အိမ်
ကြှနျုပျတို့အကွောငျး
ကုမ္ပဏီအကြောင်း
အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ
နည်းပညာ ကျွမ်းကျင်သူများ
ထုတ်လုပ်မှုပစ္စည်း
ကျွန်ုပ်တို့၏လက်မှတ်
ကျွန်ုပ်တို့၏ဝန်ဆောင်မှု
ထုတ်ကုန်များ
Tantalum Carbide Coating
Sic တစ်ခုတည်း Crystal ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အပိုပစ္စည်းများ
SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်
UV LED လက်ခံကိရိယာ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ
အစိုင်အခဲ silicon carbide
silicon epitaxy
Silicon Carbide Egitaxy
MOCVD နည်းပညာ
RTA/RTP လုပ်ငန်းစဉ်
ICP/PSS Etching လုပ်ငန်းစဉ်
အခြားဖြစ်စဉ်
ALD
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်များ
မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောအမှုန့်
oxidation နှင့် difficate အရည်ကျိုမီးဖို
ကြိုတင်ကြွေ
semiconductor quartz
အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ်ကြွေထည်
silicon nitride
sic
စိန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း
အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ်
Yttrium အောက်ဆိုဒ်
ဇာကွန်နီယမ်အောက်ဆိုဒ်
အထူးဂရပ်ဖစ်
pyrolytic ကာဗွန်နှင့်အတူ
Vitreous ကာဗွန်နှင့်
porous ဖိုက်
isotropic ပလိပ်
siliconized
မြင့်မြတ်သောသန့်ရှင်းရေးပွန်ဒူးစ်စာရွက်
ကာဗွန်ဖိုက်ဘာ
c / c စုပေါင်း
တင်းကျပ်ခံစားရတယ်
ပျော့ခံစားခဲ့ရ
ပံ့ပိုးမှုဝန်ဆောင်မှု
Wafer
Surface Treatment နည်းပညာ
နည်းပညာဝန်ဆောင်မှု
နည်းပညာနှင့် ဖြေရှင်းချက်များ
နည်းပညာနှင့် ခေတ်ရေစီးကြောင်းများ
ဖြေရှင်းချက်များ
ရွေးချယ်ရေးလမ်းညွှန်
ဖြစ်ရပ်မှန်လေ့လာရေး
ဝန်ဆောင်မှုများနှင့် အရင်းအမြစ်များ
နမူနာမြေပုံဆွဲခြင်း။
ပစ္စည်းများ & ဒီဇိုင်း
ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းနှင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှု
QC & ထောက်ပံ့ပို့ဆောင်ရေး
သတင်း
ကုမ္ပဏီသတင်း
စက်မှုသတင်း
ကြှနျုပျတို့ကိုဆကျသှယျရနျ
ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
ဝဘ်မီနူး
အိမ်
ကြှနျုပျတို့အကွောငျး
ကုမ္ပဏီအကြောင်း
အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ
နည်းပညာ ကျွမ်းကျင်သူများ
ထုတ်လုပ်မှုပစ္စည်း
ကျွန်ုပ်တို့၏လက်မှတ်
ကျွန်ုပ်တို့၏ဝန်ဆောင်မှု
ထုတ်ကုန်များ
Tantalum Carbide Coating
Sic တစ်ခုတည်း Crystal ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အပိုပစ္စည်းများ
SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်
UV LED လက်ခံကိရိယာ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ
အစိုင်အခဲ silicon carbide
silicon epitaxy
Silicon Carbide Egitaxy
MOCVD နည်းပညာ
RTA/RTP လုပ်ငန်းစဉ်
ICP/PSS Etching လုပ်ငန်းစဉ်
အခြားဖြစ်စဉ်
ALD
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်များ
မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောအမှုန့်
oxidation နှင့် difficate အရည်ကျိုမီးဖို
ကြိုတင်ကြွေ
semiconductor quartz
အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ်ကြွေထည်
silicon nitride
sic
စိန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း
အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ်
Yttrium အောက်ဆိုဒ်
ဇာကွန်နီယမ်အောက်ဆိုဒ်
အထူးဂရပ်ဖစ်
pyrolytic ကာဗွန်နှင့်အတူ
Vitreous ကာဗွန်နှင့်
porous ဖိုက်
isotropic ပလိပ်
siliconized
မြင့်မြတ်သောသန့်ရှင်းရေးပွန်ဒူးစ်စာရွက်
ကာဗွန်ဖိုက်ဘာ
c / c စုပေါင်း
တင်းကျပ်ခံစားရတယ်
ပျော့ခံစားခဲ့ရ
ပံ့ပိုးမှုဝန်ဆောင်မှု
