Wafer Substrate သည် semiconductor တစ်ခုတည်းသော crystal material ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော wafer ဖြစ်သည်။ အလွှာသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန် wafer ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် တိုက်ရိုက်ဝင်ရောက်နိုင်သည်၊ သို့မဟုတ် epitaxial wafers များထုတ်လုပ်ရန်အတွက် epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့်လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။
Wafer Substrate သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ကိရိယာများ ၏ အခြေခံ ပံ့ပိုးမှု တည်ဆောက်ပုံ အနေဖြင့် စက်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် တည်ငြိမ်မှုကို တိုက်ရိုက် သက်ရောက်ပါသည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် "အခြေခံ" အနေဖြင့်၊ ပါးလွှာသောဖလင်ကြီးထွားမှုနှင့် lithography ကဲ့သို့သော ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များ ဆက်တိုက်လုပ်ဆောင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။
အလွှာအမျိုးအစားများ အကျဉ်းချုပ်
- တစ်ခုတည်းသော crystal silicon wafer- ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ (ICs)၊ မိုက်ခရိုပရိုဆက်ဆာများ၊ မှတ်ဉာဏ်များ၊ MEMS စက်များ၊ ပါဝါကိရိယာများ စသည်ဖြင့်၊
- SOI အလွှာ- ကြိမ်နှုန်းမြင့် analog နှင့် ဒစ်ဂျစ်တယ်ဆားကစ်များ၊ RF စက်များနှင့် ပါဝါစီမံခန့်ခွဲရေး ချစ်ပ်များကဲ့သို့သော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်၊ ပါဝါနည်းသော ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များအတွက် အသုံးပြုသည်။
- ဒြပ်ပေါင်း တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အလွှာများ- Gallium arsenide အလွှာ (GaAs)၊ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်နှင့် မီလီမီတာ လှိုင်း ဆက်သွယ်ရေး ကိရိယာများ စသည်တို့။ Gallium nitride အလွှာ (GaN): RF ပါဝါ အသံချဲ့စက်၊ HEMT၊ စသည်တို့အတွက် အသုံးပြုသည်။ ဆီလီကွန်ကာဘိုင် အလွှာ (SiC)- လျှပ်စစ်ကားများ၊ ပါဝါပြောင်းစက်များနှင့် အခြား ပါဝါဓာတ်အား ကိရိယာများအတွက် အသုံးပြုသော Indium phosde၊ စသည်တို့ကို;
- နီလာအလွှာ- LED ထုတ်လုပ်မှု၊ RFIC (ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းပေါင်းစပ်ပတ်လမ်း) စသည်တို့အတွက် အသုံးပြုသည်။
Vetek Semiconductor သည် တရုတ်နိုင်ငံရှိ ပရော်ဖက်ရှင်နယ် SiC အလွှာနှင့် SOI အလွှာရောင်းချသူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ 4H တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာအမျိုးအစား SiC အလွှာနှင့် 4H Semi Insulating အမျိုးအစား SiC အလွှာကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သည့်စက်ပစ္စည်းများ၏ အဓိကအစိတ်အပိုင်းများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။
Vetek Semiconductor သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းအတွက် အဆင့်မြင့်နှင့် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သော Wafer Substrate ထုတ်ကုန်များနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ ဖြေရှင်းချက်အမျိုးမျိုးကို ပေးအပ်ရန် ကတိပြုပါသည်။ တရုတ်နိုင်ငံတွင် သင်၏ ပေးသွင်းသူ ဖြစ်လာရန် ကျွန်ုပ်တို့ စိတ်ရင်းမှန်ဖြင့် စောင့်မျှော်နေပါသည်။
အဓိကအင်္ဂါရပ်များ
- ပါဝါ၊ RF နှင့် အဆင့်မြင့် IC အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် ကျွမ်းကျင်သော SiC အလွှာ (4H N-type & semi- insulating) နှင့် SOI အလွှာများ။
- ဆီလီကွန်၊ ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း (SiC၊ GaN၊ GaAs၊ InP)၊ နီလာနှင့် အထူးပြု wafers (PZT၊ SiN၊ dummy wafers) တို့ကို ဖုံးအုပ်ထားသော ကျယ်ပြန့်သော အလွှာစုစု။
- မြင့်မားသော ပစ္စည်းအရည်အသွေးနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ဆိုင်ရာ ကိုက်ညီမှုရှိသော epitaxial ကြီးထွားမှု၊ စက်ပစ္စည်းဖန်တီးမှုနှင့် စက်ပစ္စည်းလုပ်ငန်းစဉ်ထိန်းချုပ်မှုအတွက် သင့်လျော်သည်။
- ကွဲပြားခြားနားသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်ခြင်းဆိုင်ရာ လိုအပ်ချက်များနှင့် အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေသော စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သော သတ်မှတ်ချက်များနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ ဖြေရှင်းချက်များ။
