ထုတ်ကုန်များ

SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်

VeTek Semiconductor ၏ထူးခြားသောကာဗိုက်အလွှာများသည် SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်ရှိ ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများအတွက် သာလွန်ကောင်းမွန်သောကာကွယ်မှုပေးစွမ်းပြီး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ပေါင်းစပ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလိုအပ်သောပစ္စည်းများကို စီမံဆောင်ရွက်ပေးရန်အတွက်ဖြစ်သည်။ ရလဒ်မှာ ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးခြင်း၊ တုံ့ပြန်မှု stoichiometry ကို ထိန်းသိမ်းခြင်း၊ epitaxy နှင့် crystal growth applications များသို့ မသန့်ရှင်းသော ရွှေ့ပြောင်းခြင်းကို တားဆီးခြင်းဖြင့် အထွက်နှုန်းနှင့် အရည်အသွေးကို တိုးမြင့်စေပါသည်။


ကျွန်ုပ်တို့၏ တန်တလမ်ကာဗိုက် (TaC) အပေါ်ယံလွှာများသည် မြင့်မားသောအပူချိန် (2200°C အထိ) တွင် ပူပြင်းသော အမိုးနီးယား၊ ဟိုက်ဒရိုဂျင်၊ ဆီလီကွန်အငွေ့များနှင့် သွန်းသောသတ္တုများမှ ကာကွယ်ပေးသည်။ VeTek Semiconductor သည် သင့်စိတ်ကြိုက်လိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီရန် ဂရပ်ဖိုက်လုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် တိုင်းတာခြင်းစွမ်းရည်များစွာပါရှိသည်၊ ထို့ကြောင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ကျွမ်းကျင်အင်ဂျင်နီယာများအဖွဲ့သည် သင့်နှင့်သင့်သတ်မှတ်ထားသောလျှောက်လွှာအတွက် သင့်တော်သောဖြေရှင်းချက်ဒီဇိုင်းရေးဆွဲရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေသော အခကြေးငွေပေးဆောင်သည့် coating သို့မဟုတ် ဝန်ဆောင်မှုအပြည့်ပေးနိုင်ပါသည်။ .


ဒြပ်ပေါင်း semiconductor crystals

VeTek Semiconductor သည် အစိတ်အပိုင်းအမျိုးမျိုးနှင့် သယ်ဆောင်သူအတွက် အထူး TaC အပေါ်ယံပိုင်းကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည်။ VeTek Semiconductor ၏စက်မှုလုပ်ငန်းဦးဆောင်သော coating လုပ်ငန်းစဉ်အားဖြင့် TaC အပေါ်ယံပိုင်းသည် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု၊ မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှုနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာခံနိုင်ရည်မြင့်မားမှုကိုရရှိနိုင်သည်၊ သို့ဖြင့် crystal TaC/GaN) နှင့် EPl အလွှာများ၏ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးပြီး အရေးပါသောဓာတ်ပေါင်းဖိုအစိတ်အပိုင်းများ၏သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးနိုင်သည်။


အပူလျှပ်ကာများ

SiC၊ GaN နှင့် AlN သလင်းကျောက် ကြီးထွားမှု အစိတ်အပိုင်းများ ခံနိုင်ရည်ရှိအပူပေးသည့်ဒြပ်စင်များ၊ နော်ဇယ်များ၊ အကာအရံကွင်းများနှင့် ကြေးနန်းတပ်ဆင်ပစ္စည်းများ၊ GaN နှင့် SiC epitaxial CVD ဓာတ်ပေါင်းဖို အစိတ်အပိုင်းများ၊ ဂြိုလ်တုဗန်းများ၊ ရေချိုးခေါင်းများ၊ ဦးထုပ်များနှင့် ခြေနင်းများ၊ MOCVD အစိတ်အပိုင်းများ အပါအဝင် စက်မှုလုပ်ငန်းစုများ။


ရည်ရွယ်ချက်-

 ● LED(Light Emitting Diode) Wafer Carrier

● ALD(Semiconductor) လက်ခံသူ

● EPI Receptor (SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်)


