CVD Silicon Carbide Coating ကို Graphite တွင် မည်သို့ထည့်သွင်းထားသနည်း။

A CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အပေါ်ယံပိုင်းအပူပေးထားသော ဂရပ်ဖိုက် အစိတ်အပိုင်းကို ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်သည့် ဓာတ်ပေါင်းဖိုအတွင်းတွင် ထိန်းချုပ်ထားသော ရှေ့ပြေးဓာတ်ငွေ့များ ထုတ်လွှတ်ခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ဓာတ်ပြုသောမျိုးစိတ်များသည် SiC nucleates နှင့် သိပ်သည်းသော polycrystalline အလွှာသို့ ပေါက်ရောက်သည့် ဂရပ်ဖိုက်မျက်နှာပြင်သို့ ရောက်ရှိသည်။ semiconductor susceptors နှင့် wafer carriers များအတွက်၊ အောင်မြင်သော အပ်နှံမှုသည် ဂရပ်ဖိုက် သန့်ရှင်းမှု၊ မျက်နှာပြင်ပြင်ဆင်မှု၊ အပူချိန်၊ ဖိအား၊ ဓာတ်ငွေ့ ဓာတုဗေဒ၊ အစုလိုက်အပြုံလိုက် လွှဲပြောင်းမှု၊ ဂျီသြမေတြီနှင့် အပူ-ချဲ့ထွင်မှုတို့အပေါ် မူတည်ပါသည်။

ရည်ရွယ်ချက်မှာ ဂရပ်ဖိုက်ကို “ဖုံးအုပ်ရန်” သက်သက်မဟုတ်ဘဲ ထိန်းချုပ်ထားသော အထူ၊ ကြမ်းတမ်းမှု၊ stoichiometry နှင့် မျက်နှာပြင် သမာဓိရှိမှုတို့ဖြင့် သန့်စင်သော မြင့်မားသော လုပ်ငန်းစဉ်မျက်နှာပြင်ကို ဖန်တီးရန်ဖြစ်သည်။

1. Graphite Substrate မှ CVD-Ready Surface သို့

လုပ်ငန်းစဉ်သည် အလွှာရွေးချယ်ခြင်း၊ စက်နှင့် သန့်စင်ခြင်းတို့ဖြင့် စတင်သည်။သန့်စင်မှုမြင့်မားသော isostatic ဂရက်ဖိုက်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ၊ အပူပိုင်းတည်ငြိမ်မှုနှင့် အတော်လေးတူညီသော microstructure ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် အသုံးများသည်။

အဓိကအလွှာများတွင် သန့်ရှင်းခြင်း၊ သိပ်သည်းဆ၊ ချွေးပေါက်များ၊ စပါးဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အပူချဲ့ခြင်း (CTE) တို့ပါဝင်ပါသည်။ susceptors နှင့် wafer carriers များအတွက်၊ machining accuracy သည် ထပ်တူထပ်မျှ အရေးကြီးသောကြောင့် pocket depth, flatness, edge geometry နှင့် wall thickness သည် gas flow နှင့် final thermal အပြုအမူကို ထိခိုက်စေနိုင်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။

ရိုးရှင်းသော sequence သည်-

Graphite Selection → Precision Machining → Purification → Surface Preparation → CVD Deposition → စစ်ဆေးခြင်း

စွန့်ပစ်ခြင်းမပြုမီ၊ မျက်နှာပြင်သည် သန့်ရှင်းပြီး nucleation အတွက် သင့်လျော်မှုရှိရမည်။ ညစ်ညမ်းမှု၊ ဖြုန်းတီးနေသော အမှုန်အမွှားများ သို့မဟုတ် မျက်နှာပြင်ပျက်စီးမှုသည် အစောပိုင်း SiC ကြီးထွားမှုကို နှောင့်ယှက်နိုင်ပြီး နောက်ပိုင်းတွင် အားနည်းသော ဒေသများ၊ အပေါက်များ သို့မဟုတ် တူညီမှုမရှိသော နေရာများ ဖြစ်လာနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် မြေအောက်မြေသားပြင်ဆင်ခြင်းနှင့် အပေါ်ယံအလွှာ အပ်နှံခြင်းကို ပေါင်းစပ်လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုအဖြစ် သဘောထားသင့်သည်။

