဒေသတွင်း အပူပိုင်းနယ်နိမိတ်ကို လွှမ်းမိုးပါသည်။ အိတ်ကပ်များကြား သေးငယ်သော ဂျီဩမေတြီ ခြားနားချက်သည် မတူညီသော wafer များအောက်တွင် လျှပ်ကူးမှု၊ ဓာတ်ရောင်ခြည်နှင့် ဓာတ်ငွေ့ကွာဟမှု အပူလွှဲပြောင်းမှုတို့ကို ပြောင်းလဲနိုင်သည်။

ဆိုလိုသည်မှာ အတိုင်းအတာတိကျမှုသည် အပူသတ်မှတ်ချက်တစ်ခုလည်းဖြစ်သည်။

ရိုးရှင်းသောပုံစံဖြင့်-

→ Pocket Geometry / Flatness  

→ ဒေသတွင်း အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်  

→ Wafer အပူချိန်  

→ Growth Kinetics

တူညီသောနိယာမသည် သယ်ဆောင်သူ၏ အချင်းကိုဖြတ်၍ အကျုံးဝင်သည်။ အလယ်ဗဟိုနှင့် အပြင်ဘက်အချင်းဝက်အနီးရှိ Wafer များသည် ဓာတ်ငွေ့အလျင်၊ ရှေ့ပြေးအာရုံစူးစိုက်မှု နှင့် အပူလွှဲပြောင်းခြင်း၏ မတူညီသောပေါင်းစပ်မှုများကို တွေ့ကြုံခံစားနိုင်ပါသည်။ စီးပွားဖြစ် GaN MOCVD ဓာတ်ပေါင်းဖိုများ၏ တွက်ချက်မှုဆိုင်ရာလေ့လာမှုများက အရည်စီးဆင်းမှု၊ အပူလွှဲပြောင်းမှုနှင့် မျိုးစိတ်များ သယ်ယူပို့ဆောင်မှုအားလုံးသည် မတူညီသော wafer ဇုန်များတစ်လျှောက် ကြီးထွားနှုန်းနှင့် တူညီမှုကွာခြားချက်များကို အထောက်အကူပြုကြောင်း ပြသသည်။

လှည့်ခြင်းသည် ပျမ်းမျှအားဖြင့် အချို့သော spatial အကျိုးသက်ရောက်မှုများကို ကူညီပေးသော်လည်း ၎င်းသည် ညံ့ဖျင်းသော သယ်ဆောင်သူဂျီသြမေတြီ သို့မဟုတ် မတည်ငြိမ်သော အပူပိုင်းနယ်နိမိတ်ကို မဖယ်ရှားပါ။

နည်းပညာအရ အရည်အချင်းပြည့်မီသော wafer carrier သည် macroscopic geometry နှင့် local pocket geometry နှစ်ခုလုံးကို ထိန်းချုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

Graphite Wafer Carriers များတွင် CVD SiC ကို အဘယ်ကြောင့် အသုံးပြုရသနည်း။

Graphite သည် ကြီးမားပြီး အိတ်ဆောင်ပေါင်းများစွာ သယ်ဆောင်ပေးသည့် ဂျီသြမေတြီများအဖြစ် တိကျစွာ ပြုပြင်နိုင်ပြီး လိုအပ်ချက်ရှိသော အပူပတ်ဝန်းကျင်တွင် လည်ပတ်နိုင်သောကြောင့် Graphite သည် ဆွဲဆောင်မှုရှိနေပါသည်။ သို့သော်လည်း ဗလာဂရပ်ဖိုက်သည် နိုက်ထရိတ် MOCVD ဓာတုဗေဒနှင့် ထပ်ခါတလဲလဲ ထိတွေ့မှုအတွက် စံပြမျက်နှာပြင်မဟုတ်ပါ။

