monocrystalline ဆီလီကွန်အတွက် crucible

CZ (CZONCHARSKI) နည်းလမ်းတွင် crystal တစ်မျိုးကို Monocrystallstalline Silicon နှင့်အဆက်အသွယ်ပြုရန်အတွက်ကျောက်သလင်းတစ်ခုဖြစ်သော crystal ကိုစိုက်ပျိုးသည်။ မျိုးစေ့သည်တဖြည်းဖြည်းလှည့်ပတ်နေစဉ်တဖြည်းဖြည်းတက်လာသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်တွင်သိသိသာသာသောပရိဘောဂအစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြု. ဆီလီကွန် semiconductuctor ထုတ်လုပ်မှုတွင်အမြင့်ဆုံးသောအစိတ်အပိုင်းများကိုအသုံးချသည့်နည်းလမ်းကိုအသုံးပြုသည်။

လက်ျာရုပ်ပုံသည် cz method ပေါ်တွင်အခြေခံသောဆီလီကွန်တစ်ခုတည်းသောကြည်လင်ထုတ်လုပ်မှုမီးဖိုကိုရွေးချယ်သည်။

Monocrystalline ဆီလီကွန်အတွက် Vetek Semiconductor Crucible သည် Semiconductor Crystals ကိုတိကျသောဖွဲ့စည်းခြင်းအတွက်တည်ငြိမ်ပြီးထိန်းချုပ်ထားသောပတ်ဝန်းကျင်ကိုထောက်ပံ့ပေးသည်။ ၎င်းတို့သည်အီလက်ထရောနစ်ပစ္စည်းများအတွက်အရည်အသွေးမြင့်မားသောပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရန်အတွက်အရေးကြီးသောပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရန်အလွန်အရေးကြီးသည့် Advancedski လုပ်ငန်းစဉ်များကဲ့သို့သောအဆင့်မြင့်နည်းစနစ်များကဲ့သို့သောအဆင့်မြင့်နည်းစနစ်များကို အသုံးပြု. Monocrystalline Ingots များစိုက်ပျိုးခြင်းတွင်ပါဝင်သည်။

ထူးချွန်သောအပူတည်ငြိမ်မှု, ဓာတုဓာတ်အားပေးမှုခံနိုင်မှုနှင့်အနည်းဆုံးအပူတိုးချဲ့ခြင်းအတွက်အင်ဂျင်နီယာများအတွက်ဤ crucles သည်ကြာရှည်ခံမှုနှင့်အားဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။ ၎င်းတို့သည်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာသမာဓိရှိမှုသို့မဟုတ်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုအလျှော့မပေးသောကြမ်းတမ်းသောဓာတုပတ်ဝန်းကျင်ကိုခံရပ်နိုင်ရန်ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားပြီး,

Monocrystalline ဆီလီကွန်အတွက် silicon အတွက် Vetek Semiconductor Crucles ၏ထူးခြားသောဖွဲ့စည်းမှုကသူတို့ကိုအပူချိန်မြင့်မားသောအခြေအနေများနှင့်အလွန်အမင်းအခြေအနေများကိုခံနိုင်ရည်ရှိစေသည်။ Semiconductor အပြောင်းအလဲနဲ့အတွက်အရေးကြီးတဲ့ထူးခြားအပူတည်ငြိမ်မှုနဲ့သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုကိုအာမခံတယ်။ ဖွဲ့စည်းမှုသည်ထိရောက်သောအပူလွှဲပြောင်းမှုကိုလွယ်ကူချောမွေ့စေသည်။

✔ အခြေခံပစ္စည်းကာကွယ်မှုအခြေခံ: TheCVD SIC CoatingEpit လိနိတ်ဖြစ်စဉ်တွင်အကာအကွယ်ပေးသည့်အလွှာတစ်ခုအနေဖြင့်ပြင်ပပတ် 0 န်းကျင်ကြောင့်တိုက်စားမှုနှင့်ပျက်စီးခြင်းမှအခြေခံပစ္စည်းကိုထိထိရောက်ရောက်ကာကွယ်နိုင်သည်။ ဤအကာအကွယ်ပေးမှုသည်ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းကိုများစွာတိုးချဲ့သည်။

✔ အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူစီးကူးဖြေ - ကျွန်ုပ်တို့၏ CVD SIC CICATIENT သည်ထူးခြားသောအပူစီးကူးခြင်း, Estitaxy တွင်အပူရှိန်စီမံခန့်ခွဲမှုစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီးပစ္စည်းကိရိယာများအတွက်အကောင်းဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန်ကိုသေချာစေသည်။

✔ တိုးတက်လာသောရုပ်ရှင်အရည်အသွေး: CVD SIC COUNEAN သည်ပြားချပ်ချပ်နှင့်ယူနီဖောင်းမျက်နှာပြင်ကိုထောက်ပံ့ပေးပြီးရုပ်ရှင်ကြီးထွားမှုအတွက်အကောင်းဆုံးအုတ်မြစ်ကိုဖန်တီးပေးသည်။ ၎င်းသည်ရာဇမတ်ခပ်စလုံးမတိုက်ဆိုင်မှုကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသောချို့ယွင်းချက်များကိုလျှော့ချကာ Estitaxial ရုပ်ရှင်၏ Crystallinity နှင့်အရည်အသွေးကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။ နောက်ဆုံးတွင်၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုတိုးတက်စေသည်။