2. CVD ဓာတ်ပေါင်းဖိုရှိ SiC ပုံစံများ

ကျယ်ပြန့်စွာလေ့လာထားသော လမ်းကြောင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။မီသိုင်းထရီကလိုရိုဆီလိန်း (MTS၊ CH3SiCl3)အရင်းအမြစ်တစ်ခုတည်းအဖြစ် ဆီလီကွန်နှင့် ကာဗွန်ရှေ့ပြေးအဖြစ်၊ ဟိုက်ဒရိုဂျင်နှင့် မကြာခဏ အာဂွန်ဓာတ်ငွေ့စနစ်ပါရှိသည်။ မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် MTS သည် ဓာတ်ငွေ့အဆင့်နှင့် မျက်နှာပြင်တုံ့ပြန်မှုများမှတစ်ဆင့် ပြိုကွဲသည်။ ဓာတ်ပြုသောမျိုးစိတ်များကို နယ်နိမိတ်အလွှာမှတဆင့် သယ်ယူကာ ပူပြင်းသော ဂရပ်ဖိုက်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပ်ယူကာ ဓာတ်ပြုကာ အစိုင်အခဲ SiC အသွင်သဏ္ဍန်ဖြင့် မတည်ငြိမ်သော ရလဒ်များကို ဖယ်ရှားသည်။

အပ်နှံမှုအပိုင်းကို ရိုးရှင်းအောင်ပြုလုပ်နိုင်သည်-

ရှေ့ပြေးပစ္စည်းများ ပို့ဆောင်ခြင်း → ဓာတ်ငွေ့ ပို့ဆောင်ခြင်း → နယ်နိမိတ်အလွှာ ပျံ့နှံ့မှု → မျက်နှာပြင် စုပ်ယူမှု → နူကလိယ → စပါးကြီးထွားမှု

လုပ်ငန်းသုံး CVD SiC သည် ဂရပ်ဖိုက်ပေါ်တွင် အစစ်ခံခြင်းအကြောင်းကို အထက်တွင်ဖော်ပြလေ့ရှိသည်။1,200°C; SGL Carbon သည် ပုံမှန်အကွာအဝေးကို အစီရင်ခံသည်။1,200–1,300°C၎င်း၏လုပ်ငန်းစဉ်အတွက်။

A 2026သိပ္ပံနည်းကျအစီရင်ခံစာများMTS-H2 စနစ်သုံးပြီး ဆန်းစစ်လေ့လာပါ။1,100–1,350°Cအကူးအပြောင်းကာလကို ဖော်ထုတ်နိုင်ခဲ့သည်။1,180°Cပိုမိုအားကောင်းသော မျက်နှာပြင်တုံ့ပြန်မှု ထိန်းချုပ်မှုနှင့် သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနှင့် ပျံ့နှံ့မှုတို့ ပိုမိုအရေးပါလာသည့် အုပ်ချုပ်မှုအကြား။

အပူချိန်နိမ့်ချိန်တွင်၊ မျက်နှာပြင်-တုံ့ပြန်မှု kinetics သည် အစစ်ခံခြင်းကို ကန့်သတ်နိုင်သည်။ အပူချိန်တက်လာသည်နှင့်အမျှ ရှေ့ပြေးအမှုန်အမွှားများ အရှိန်တက်လာသည်။ မျက်နှာပြင်တုံ့ပြန်မှု လုံလောက်စွာ မြန်ဆန်လာသည်နှင့်အမျှ ဓာတ်ပြုနိုင်သောမျိုးစိတ်များကို ဓာတ်ငွေ့နယ်နိမိတ်အလွှာမှတဆင့် ပို့ဆောင်ခြင်းသည် ပို၍အရေးကြီးလာသည်။

ရှုပ်ထွေးသော susceptors များအတွက်၊ coating uniformity သည် afluid-dynamics ပြဿနာ.