CVD-SiC-coated high-purity graphite susceptors များတွင် မကြာသေးမီက သုတေသနပြုချက်များအရ ဂရပ်ဖိုက်သည် ဓာတ်တိုးခြင်း၊ နွမ်းနယ်ခြင်း၊ ဓာတ်ငွေ့စုပ်ယူခြင်းနှင့် ဖုန်မှုန့်များကို မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ခံစားရနိုင်သည်ဟု မှတ်သားထားသည်။ နိုက်ထရိတ်ကြီးထွားမှုတွင်၊ အမိုးနီးယားအမှုန်အမွှားထွက်ကုန်များသည် ဂရပ်ဖိုက်တိုက်စားမှုကိုလည်း အထောက်အကူပြုနိုင်ပြီး အမှုန်အမွှားများကို ညစ်ညမ်းစေကာ အစိတ်အပိုင်းများ၏သက်တမ်းကို တိုစေနိုင်သည်။

CVD SiC coating သည် ဤပတ်ဝန်းကျင်မှ ဂရပ်ဖိုက်များကို သီးခြားခွဲထုတ်ရန် ကူညီပေးသည့် သိပ်သည်းသော လုပ်ငန်းစဉ်-မျက်နှာစာ မျက်နှာပြင်ကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။

၎င်း၏လက်တွေ့လုပ်ဆောင်မှုများတွင် ဓာတုကာကွယ်မှု၊ ညစ်ညမ်းမှုထိန်းချုပ်မှု၊ ဂရပ်ဖိုက်အလွှာ၏ထိတွေ့မှုကို လျှော့ချခြင်းနှင့် အပူချိန်မြင့်သည့်အကြိမ်ကြိမ်လုပ်ဆောင်မှုအတွင်း မျက်နှာပြင်တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။

သို့သော်၊ အပေါ်ယံပိုင်းကို ပြီးပြည့်စုံသော သယ်ဆောင်ရေးစနစ်၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းအဖြစ် သဘောထားရပါမည်။ အပေါ်ယံအထူတစ်ခုတည်းဖြင့် အရည်အသွေးမသတ်မှတ်ပါ။ အထူတူညီမှု၊ ကြမ်းတမ်းမှု၊ အပေါက်များ၊ အသေးစားတည်ဆောက်ပုံ၊ အင်တာဖေ့စ်ခိုင်မာမှုနှင့် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့် လိုက်ဖက်ညီမှုတို့ဖြစ်သည်။

2026 ခုနှစ် လေ့လာမှုတစ်ခုတွင် ဂရပ်ဖိုက်ခံနိုင်ရည်များပေါ်ရှိ CVD-SiC coatings များသည် အစီရင်ခံတင်ပြထားသော MOCVD စက်ဘီးစီးနေစဉ်အတွင်း ကောင်းစွာမွမ်းမံထားသော အပေါ်ယံအလွှာများသည် 1100°C GaN ကြီးထွားမှုအခြေအနေများတွင် တည်ငြိမ်နေသေးကြောင်း သရုပ်ပြခဲ့ပြီး အစီရင်ခံတင်ပြထားသော အသွင်အပြင်တွင် မျက်နှာစာပိုင်းပြိုကွဲမှုမတွေ့ရပါ။

အသုံးဝင်သော အင်ဂျင်နီယာနိဂုံးချုပ်ချက်မှာ အပေါ်ယံတစ်ခုသည် universal life တွင် ပုံသေရှိနေခြင်းမဟုတ်ဘဲ၊ အပေါ်ယံဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အင်တာဖေ့စ်တည်ငြိမ်မှုသည် MOCVD ဝန်ဆောင်မှုအောက်ရှိ ဝန်ဆောင်မှုပေးသည့်သက်တမ်းကို မည်ကဲ့သို့ အကျိုးသက်ရောက်စေသနည်း။

အပူပိုင်းတူညီမှုမှ Epitaxial Uniformity နှင့် အထွက်နှုန်းအထိ

MOCVD ကြီးထွားနှုန်းနှင့် သတ္တုစပ်ဖွဲ့စည်းမှု နှစ်ခုစလုံးသည် ဒေသဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများအတွက် အကဲဆတ်သည်။ LED တည်ဆောက်ပုံများအတွက်၊ Indium ကို InGaN တွင် ပေါင်းစပ်ခြင်းသည် wafer-surface temperature ဖြင့် ပြောင်းလဲနိုင်သောကြောင့် အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုသည် အထူးအရေးကြီးပါသည်။