CVD TaC coating planetary SiC epitaxial susceptor CVD TaC coating planetary SiC epitaxial susceptor TaC Coated Ring for SiC Epitaxial Reactor SiC Epitaxial ဓာတ်ပေါင်းဖိုအတွက် TaC Coated Ring TaC Coated Three-petal Ring TaC ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော ပန်းပွင့်သုံးပွင့်လက်စွပ် Tantalum Carbide Coated Halfmoon Part for LPE LPE အတွက် Tantalum Carbide Coated Halfmoon အပိုင်း


SiC Coating နှင့် TaC Coating တို့ကို နှိုင်းယှဉ်ခြင်း-

SiC TaC
အဓိကအင်္ဂါရပ်များ အလွန်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု၊ အလွန်ကောင်းမွန်သောပလာစမာခံနိုင်ရည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု (မြင့်မားသော အပူချိန် လုပ်ငန်းစဉ် ညီညွတ်မှု)
သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်း။ > 99.9999% > 99.9999%
သိပ်သည်းဆ (g/cm3) 3.21 15
မာကျောမှု (ကီလိုဂရမ်/မီလီမီတာ2) ၂၉၀၀-၃၃၀၀ ၆.၇-၇.၂
ခုခံနိုင်စွမ်း [Ωcm] 0.1-15,000 <၁
အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း (W/m-K) ၂၀၀-၃၆၀ 22
အပူချဲ့ထွင်ခြင်း၏ကိန်းဂဏန်း(၁၀)စာ-၆/℃) ၄.၅-၅ 6.3
လျှောက်လွှာ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာ ကြွေဂျစ် (အာရုံစူးစိုက်ကွင်း၊ ရေချိုးခန်းခေါင်း၊ Dummy Wafer) SiC Single crystal growth, Epi, UV LED Equipment အစိတ်အပိုင်းများ


ထုတ်ကုန်များ
View as  
 
Porous Tantalum Carbide (TaC) Coated Graphite လက်စွပ်

Porous Tantalum Carbide (TaC) Coated Graphite လက်စွပ်

VETEK Porous TaC Coated Graphite Ring သည် PVT (Physical Vapor Transport) လုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် SiC တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုအတွက် အင်ဂျင်နီယာချုပ်လုပ်ထားသော အပူစက်ကွင်းအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းကို CVD နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ သန့်စင်သော မြင့်မားသော porous graphite ဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားပြီး tantalum carbide (TaC) ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ ဒီဇိုင်းသည် မြင့်မားသော အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု၊ ဓာတုခံနိုင်ရည်နှင့် ထိန်းချုပ်ထားသည့် အပူစက်ကွင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပစ်မှတ်ထားသည်။ ညစ်ညမ်းမှုကို လျှော့ချပြီး လုပ်ငန်းစဉ် ညီညွတ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့်၊ ဤအစိတ်အပိုင်းသည် မျိုးပွားနိုင်သော SiC ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှုရလဒ်များကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
CVD Tantalum Carbide (TaC) Coated Susceptor

CVD Tantalum Carbide (TaC) Coated Susceptor

VETEK CVD TaC Coated Susceptor သည် အလွန်သန့်ရှင်းသော isostatic ဂရပ်ဖိုက်အလွှာတစ်ခုအား ထူထပ်သော CVD tantalum carbide (TaC) အပေါ်ယံပိုင်းဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားကာ အထူးအပူတည်ငြိမ်မှု၊ ချေးခံနိုင်ရည်နှင့် အမှုန်အမွှားများထုတ်လုပ်ရန် လိုအပ်သော semiconductor epitaxy ကို ပေးဆောင်ရန်။ SiC၊ GaN နှင့် AlN epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး ၎င်းသည် ညစ်ညမ်းမှုကို လျှော့ချပေးကာ wafer အပူချိန်တူညီမှုကို မြှင့်တင်ပေးပြီး အပူချိန်မြင့်သော MOCVD နှင့် CVD လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အစိတ်အပိုင်းဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးသည်။
TaC Coated Graphite Wafer အဖုံးကွင်း