3. ကြီးထွားမှု၊ အထူနှင့် တူညီမှုကို အဘယ်အရာက ထိန်းချုပ်သနည်း။

CVD SiC အရည်အသွေးကို "အကောင်းဆုံး" အပူချိန်တစ်ခုမှမဟုတ်ဘဲ ပေါင်းစပ်ကိန်းရှင်များစွာဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။

အပူချိန်သည် ရုပ်ပုံသဏ္ဍာန်ကို ပြင်းထန်စွာ သက်ရောက်မှုရှိသည်။ 2026 လေ့လာမှုတွင် အစစ်ခံရန် နီးပါသည်။1,200°Cပြင်းထန်သော၊ ကောင်းစွာသတ်မှတ်ထားသော beta-SiC အစေ့အဆန်များကို စမ်းသပ်ထားသည့်အခြေအနေများအောက်တွင် ထုတ်လုပ်ထားပြီး အပူချိန်လွန်ကဲပါက ကြမ်းသောဖွဲ့စည်းပုံများကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

ဓာတ်ငွေ့ဖွဲ့စည်းမှုသည် ထပ်တူထပ်မျှ အရေးကြီးပါသည်။ MTS-H2 စနစ်တွင်၊ ဟိုက်ဒရိုဂျင်မှ MTS အချိုးသည် ကာဗွန်-နှင့် ဆီလီကွန်ပါဝင်သော တုံ့ပြန်မှုလမ်းကြောင်းများကို ပြောင်းလဲစေသည်။ ကိုးကားထားသောလေ့လာမှုသည် near-stoichiometric Si/C ကိုရရှိခဲ့သည်။H2/MTS အံသွားအချိုး 10 ဝန်းကျင်၎င်း၏အခြေအနေများအောက်တွင်; ဤအချက်ကို သုတေသန စံနမူနာတစ်ခုအဖြစ် သဘောထားသင့်သည်၊ universal industrial recipe မဟုတ်ပါ။

ဖိအားနှင့် ဓာတ်ငွေ့အလျင်သည် ဓာတ်ပြုသောမျိုးစိတ်များ၏ ရှုပ်ထွေးသောအသွင်အပြင်သို့ ရောက်ရှိပုံအပေါ် လွှမ်းမိုးမှုရှိသည်။ ချွန်ထက်သောထောင့်များ၊ နက်ရှိုင်းသောအိတ်ကပ်များ၊ grooves များနှင့် အကာအကွယ်ရှိသော မျက်နှာပြင်များသည် မတူညီသော ဒေသန္တရနယ်နိမိတ်အလွှာဆိုင်ရာ အခြေအနေများ ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် ကူပွန်ပြားပေါ်ရှိ အပေါ်ယံညီတူညီမျှသည် အိတ်ကပ်အစုံလိုက်ဆက်ခံကိရိယာတွင် တူညီသောပုံစံမဟုတ်သော ဖြစ်သွားနိုင်ပါသည်။

ဒါက ဘာကြောင့်လဲ။CFD နှင့် reactor-flow optimizationရှုပ်ထွေးသော semiconductor အစိတ်အပိုင်းများအတွက် အသုံးဝင်သည်။

4. SiC/Graphite Interface သည် အဘယ်ကြောင့် အရေးကြီးသနည်း။

SiC/graphite interface သည် coating တစ်သက်တာအတွက် အဓိကကျသောအချက်ဖြစ်သည်။

SiC သည် မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် စုပုံနေပြီး နောက်ပိုင်းတွင် အစိတ်အပိုင်းသည် epitaxy သို့မဟုတ် MOCVD အတွင်း ထပ်ခါတလဲလဲ အပူပေးကာ အအေးခံခြင်းကို ခံစားရပါသည်။ ဂရပ်ဖိုက်နှင့် SiC သည် ထပ်တူထပ်မျှ မချဲ့ထွင်သောကြောင့်၊ အအေးခံခြင်းနှင့် စက်ဘီးစီးနေစဉ်အတွင်း အပူဓာတ် ဖြစ်ပေါ်လာသည်။

ရိုးရှင်းသော ကျရှုံးမှုလမ်းကြောင်းမှာ-

CTE Mismatch + Residual Stress → Microcrack → Delamination → Particles/Exposed Graphite