၎င်းသည် အောက်ပါလုပ်ငန်းစဉ်ကွင်းဆက်ကို ဖန်တီးသည်-

→ သယ်ဆောင်သူ၏ အပူရှိန်အမူအရာ  

→ Wafer အပူချိန် ဖြန့်ဝေခြင်း။  

→ ကြီးထွားနှုန်း/ဖွဲ့စည်းမှု  

→ အထူ သို့မဟုတ် လှိုင်းအလျား တူညီခြင်း။  

→ စက်ပစ္စည်း Binning နှင့် အထွက်နှုန်း

ဤကွင်းဆက်ကို သေသေချာချာ အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုသင့်သည်။

wafer carrier တစ်ခုတည်းက အထွက်နှုန်းကို မဆုံးဖြတ်ပါဘူး။ ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးမှု၊ ရှေ့ပြေးဓာတုဗေဒ၊ ဖိအား၊ ဓာတ်ပေါင်းဖိုဒီဇိုင်း၊ wafer လေးကို၊ လည်ပတ်မှုနှင့် ကြီးထွားမှု စာရွက်တို့သည် အဓိကပြောင်းလဲမှုများ ကျန်ရှိနေပါသည်။ မည်သို့ပင်ဆိုစေကာမူ၊ ဝန်ဆောင်မှုပေးသူသည် လုပ်ငန်းစဉ်ကို ထပ်ခါတလဲလဲ လုပ်ဆောင်နိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ပါက တည်ငြိမ်နေရမည့် ဟာ့ဒ်ဝဲအစိတ်အပိုင်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။

SGL Carbon မှ SiC-coated graphite carriers များသည် လှိုင်းအလျားသွေဖည်မှုကို လျှော့ချရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး မြင့်မားသော အပူစီးကူးမှု၊ အတိုင်းအတာတိကျမှုနှင့် coating quality သည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော LED wafer output ကို အထောက်အကူပြုကြောင်း ဖော်ပြထားသည်။

ဝိုင်ဖာအများအပြား GaN MOCVD အလုပ်သည် ဖော်ပြထားသည့် ဓာတ်ပေါင်းဖိုဖွဲ့စည်းပုံအတွက် ±3°C မျက်နှာပြင်အပူချိန် ဖြန့်ဖြူးမှုထက် ပိုမိုကောင်းမွန်ကြောင်း ဖော်ပြထားသည့် တူညီသော susceptor အပူချိန်အကွက်ကို ရရှိရန် အရေးကြီးကြောင်း သရုပ်ပြခဲ့သည်။

ပိုမိုကျယ်ပြန့်သော အင်ဂျင်နီယာသင်ခန်းစာမှာ အပူပေးစက် သို့မဟုတ် ဓာတ်ပေါင်းဖိုသတ်မှတ်မှတ်တွင်သာမက wafer အဆင့်တွင် အပူချိန်တူညီမှုကို အကဲဖြတ်သင့်သည်။

Wafer Carrier ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို အဘယ်အရာက သတ်မှတ်သနည်း။

SiC-coated wafer carrier တိုင်းကို အစားထိုးသင့်ပြီး MOCVD လည်ပတ်သည့် universal number မရှိပါ။

ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းသည် လည်ပတ်မှုအပူချိန်၊ လုပ်ငန်းစဉ်ဓာတုဗေဒ၊ သန့်ရှင်းရေးဓာတုဗေဒ၊ အပူစက်ဘီးစီးခြင်း၊ အပ်နှံမှုတည်ဆောက်ပုံ၊ အပေါ်ယံပိုင်းကြံ့ခိုင်မှု၊ ကိုင်တွယ်မှုနှင့် အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုတို့အပေါ် မူတည်သည်။

