Tantalum carbide coated လက်စွပ်

Vetek Semiconductor Tantalum Carbide Capide Ring ကိုလက်ဖြင့်ပြုလုပ်သည်ခွက်ပြီးသာလွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်အသက်ရှည်မှုကိုသေချာစေရန်နှစ် ဦး စလုံး၏အကောင်းဆုံးဂုဏ်သတ္တိများကိုမြှင့်တင်ပေးသည့်ပေါင်းစပ်မှုပေါင်းစပ်ခြင်းနှင့်အတူ tantalum carbide နှင့်အတူ coated ။ 

TACLALUS carbide cretting လက်စွပ်ပေါ်ရှိ TAC တွင်ဟိုက်ဒရိုဂျင်, အာဂွန်နှင့်နိုက်ထရိုဂျင်စသည့်ဓာတ်ငွေ့များပါ 0 င်သော sic crystal ကြီးထွားလာသည့်မီးခိုးများအရဓာတုဗေဒဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ inert ဖြစ်နေသည်။ ဤဓာတုပစ္စည်းသည်ကြီးထွားလာသောကျောက်သကာ၏ညစ်ညမ်းမှုကိုကာကွယ်ရန်အတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောအနေဖြင့်နောက်ဆုံးပေါ် Sememonductor ထုတ်ကုန်များ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုလျှော့ချနိုင်သည့်မည်သည့်ညစ်ညမ်းမှုကိုမဆိုတားဆီးရန်အရေးကြီးသည်။ ထို့အပြင် TAC အဖုံးမှပေးသောအပူတည်ငြိမ်မှုသည် Tantalum carbide လက်စွပ်ကို အသုံးပြု. 2000 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ထက်ကျော်လွန်သောအပူချိန်မြင့်မားမှုများကိုထိရောက်စွာလည်ပတ်စေနိုင်သည်။

သိပ်သည်းမှုနှင့်ယူနီဖောင်းသည်ပလာစမာပက်ဖြန်းခြင်း, CVD Method နှင့် Slurry Sinuring Method မှပလာစမာမျက်နှာပြင်နှင့်ပလာစမာပေါ်ပေါက်လာခြင်းနည်းလမ်းဖြင့်ပြင်ဆင်နိုင်သည်။ slurry sintering နည်းလမ်းဖြင့်ပေါင်းစပ်ထားသော composite composite ကိုပြင်ဆင်ရန်ခက်ခဲသည်။ CVD နည်းလမ်းဖြင့်ပြင်ဆင်ထားသောအပေါ်ယံပိုင်းတွင်ပစ္စုပ္ပန်ရှိလေ့ကျင့်မှုနှင့်အမြင့်ဆုံးသိပ်သည်းဆမှုရှိသည်။

TAC ၏စက်မှုဂုဏ်သတ္တိများသည် Tantalum carbide အပေါ်ယံလွှာလက်စွပ်ပေါ်တွင် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့်မျက်ရည်များကိုအလွန်လျော့နည်းစေသည်။ မကြာခဏဆိုသလို crystal ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်၏ထပ်တလဲလဲသဘောသဘာဝကြောင့်၎င်းသည်အလွန်အရေးကြီးသည်။ TAC ၏ခိုင်မာမှုနှင့် 0 တ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်ရှိသည့်လက်စွပ်သည်၎င်း၏ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာသမာဓိရှိမှုနှင့်တိကျသောရှုထောင့်များကိုကြာရှည်စွာထိန်းသိမ်းထားနိုင်အောင်ပြုလုပ်နေသည်။ 

Tantalum carbide အပေါ်ယံလွှာ၏သိပ်သည်းဆမှာ 14.3GM / CM3 ဖြစ်သည်။ 2000HK ဖြစ်သည်။ 2000HK, အရည်ပျော်မှတ်သည် 3950 ပြည့်နှစ်များဖြစ်သည်။

ထို့အပြင် Tantalum carbide အပေါ်လက်စွပ်တွင်ဖိုက်ဒူးနှင့် TAC ပေါင်းစပ်မှုပေါင်းစပ်မှုသည်ကြည်လင်တိုးတက်မှုမီးဖိုအတွင်းရှိအပူစီမံခန့်ခွဲမှုကိုအကောင်းမြင်စေသည်။ ဖိုက်၏မြင့်မားသောအပူအရှိန်အဟုန်မြှင့်တင်ခြင်းသည်အပူကိုထိထိရောက်ရောက်ဖြန့်ဖြူးခြင်း, ဤအတောအတွင်း TAC Coating သည်အပူတပြင်းဖြစ်သည့်အပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့်ဓာတ်ပြုခြင်းငှါဓာတ်ပြုထားသောဓာတ်ငွေ့များနှင့်တိုက်ရိုက်ထိတွေ့မှုမှကာကွယ်ပေးသည်။ အဓိကနှင့်ဖုံးအုပ်ထားသောပစ္စည်းများအကြားဤ synergy သည်ကြမ်းတမ်းသောအခြေအနေများကိုမခံနိုင်အောင်လမ်းပြလက်စွပ်တစ်ခုတွင်ဖြစ်ပေါ်စေသည်SIC Crystal ကြီးထွားမှုသို့သော်လည်းလုပ်ငန်းစဉ်၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်အရည်အသွေးကိုလည်းပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။

Vetek Semiconductor Tantalum Carbide Cape သည် Semiconductor Industry တွင်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောလက်စွပ်ဖြစ်ပြီး Semiconductor Industry တွင်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်ဆီလီကွန်ကာလက် crystals။ ၎င်း၏ဒီဇိုင်းသည်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားသောစိတ်ဖိစီးမှုမြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ထူးခြားသောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပေးရန်ဖိုက်နှင့်တာဆန်းကာဗိုက်၏အားသာချက်များကိုအသုံးပြုသည်။ TAC Coating သည်အရည်အသွေးမြင့် SIC Crystals များထုတ်လုပ်ရန်အတွက်အရေးပါသောဓာတုဗေဒဆိုင်ရာတာ 0 န်ခံမှု, အစွန်းရောက်အခြေအနေများတွင်၎င်း၏သမာဓိနှင့်လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကိုထိန်းသိမ်းခြင်းအားဖြင့်လက်စွပ်သည်စွမ်းအင်မြင့်မားသောနှင့်ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော semiconductor device များတိုးတက်မှုကိုအထောက်အကူပြုသည်။

Vetek Semiconductor သည် ဦး ဆောင်ထုတ်လုပ်သူနှင့်ပေးသွင်းသူဖြစ်သည်Tantalum carbide အပေါ်ယံ, Silicon carbide အပေါ်ယံပိုင်းနှင့်အထူးဂိဒ်တရုတ်နိုင်ငံမှာ Semiconductor Industry အတွက်အဆင့်မြင့်နည်းပညာနှင့်ထုတ်ကုန်ဖြေရှင်းနည်းများကိုတိုးမြှင့်ရေးအတွက်ကြာမြင့်စွာကတည်းကကတိကဝတ်ပြုထားကြပြီး,

Tantalum carbide (tac) အပေါ်ယံတစ် ဦး ဏု Cross-section တွင်：

၏ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်semiconductor ချစ်ပ် citterxaxy စက်မှုလုပ်ငန်းကွင်းဆက်：