ထို့ကြောင့် ကောင်းမွန်သော coating design သည် သင့်လျော်သော အပူ-ချဲ့ခြင်းအပြုအမူ၊ ထိန်းချုပ်ထားသော မျက်နှာပြင်အခြေအနေနှင့် အလွန်အကျွံဖိစီးမှုကို ရှောင်ရှားနိုင်သော ဂရပ်ဖိုက်အဆင့် လိုအပ်ပါသည်။

A 2026ကြွေတကာဂရပ်ဖိုက်ပေါ်ရှိ CVD SiC ကို ဆန်းစစ်လေ့လာမှုတွင် အပ်နှံမှုအပူချိန်သည် အပေါ်ယံသေးငယ်သောဖွဲ့စည်းပုံနှင့် မျက်နှာပြင်ကြား တွယ်ဆက်မှုကို လွှမ်းမိုးကြောင်း ပြသခဲ့သည်။

အထူလည်း အရေးကြီးတယ်။ ပိုထူသောအလွှာသည် အကာအကွယ်အတားအဆီးကို တိုးလာစေသော်လည်း ၎င်းသည် အစိတ်အပိုင်းအတိုင်းအတာများကို ပြောင်းလဲစေပြီး စုဆောင်းထားသောဖိအားကို တိုးစေနိုင်သည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ အစိတ်အပိုင်းများအတွက်၊ ထို့ကြောင့် အပေါ်ယံအထူကို ဂျီသြမေတြီ၊ ပြားချပ်ချပ်၊ မျက်နှာပြင် ပြီးစီးမှုနှင့် မျှော်လင့်ထားသည့် အပူစက်ဝန်းများနှင့်အတူ ထည့်သွင်းစဉ်းစားရပါမည်။

5. အဖြစ်များသော CVD SiC ချို့ယွင်းချက်များနှင့် ၎င်းတို့၏ လုပ်ငန်းစဉ်အစများ

အပေါ်ယံ ချို့ယွင်းချက်များသည် မြင်နိုင်သော လက္ခဏာကို ၎င်း၏ကြီးထွားမှု ယန္တရားနှင့် ချိတ်ဆက်ခြင်းဖြင့် အကောင်းဆုံး နားလည်သည်။

ခြေလှမ်းများ၊ ထောင့်များ၊ မျက်စိကန်းသောနေရာများနှင့် wafer အိတ်ကပ်များသည် ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုကို နှောင့်ယှက်နိုင်သည်။ အကာအရံရှိသော ဒေသသို့ မရောက်ရှိမီ ဓာတ်ပြုမှုမျိုးစိတ်များ ကုန်ခမ်းသွားပါက၊ ဒေသထွက်ပေါက်နှုန်း ကျဆင်းသွားနိုင်သည်။ အပြန်အလှန်အားဖြင့်၊ ဒေသအလိုက် မြင့်မားသော supersaturation သည် ကြမ်းတမ်းသော သို့မဟုတ် ချို့ယွင်းမှုဖြစ်လေ့ရှိသော ကြီးထွားမှုကို အားပေးနိုင်သည်။

ရည်ရွယ်ချက်က အမြင့်ဆုံး အစစ်ခံနှုန်း မဟုတ်ပါဘူး။ Semiconductor coating တို့တွင် ဟန်ချက်ညီရန် လိုအပ်သည်။သိပ်သည်းဆ၊ သန့်ရှင်းမှု၊ stoichiometry၊ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု၊ အထူတူညီမှုနှင့် အင်တာဖေ့စ်ခိုင်မာမှု.

တူညီသောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုတွင် မတူညီသောဒေသတွင်းစီးဆင်းမှုအခြေအနေများတည်ရှိနိုင်သည့် multi-pocket MOCVD သယ်ဆောင်သူများနှင့် epitaxy susceptors များအတွက် အထူးအရေးကြီးပါသည်။

6. CVD Coating မှ Semiconductor-Grade Component သို့

အစစ်ခံပြီးနောက်၊ အပေါ်ယံပိုင်းကို သီးခြားပစ္စည်းအဖြစ်မဟုတ်ဘဲ အချောထည်အစိတ်အပိုင်းအဖြစ် အကဲဖြတ်သင့်ပါတယ်။