ပုံမှန်ပျက်စီးခြင်း ယန္တရားများတွင် မျက်နှာပြင် ကြမ်းတမ်းခြင်း၊ အပေါ်ယံကွဲအက်ခြင်း၊ အစွန်းများပေါက်ခြင်း၊ အစွန်းများပေါက်ခြင်း၊ အပေါက်များ၊ အပ်ငွေစုပုံခြင်းနှင့် အိတ်ဆောင်ဂျီသြမေတြီပြောင်းလဲမှုများ ပါဝင်သည်။

ဤချို့ယွင်းချက်များထဲမှ အချို့သော ချို့ယွင်းချက်များသည် အဓိကအားဖြင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှုကို ထိခိုက်စေပြီး အခြားအရာများသည် ကပ်ဆိုးကြီး ချို့ယွင်းမှု မဖြစ်ပွားမီ လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ရင်ဆိုင်နေရသော အခြေအနေ သို့မဟုတ် ဒေသတွင်း အပူရှိန်အမူအကျင့်ကို ပြောင်းလဲနိုင်သည်။

ထို့ကြောင့် ပိုမိုအသုံးဝင်သော ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုမေးခွန်းမှာ-

> သယ်ဆောင်သူသည် wafer အပူချိန်၊ ညစ်ညမ်းမှုအန္တရာယ် သို့မဟုတ် လုပ်ငန်းစဉ်ကို ထပ်တလဲလဲဖြစ်နိုင်ချေကို ပြောင်းလဲရန် လုံလောက်သော ပြောင်းလဲခဲ့ပါသလား။

အပလီကေးရှင်းပေါ် မူတည်၍ စစ်ဆေးခြင်းတွင် အတိုင်းအတာစစ်ဆေးမှုများ၊ ညီညာမှုတိုင်းတာခြင်း၊ အိတ်ကပ်အတွင်း အတိမ်အနက်ကို အတည်ပြုခြင်း၊ အပေါ်ယံမျက်နှာပြင် စစ်ဆေးခြင်းနှင့် သမိုင်းဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်ဒေတာနှင့် နှိုင်းယှဉ်ခြင်းတို့ ပါဝင်နိုင်သည်။

သန့်ရှင်းရေးဗျူဟာသည် ထပ်တူထပ်မျှ အရေးကြီးပါသည်။ ပြင်းထန်သော သန့်ရှင်းရေးသည် အနည်များကို ဖယ်ရှားနိုင်သော်လည်း ဓာတုဗေဒ သို့မဟုတ် လုပ်ထုံးလုပ်နည်းသည် အစိတ်အပိုင်းနှင့် မကိုက်ညီပါက အပေါ်ယံပိုင်း ပျက်စီးမှုကို အရှိန်မြှင့်နိုင်သည်။

ဤအကြောင်းကြောင့်၊ တစ်သက်တာ ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းသည် မြင်သာသောမအောင်မြင်မီ လည်ပတ်မှုအရေအတွက်ကို ရိုးရှင်းစွာတိုးမြှင့်ခြင်းထက် ဝန်ဆောင်မှုစက်ဝန်းအလိုက် တည်ငြိမ်သောလုပ်ငန်းစဉ်စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် အာရုံစိုက်သင့်သည်။

MOCVD အတွက် SiC-Coated Wafer Carrier ကို သတ်မှတ်နည်း

နည်းပညာအရ အသုံးဝင်သော RFQ သည် "တစ်ခုအတွက် ယေဘူယျတောင်းဆိုမှုဖြင့်မဟုတ်ဘဲ ဓာတ်ပေါင်းဖိုနှင့် ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် စတင်သင့်သည်။SiC-coated ဂရပ်ဖိုက်ပန်းကန်”