TaC Coated Graphite Wafer အဖုံးကွင်း

VeTek Semiconductor သည် တရုတ်နိုင်ငံတွင် ပရော်ဖက်ရှင်နယ် TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring ထုတ်လုပ်သူနှင့် ပေးသွင်းသူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အဆင့်မြင့်ပြီး အကြမ်းခံသော TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring ကို ပေးရုံသာမက စိတ်ကြိုက်ဝန်ဆောင်မှုများကိုလည်း ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ရုံမှ TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring ကို ၀ ယ်ရန်ကြိုဆိုပါသည်။
CVD TaC Coated Susceptor

CVD TaC Coated Susceptor

Vetek CVD TaC Coated Susceptor သည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် MOCVD epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် အထူးထုတ်လုပ်ထားသော တိကျသောဖြေရှင်းချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် လွန်ကဲသောအပူချိန် 1600°C ရှိသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အားနည်းမှုကို ပြသသည်။ VETEK ၏ ခိုင်မာသော CVD အပ်နှံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို အားကိုး၍ ကျွန်ုပ်တို့သည် wafer ကြီးထွားမှုတူညီမှု၊ core အစိတ်အပိုင်းများ၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ရန်နှင့် သင်၏တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုတိုင်းအတွက် တည်ငြိမ်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော စွမ်းဆောင်ရည်အာမခံချက်များကို ပေးဆောင်ရန် ကျွန်ုပ်တို့ကတိပြုပါသည်။
porous tac coated graphite လက်စွပ်

porous tac coated graphite လက်စွပ်

Vetek မှထုတ်လုပ်သော TAC COUM COUMETEDATE လက်စွပ်သည်ပေါ့ပါးသော captite substrate ကို အသုံးပြု. မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်သောဓာတ်ငွေ့များနှင့်ပလာစမာတိုက်စားမှုကိုခံနိုင်ရည်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း,
CVD TAC သည် Petal Guide Guide Ring ကို coated

CVD TAC သည် Petal Guide Guide Ring ကို coated

Vetek Semiconductor သည်နှစ်ပေါင်းများစွာနည်းပညာဆိုင်ရာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုဆိုင်ရာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကိုကြုံတွေ့ခဲ့ရသည်။ CVD TAC သည် Petal Guide Guide Guide လက်စွပ်သုံးခုကို Petal Semiconductor ၏ရင့်ကျက်သော CVD TAC TAC နှင့်ဖုံးထားသည့်ထုတ်ကုန်များထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ Vetek Semiconductuctor ၏အကူအညီဖြင့်သင်၏ SIC Crystal ထုတ်လုပ်မှုသည်ချောမွေ့ပြီးပိုမိုထိရောက်လိမ့်မည်ဟုကျွန်ုပ်ယုံကြည်သည်။
တရုတ်နိုင်ငံရှိ ပရော်ဖက်ရှင်နယ် SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ် ထုတ်လုပ်သူနှင့် ပေးသွင်းသူအနေဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့တွင် ကျွန်ုပ်တို့၏ ကိုယ်ပိုင်စက်ရုံရှိသည်။ သင့်ဒေသ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရန် စိတ်ကြိုက်ဝန်ဆောင်မှုများ လိုအပ်သည်ဖြစ်စေ သို့မဟုတ် တရုတ်နိုင်ငံမှ ထုတ်လုပ်သော အဆင့်မြင့်ပြီး တာရှည်ခံသည့် SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ် ကို ဝယ်ယူလိုပါက ကျွန်ုပ်တို့ထံ မက်ဆေ့ချ် ထားခဲ့နိုင်ပါသည်။
X
သင့်အား ပိုမိုကောင်းမွန်သောကြည့်ရှုမှုအတွေ့အကြုံကို ပေးဆောင်ရန်၊ ဆိုက်အသွားအလာကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာပြီး အကြောင်းအရာကို ပုဂ္ဂိုလ်ရေးသီးသန့်ပြုလုပ်ရန် ကျွန်ုပ်တို့သည် ကွတ်ကီးများကို အသုံးပြုပါသည်။ ဤဆိုက်ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ cookies အသုံးပြုမှုကို သင်သဘောတူပါသည်။ကိုယ်ရေးအချက်အလက်မူဝါဒ
ငြင်းပယ်ပါ။လက်ခံပါတယ်။