လျှောက်လွှာပေါ် မူတည်၍ အရည်အချင်းများ ပါဝင်နိုင်သည်-

l Dအံ့မခန်းစစ်ဆေးခြင်းနှင့် ချောမွေ့ခြင်း၊

l Coating အထူနှင့်အထူတူညီမှု;

l Sမျက်နှာ ကြမ်းတမ်းခြင်း၊

l Mအက်ကြောင်းများ၊ အပေါက်များ သို့မဟုတ် ပုံမှန်မဟုတ်သော အစေ့အဆန်များ အတွက် အိုင်ခရိုစကုပ်၊

l Phase သို့မဟုတ် microstructure ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာ;

l Pဆီးစစ်ခြင်း ၊

l Tလူမျိုးရေးစွမ်းရည်နှင့် စစ်ဆေးရေးစာရွက်စာတမ်း။

epitaxy နှင့် MOCVD အတွက်၊ coating သည် စစ်မှန်သော လုပ်ငန်းစဉ်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ရှင်သန်နေရပါမည်။ အစစ်ခံပြီးပြီးချင်း လက်ခံနိုင်ပုံပေါ်သော အပေါ်ယံအလွှာသည် ထပ်ခါတလဲလဲ အပူသံသရာ၊ ပြင်းထန်သော သန့်စင်မှု ဓာတုဗေဒ သို့မဟုတ် ဒေသအလိုက် ပြုပြင်ထားသော ဓာတ်ပေါင်းဖိုအခြေအနေများအောက်တွင် ပျက်စီးသွားနိုင်ပါသည်။

ထို့ကြောင့် အင်ဂျင်နီယာကွင်းဆက်ကို အောက်ပါအတိုင်း အကျဉ်းချုံးနိုင်သည်။

CVD ချက်ပြုတ်နည်း → အပေါ်ယံဖွဲ့စည်းပုံ → မျက်နှာပြင် အရည်အသွေး → အစိတ်အပိုင်း ဂျီသြမေတြီ → အပူ/ဓာတု တည်ငြိမ်မှု → Wafer လုပ်ငန်းစဉ် စွမ်းဆောင်ရည်

ဤဆက်နွယ်မှုသည် CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို အသုံးပြု၍ အဘယ်ကြောင့် သတ်မှတ်သင့်သည်ကို ရှင်းပြသည်။nominal coating thickness တစ်ခုတည်းမဟုတ်ဘဲ performance-relevant parameters များ.

susceptor သို့မဟုတ် wafer carrier တစ်ခုအတွက်၊ coating quality သည် တည်ငြိမ်သောအပူအပြုအမူ၊ ညစ်ညမ်းမှုနည်းပြီး ထပ်တလဲလဲနိုင်သော semiconductor processing ကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် ဂရပ်ဖိုက်အရည်အသွေး၊ တိကျသောစက်ပစ္စည်းနှင့် အစိတ်အပိုင်းဂျီသြမေတြီတို့နှင့် ပေါင်းစပ်လုပ်ဆောင်ရမည်ဖြစ်သည်။

FAQ / RFQ

1. ဂရပ်ဖိုက်ပေါ်တွင် CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းအတွက် အသုံးများသော ရှေ့ပြေးမည်သည် အဘယ်နည်း။
Methyltrichlorosilane (MTS) သည် ဆီလီကွန်နှင့် ကာဗွန် နှစ်မျိုးလုံးပါ၀င်သောကြောင့် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် လေ့လာခဲ့သည်။ အမှန်တကယ် ထုတ်လုပ်မှု ဓာတုဗေဒနှင့် ထုတ်ယူမှု ချက်ပြုတ်နည်းများသည် ထုတ်လုပ်သူ၊ ဓာတ်ပေါင်းဖိုနှင့် အသုံးချမှုအလိုက် ကွဲပြားသည်။

2. ဂရပ်ဖိုက်တွင် CVD SiC ကို အပ်နှံရန် မည်သည့်အပူချိန်ကို အသုံးပြုသနည်း။
ကုန်သွယ်မှုနှင့် သုတေသန လုပ်ငန်းစဉ်များသည် အများအားဖြင့် 1,200°C အထက်တွင် လုပ်ဆောင်လေ့ရှိသော်လည်း အကောင်းဆုံးအပူချိန်သည် ဓာတ်ပေါင်းဖိုဒီဇိုင်း၊ ဖိအား၊ ရှေ့ပြေးဓာတုဗေဒ၊ ဂရပ်ဖိုက်အဆင့်နှင့် လိုအပ်သော အပေါ်ယံဖွဲ့စည်းပုံအပေါ် မူတည်ပါသည်။