ပေးသွင်းသူသည် MOCVD ဓာတ်ပေါင်းဖို ထုတ်လုပ်သူနှင့် မော်ဒယ်၊ wafer ပစ္စည်းနှင့် အရွယ်အစား၊ အိတ်ဆောင်အရေအတွက်၊ ကြီးထွားမှု ဓာတုဗေဒ၊ လည်ပတ်မှု-အပူချိန် အတိုင်းအတာ၊ ကယ်ရီယာလည်ပတ်မှု အယူအဆနှင့် သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းတို့ကို နားလည်သင့်သည်။

ထို့နောက် ပုံဆွဲခြင်းသည် အိတ်ဆောင်အချင်း၊ အတိမ်အနက်၊ ညီညာမှု၊ အထူ၊ အစွန်းဂျီသြမေတြီနှင့် အခြားအရေးပါသော သည်းခံမှုများကို သတ်မှတ်ပေးရပါမည်။ Graphite သန့်ရှင်းမှု၊ CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းလိုအပ်ချက်များ၊ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုနှင့် စစ်ဆေးရေးနည်းလမ်းများကို အဆိုပါလုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များအနီးတွင် သတ်မှတ်ပေးသင့်သည်။

လက်တွေ့ကျသော အင်ဂျင်နီယာ အပိုင်းသည်-

ဓာတ်ပေါင်းဖို → Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ် → Wafer Layout → Carrier Geometry → Graphite → CVD SiC Coating → စစ်ဆေးခြင်း

အစားထိုးသယ်ဆောင်သူများအတွက်၊ အမည်ခံဂျီသြမေတြီတစ်ခုတည်းနှင့် မလုံလောက်ပါ။ အရည်အချင်းပြည့်မီသော ဂရပ်ဖိုက်အဆင့်၊ အပေါ်ယံသတ်မှတ်ချက်၊ အိတ်ဆောင်ပရိုဖိုင်နှင့် တကယ့်သမိုင်းဖြစ်စဉ် အပြုအမူများသည် ထပ်တူထပ်မျှ အရေးကြီးပါသည်။

ရည်ရွယ်ချက်မှာ ရည်ရွယ်ထားသော ဝန်ဆောင်မှုကာလတစ်လျှောက် ကယ်ရီယာနှင့် wafer အကြား တည်ငြိမ်သောဆက်ဆံရေးကို ထိန်းသိမ်းထားရန်ဖြစ်သည်-

Dimensional Stability + Thermal Uniformity + Surface Integrity + Low Particle Risk + Repeatable Epitaxy

အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

1. MOCVD wafer carriers များကို SiC-coated graphite မှ အဘယ်ကြောင့် ပြုလုပ်သနည်း။  

Graphite သည် ရှုပ်ထွေးသော multi-wafer ဂျီသြမေတြီများအတွက် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် အပူပိုင်းလုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို ပေးစွမ်းပြီး CVD SiC သည် ဓာတုဗေဒအရ တည်ငြိမ်ပြီး ညစ်ညမ်းမှုဒဏ်ခံနိုင်သော လုပ်ငန်းစဉ်ကို ရင်ဆိုင်သည့် မျက်နှာပြင်ကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။

2. Wafer carrier သည် MOCVD အပူချိန်တူညီမှုကို မည်သို့အကျိုးသက်ရောက်သနည်း။  

သယ်ဆောင်သူ၏ ချောမွေ့မှု၊ အိတ်ကပ်အနက်၊ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ဒေသဆိုင်ရာ ဂျီသြမေတြီသည် wafer တစ်ခုစီ၏အောက်ရှိ အပူလွှဲပြောင်းမှုအပေါ် လွှမ်းမိုးမှုရှိသည်။ ဤအချက်များသည် ဓါတ်ပေါင်းဖိုအပူပေးခြင်း၊ ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှင့် wafer လည်ပတ်မှုတို့နှင့် သက်ရောက်မှုရှိပြီး ဒေသဆိုင်ရာ wafer အပူချိန်ကို ဆုံးဖြတ်ရန်။