- ပါဝါစက်ပစ္စည်းများ၊ MEMS၊ LED၊ RF နှင့် အပူပေးကိရိယာများအတွက် အသုံးချအင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ ပံ့ပိုးမှုဖြင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော တရုတ်နိုင်ငံအခြေစိုက် ထောက်ပံ့မှု။
ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစားများ
- SiC အလွှာများ- 4H N-type နှင့် ပါဝါကိရိယာများနှင့် RF အက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် SiC wafers များ
- SOI အလွှာများ-စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော၊ ပါဝါနိမ့်သော IC နှင့် RF ကိရိယာများအတွက် ဆီလီကွန်-ပေါ်စူလကာ wafers
- အထူးပြု/လုပ်ငန်းစဉ် Wafers-CVD SiC coated dummy wafers၊ SiN substrates၊ Si/SOI ရှိ PZT piezoelectric wafers
- အခြားဒြပ်ပေါင်း / နီလာအလွှာများ- LED၊ RF နှင့် optoelectronic အပလီကေးရှင်းများကို ပံ့ပိုးပေးခြင်း (ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်တွင် ကိုးကားထားသည့်အတိုင်း)
အသုံးချမှု
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်း၏ မတူကွဲပြားသောလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန်၊ VeTek သည် ပစ်မှတ်ထားသော Wafer Substrate ထုတ်ကုန်များကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ အောက်ဖော်ပြပါဇယားသည် ၎င်းတို့အား အဓိကအသုံးချသည့်နေရာများအလိုက် အမျိုးအစားခွဲခြားထားသည်။
| လျှောက်လွှာအကွက် |
ရိုးရိုးထုတ်ကုန်များ |
လျှောက်လွှာဖော်ပြချက် |
| ပါဝါစက်များနှင့် EV များ |
4H-SiC အလွှာ (N-type / semi- insulating) |
မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်သော လျှပ်စစ်ကားများနှင့် ဗို့အားမြင့် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများအတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ။ |
| RF/ High-Frequency IC များ |
SOI အလွှာများ၊ GaN / GaAs ဆက်စပ်ပစ္စည်းများ၊ SiC တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာများ |
RF စက်များ၊ ပါဝါအသံချဲ့စက်များ၊ HEMTs နှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် အန်နာလို/ဒစ်ဂျစ်တယ်ဆားကစ်များအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော၊ ပါဝါနိမ့်သော အလွှာများ။ |
| MEMS နှင့် အာရုံခံကိရိယာများ |
PZT piezoelectric wafers (Si/SOI ရှိ PZT)၊ SiN အလွှာ |
MEMS transducers၊ အာရုံခံကိရိယာများ၊ 5G၊ အီလက်ထရွန်းနစ်ပြောင်းလဲခြင်း လိုအပ်သော ဆေးဘက်ဆိုင်ရာနှင့် ဝတ်ဆင်နိုင်သော စက်ပစ္စည်းများအတွက် Piezoelectric နှင့် စွမ်းအားမြင့် အလွှာများ။ |
| လုပ်ငန်းစဉ်ထိန်းချုပ်ရေးနှင့်စမ်းသပ်ခြင်း။ |
CVD SiC coating Dummy wafer |
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများတွင် စက်ပစ္စည်းဆိုင်ရာ အရည်အချင်းပြည့်မီမှု၊ လုပ်ငန်းစဉ်စောင့်ကြည့်ခြင်းနှင့် ညစ်ညမ်းမှုထိန်းချုပ်ရေးတို့အတွက် အမိုက်စားနှင့် စမ်းသပ် wafers များ။ |
| LED / Optoelectronics များ |
နီလာအလွှာများ၊ ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာ (InP စသည်ဖြင့်) |
LED ထုတ်လုပ်မှု၊ လေဆာများ၊ ဓာတ်ပုံထောက်လှမ်းကိရိယာများနှင့် RFIC အပလီကေးရှင်းများအတွက် အလင်းနှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်သည်။ |
| အဆင့်မြင့် IC / Logic & Memory |
တစ်ခုတည်းသော crystal silicon wafers၊ SOI အလွှာ |
ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ၊ မိုက်ခရိုပရိုဆက်ဆာများ၊ မှတ်ဉာဏ်များနှင့် ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှု ချစ်ပ်များအတွက် ပင်မနှင့် အဆင့်မြင့်အလွှာများ။ |
အသေးစိတ်လုပ်ငန်းစဉ်နှင့်ကိုက်ညီသော ဖြေရှင်းနည်းများအတွက်၊ ကျေးဇူးပြု၍ ဖတ်ရှုပါ။ဆီလီကွန်ကာဗိုက် Epitaxyနှင့်ဆီလီကွန် Epitaxyဆက်စပ်စာမျက်နှာများ။
တရုတ်နိုင်ငံတွင် ပရော်ဖက်ရှင်နယ် Wafer ထုတ်လုပ်သူနှင့် ပေးသွင်းသူအနေဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ ကိုယ်ပိုင်စက်ရုံရှိသည်။ သင့်ဒေသ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရန် စိတ်ကြိုက်ဝန်ဆောင်မှုများ လိုအပ်သည်ဖြစ်စေ သို့မဟုတ် တရုတ်နိုင်ငံမှ ထုတ်လုပ်သော အဆင့်မြင့်နှင့် တာရှည်ခံ Wafer ကို ဝယ်ယူလိုပါက၊ကျွန်တော်တို့ကို မက်ဆေ့ချ်ထားခဲ့ပါ။.
