QR ကုဒ်

ကြှနျုပျတို့အကွောငျး
ထုတ်ကုန်များ
ကြှနျုပျတို့ကိုဆကျသှယျရနျ
ဖက်စ်
+86-579-87223657
အီးမေး
လိပ်စာ
Wangda လမ်း၊ Ziyang လမ်း၊ Wuyi ကောင်တီ၊ Jinhua မြို့၊ Zhejiang ပြည်နယ်၊ တရုတ်နိုင်ငံ
VeTek Semiconductor ၏ထူးခြားသောကာဗိုက်အလွှာများသည် SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်ရှိ ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများအတွက် သာလွန်ကောင်းမွန်သောကာကွယ်မှုပေးစွမ်းပြီး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ပေါင်းစပ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလိုအပ်သောပစ္စည်းများကို စီမံဆောင်ရွက်ပေးရန်အတွက်ဖြစ်သည်။ ရလဒ်မှာ ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးခြင်း၊ တုံ့ပြန်မှု stoichiometry ကို ထိန်းသိမ်းခြင်း၊ epitaxy နှင့် crystal growth applications များသို့ မသန့်ရှင်းသော ရွှေ့ပြောင်းခြင်းကို တားဆီးခြင်းဖြင့် အထွက်နှုန်းနှင့် အရည်အသွေးကို တိုးမြင့်စေပါသည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ တန်တလမ်ကာဗိုက် (TaC) အပေါ်ယံလွှာများသည် မြင့်မားသောအပူချိန် (2200°C အထိ) တွင် ပူပြင်းသော အမိုးနီးယား၊ ဟိုက်ဒရိုဂျင်၊ ဆီလီကွန်အငွေ့များနှင့် သွန်းသောသတ္တုများမှ ကာကွယ်ပေးသည်။ VeTek Semiconductor သည် သင့်စိတ်ကြိုက်လိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီရန် ဂရပ်ဖိုက်လုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် တိုင်းတာခြင်းစွမ်းရည်များစွာပါရှိသည်၊ ထို့ကြောင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ကျွမ်းကျင်အင်ဂျင်နီယာများအဖွဲ့သည် သင့်နှင့်သင့်သတ်မှတ်ထားသောလျှောက်လွှာအတွက် သင့်တော်သောဖြေရှင်းချက်ဒီဇိုင်းရေးဆွဲရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေသော အခကြေးငွေပေးဆောင်သည့် coating သို့မဟုတ် ဝန်ဆောင်မှုအပြည့်ပေးနိုင်ပါသည်။ .
VeTek Semiconductor သည် အစိတ်အပိုင်းအမျိုးမျိုးနှင့် သယ်ဆောင်သူအတွက် အထူး TaC အပေါ်ယံပိုင်းကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည်။ VeTek Semiconductor ၏စက်မှုလုပ်ငန်းဦးဆောင်သော coating လုပ်ငန်းစဉ်အားဖြင့် TaC အပေါ်ယံပိုင်းသည် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု၊ မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှုနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာခံနိုင်ရည်မြင့်မားမှုကိုရရှိနိုင်သည်၊ သို့ဖြင့် crystal TaC/GaN) နှင့် EPl အလွှာများ၏ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးပြီး အရေးပါသောဓာတ်ပေါင်းဖိုအစိတ်အပိုင်းများ၏သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးနိုင်သည်။
SiC၊ GaN နှင့် AlN သလင်းကျောက် ကြီးထွားမှု အစိတ်အပိုင်းများ ခံနိုင်ရည်ရှိအပူပေးသည့်ဒြပ်စင်များ၊ နော်ဇယ်များ၊ အကာအရံကွင်းများနှင့် ကြေးနန်းတပ်ဆင်ပစ္စည်းများ၊ GaN နှင့် SiC epitaxial CVD ဓာတ်ပေါင်းဖို အစိတ်အပိုင်းများ၊ ဂြိုလ်တုဗန်းများ၊ ရေချိုးခေါင်းများ၊ ဦးထုပ်များနှင့် ခြေနင်းများ၊ MOCVD အစိတ်အပိုင်းများ အပါအဝင် စက်မှုလုပ်ငန်းစုများ။
● LED(Light Emitting Diode) Wafer Carrier
● ALD(Semiconductor) လက်ခံသူ
● EPI Receptor (SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်)
CVD TaC coating planetary SiC epitaxial susceptor
SiC Epitaxial ဓာတ်ပေါင်းဖိုအတွက် TaC Coated Ring
TaC ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော ပန်းပွင့်သုံးပွင့်လက်စွပ်
LPE အတွက် Tantalum Carbide Coated Halfmoon အပိုင်း
SiC | TaC | |
အဓိကအင်္ဂါရပ်များ | အလွန်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု၊ အလွန်ကောင်းမွန်သောပလာစမာခံနိုင်ရည် | အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု (မြင့်မားသော အပူချိန် လုပ်ငန်းစဉ် ညီညွတ်မှု) |
သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်း။ | > 99.9999% | > 99.9999% |
သိပ်သည်းဆ (g/cm3) | 3.21 | 15 |
မာကျောမှု (ကီလိုဂရမ်/မီလီမီတာ2) | ၂၉၀၀-၃၃၀၀ | ၆.၇-၇.၂ |
ခုခံနိုင်စွမ်း [Ωcm] | 0.1-15,000 | <၁ |
အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း (W/m-K) | ၂၀၀-၃၆၀ | 22 |
အပူချဲ့ထွင်ခြင်း၏ကိန်းဂဏန်း(၁၀)စာ-၆/℃) | ၄.၅-၅ | 6.3 |
လျှောက်လွှာ | တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာ ကြွေဂျစ် (အာရုံစူးစိုက်ကွင်း၊ ရေချိုးခန်းခေါင်း၊ Dummy Wafer) | SiC Single crystal growth, Epi, UV LED Equipment အစိတ်အပိုင်းများ |
+86-579-87223657
Wangda လမ်း၊ Ziyang လမ်း၊ Wuyi ကောင်တီ၊ Jinhua မြို့၊ Zhejiang ပြည်နယ်၊ တရုတ်နိုင်ငံ
မူပိုင်ခွင့် © 2024 VeTek Semiconductor Technology Co., Ltd All Rights Reserved.
Links | Sitemap | RSS | XML | Privacy Policy |