3. GaN နှင့် LED epitaxy အတွက် အပူချိန်တူညီမှုသည် အဘယ်ကြောင့်အရေးကြီးသနည်း။  

ကြီးထွားနှုန်းနှင့် သတ္တုစပ်ဖွဲ့စည်းမှုသည် အပူချိန် အထိမခံနိုင်ပါ။ InGaN အခြေပြု LED တည်ဆောက်ပုံများတွင်၊ wafer-မျက်နှာပြင် အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုသည် လှိုင်းအလျားပြောင်းလဲမှုကို အထောက်အကူဖြစ်စေနိုင်ပြီး ထို့ကြောင့် စက်ပစ္စည်း binning နှင့် လုပ်ငန်းစဉ်အထွက်နှုန်းအပေါ် လွှမ်းမိုးပါသည်။

4. SiC-coated wafer carriers များသည် ဝန်ဆောင်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို ဆုံးရှုံးစေသည့်အရာများ။  

ပုံမှန်အကြောင်းရင်းများတွင် အပေါ်ယံကွဲအက်ခြင်း သို့မဟုတ် ကွဲအက်ခြင်း၊ မျက်နှာပြင် ကြမ်းတမ်းခြင်း၊ သိုက်စုပုံခြင်း၊ အပူစက်ဘီးစီးခြင်း၊ ပြင်းထန်သော သန့်ရှင်းရေး၊ အိတ်ကပ်ဝတ်ခြင်းနှင့် အတိုင်းအတာများ ပျံ့လွင့်ခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။

5. စိတ်ကြိုက် MOCVD wafer carrier RFQ အတွက် မည်သည့်အချက်အလက်များ လိုအပ်သနည်း။  

ဓာတ်ပေါင်းဖို မော်ဒယ်၊ wafer အရွယ်အစားနှင့် ပစ္စည်း၊ အိတ်ဆောင် အပြင်အဆင်၊ ပုံဆွဲခြင်း သို့မဟုတ် STEP ဖိုင်၊ လုပ်ငန်းစဉ် အပူချိန်၊ ကြီးထွားမှုနှင့် သန့်ရှင်းရေး ဓာတုဗေဒ၊ အရေးကြီးသော အတိုင်းအတာ၊ ဂရပ်ဖိုက် လိုအပ်ချက်၊ SiC အပေါ်ယံပိုင်း သတ်မှတ်ချက်၊ မျက်နှာပြင် ပြီးစီးမှု လိုအပ်ချက်၊ စစ်ဆေးရေး စံနှုန်းများနှင့် အရေအတွက်တို့ကို ပေးဆောင်ပါ။

ကိုးကား

1. SGL ကာဗွန် — LED Chip ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အထူးဂရပ်ဖစ်များ။ SiC-coated graphite wafer carriers၊ thermal conductivity၊ dimensional tolerances၊ wavelength uniformity နှင့် carrier lifetime ဆိုင်ရာ နည်းပညာဆိုင်ရာ အချက်အလက်။

2. Huo, Y. et al. - "ဂရပ်ဖိုက်အလွှာပေါ်ရှိ CVD-SiC အပေါ်ယံပိုင်းရှိ လုပ်ငန်းစဉ်-ဖွဲ့စည်းပုံ-ပိုင်ဆိုင်မှုဆက်စပ်မှုကို လေ့လာခြင်း။" သိပ္ပံနည်းကျအစီရင်ခံစာများ၊ 2026။

3. GaN-based လေဆာဒိုင်အိုဒွိဖွဲ့စည်းပုံများ၏ MOVPE ကြီးထွားမှုအတွင်း wafer မျက်နှာပြင်အပူချိန်၏ တူညီမှု။ Crystal Growth ဂျာနယ်၊ 2011။

4. MOCVD ဓာတ်ပေါင်းဖိုရှိ သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနှင့် ဓာတုတုံ့ပြန်မှု နှင့် GaN ကြီးထွားမှုတူညီမှုအပေါ် ၎င်းတို့၏သြဇာလွှမ်းမိုးမှု။ Crystal Growth ဂျာနယ်၊ 2016။