3. SiC coating thickness တူညီမှုကို မည်သည့်အရာက ထိန်းချုပ်သနည်း။
ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှု၊ ဖိအား၊ အစိတ်အပိုင်း ဂျီသြမေတြီ၊ အပ်နှံချိန်၊ အပူချိန် ဖြန့်ဖြူးမှုနှင့် ရှေ့ပြေးနိမိတ်သည် အရာဝတ္ထုအားလုံးကို ပို့ဆောင်သည်။ နက်ရှိုင်းသောအိတ်ကပ်များ၊ ထောင့်များနှင့် အကာအရံများဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော မျက်နှာပြင်များသည် ဒေသတွင်း အစုလိုက်အပြုံလိုက် လွှဲပြောင်းမှုအခြေအနေများအတွက် အထူးသတိထားသင့်ပါသည်။

4. CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် အဘယ်ကြောင့် ကွဲအက်နိုင်သနည်း
ပုံမှန်ပါဝင်သူများတွင် ကျန်ရှိသောဖိစီးမှု၊ ဂရပ်ဖိုက်/SiC CTE မကိုက်ညီမှု၊ လုံလောက်သော မျက်နှာပြင်ပြင်ဆင်မှု၊ သေးငယ်သောဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာချွတ်ယွင်းချက်များနှင့် ထပ်ခါတလဲလဲ အပူစက်ဘီးစီးခြင်းများ ပါဝင်သည်။

5. CVD SiC coating RFQ အတွက် မည်သည့်အချက်အလက်ကို ပေးသင့်သနည်း။
2D ပုံဆွဲခြင်း သို့မဟုတ် 3D မော်ဒယ်၊ အစိတ်အပိုင်းလုပ်ဆောင်ချက်၊ ဓာတ်ပေါင်းဖိုမော်ဒယ်၊ လုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများ၊ ဂရပ်ဖိုက်လိုအပ်ချက်၊ အပေါ်ယံပိုင်းအထူ၊ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု၊ အတိုင်းအတာ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ စစ်ဆေးရေးလိုအပ်ချက်များနှင့် လိုအပ်သော ပမာဏတို့ကို ပေးဆောင်ပါ။

ကိုးကား

1. SGL ကာဗွန်။SIGRAFINE® SiC အပေါ်ယံပိုင်း - CVD SiC သည် isostatic graphite၊ coating temperature နှင့် thermal-expansion ကိုက်ညီမှုအပေါ် အပ်နှံမှု။

2. Huo, Y. et al.ဂရပ်ဖိုက်အလွှာပေါ်ရှိ CVD-SiC အပေါ်ယံပိုင်းရှိ လုပ်ငန်းစဉ်-ဖွဲ့စည်းပုံ-ပိုင်ဆိုင်မှုဆက်စပ်မှုကို လေ့လာခြင်း။ သိပ္ပံနည်းကျအစီရင်ခံစာများထယ်၊ ၁၆၊ အပိုဒ် ၄၁၅၀၊ ၂၀၂၆။

3. Ma, Q. et al.ဂရပ်ဖိုက်အလွှာများပေါ်ရှိ CVD-SiC အပေါ်ယံအလွှာများ၏ မျက်နှာစာတွင် ကပ်ငြိခြင်း- အသေးစားဖွဲ့စည်းပုံနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများတွင် အပူချိန်၏ အခန်းကဏ္ဍ။ ကြွေတကာထယ်၊ ၅၂၊ ၂၀၂၆။

4. Zhu, D., Hing, P., Brown, P., Sahai, Y.ဂရပ်ဖိုက်ပေါ်တွင် စိုက်ပျိုးထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများ၏ လက္ခဏာရပ်များကို ဓာတုအခိုးအငွေ့များ စုပုံလာစေသည်။ Journal of Materials Processing Technologyထယ်၊ ၄၈၊ ၁၉၉၅။