Wafer
Surface Treatment နည်းပညာ
နည်းပညာဝန်ဆောင်မှု
နည်းပညာနှင့် ဖြေရှင်းချက်များ
နည်းပညာနှင့် ခေတ်ရေစီးကြောင်းများ
ဖြေရှင်းချက်များ
ရွေးချယ်ရေးလမ်းညွှန်
ဖြစ်ရပ်မှန်လေ့လာရေး
ဝန်ဆောင်မှုများနှင့် အရင်းအမြစ်များ
နမူနာမြေပုံဆွဲခြင်း။
ပစ္စည်းများ & ဒီဇိုင်း
ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းနှင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှု
QC & ထောက်ပံ့ပို့ဆောင်ရေး
သတင်း
ကုမ္ပဏီသတင်း
စက်မှုသတင်း
ကြှနျုပျတို့ကိုဆကျသှယျရနျ
ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။
ထုတ်ကုန်ရှာဖွေမှု
ဘာသာစကား
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
မီနူးမှ ထွက်ပါ။
အိမ်
နည်းပညာနှင့် ဖြေရှင်းချက်များ
နည်းပညာနှင့် ဖြေရှင်းချက်များ
နည်းပညာနှင့် ခေတ်ရေစီးကြောင်းများ
ဖြေရှင်းချက်များ
ရွေးချယ်ရေးလမ်းညွှန်
ဖြစ်ရပ်မှန်လေ့လာရေး
01
Diamond Composite Materials ရွေးချယ်မှုလမ်းညွှန်- စိန်-ကြေးနီ၊ စိန်-အလူမီနီယမ် နှင့် Diamond-SiC တို့၏ အပူပိုင်းစီမံခန့်ခွဲမှု စွမ်းဆောင်ရည် နယ်နိမိတ်များနှင့် အသုံးချမှုများ
ပါဝါမြင့်သော ချစ်ပ်များနှင့် မော်ဂျူးများ၏ အပူပိုင်းပိတ်ဆို့မှုသည် မကြာခဏ “လျှပ်ကူးနိုင်မှု လုံလောက်သည်” ဖြစ်သော်လည်း လျှပ်ကူးမှုနှင့် အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှုတို့သည် တညီတညွတ်တည်း ရှိမရှိ၊ စိန်ပေါင်းစုများသည် အပူလျှပ်ကူးနိုင်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပြီး မြင့်မားသော စိန်ထုထည်အပိုင်းအစများမှတစ်ဆင့် CTE ကို မြှင့်တင်ကာ ဘုံလမ်းကြောင်းသုံးခုဖြစ်သည့် စိန်-ကြေးနီ၊ စိန်-အလူမီနီယမ်နှင့် စိန်-SiC တို့ဖြစ်သည်။ ပုံမှန်စွမ်းဆောင်ရည်အပိုင်းအခြားများအပေါ်အခြေခံ၍ ဤဆောင်းပါးသည် ရွေးချယ်မှုနယ်နိမိတ်များ၊ အက်ပ်လီကေးရှင်းအခြေအနေများနှင့် မိတ်ဆက်စစ်ဆေးရေးဂိတ်များကို ရှင်းပြထားသည်။
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။
02
02 တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာရှိ အဆင့်မြင့် ကြွေထည်နှင့် ကွမ်ဇ်အပိုင်းများအတွက် ရွေးချယ်ရေးလမ်းညွှန်- ပစ္စည်းများ၊ ပျက်ကွက်မှု၊ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှုနှင့် ၀ယ်လိုအား ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်
အခန်းတစ်ပိုင်းရွေးချယ်မှုတွင် တကယ့်မေးခွန်းမှာ “ကြွေထည် သို့မဟုတ် quartz” မဟုတ်ဘဲ၊ လက်ရှိအပူချိန်၊ သံချေးတက်မှု၊ လျှပ်စစ်နှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များအောက်တွင် အမှုန်အမွှားများ၊ တစ်သက်တာနှင့် ကုန်ကျစရိတ်များကို ပေါင်းစပ်ထိန်းချုပ်နိုင်သည့် အရာဖြစ်သည်။ ဤဆောင်းပါးသည် semiconductor အဆင့်မြင့် ကြွေထည်များနှင့် quartz အတွက် စုစည်းထားသော ရွေးချယ်မှုမူဘောင်ကို တည်ဆောက်ပြီး၊ ၎င်းတို့၏ အခန်းကဏ္ဍ ခွဲထုတ်မှု၊ လေးဖက်မြင် အကဲဖြတ်မှု ချဉ်းကပ်မှု၊ ပျက်ကွက်မှု၊ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှုနှင့် ဝယ်ယူမှုများအတွက် လမ်းကြောင်းများကို ရှင်းပြပြီး အစုလိုက် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်နှင့် ဂရပ်ဖိုက် + CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းအကြား ရှင်းလင်းသောမျဉ်းကို ရေးဆွဲထားသည်။
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။
03
01-05 VETEK | အက်ပလီကေးရှင်းနယ်နိမိတ်မျဉ်းများနှင့် ထုလုပ်ခြင်း နှင့် သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသောအခြေအနေများတွင် Solid SiC ၏ရွေးချယ်မှုအမှတ်များ
Solid SiC သည် "ပိုစျေးကြီးသော coating အစားထိုး" မဟုတ်ဘဲ မျက်နှာပြင်မပါသော၊ ပလာစမာခံနိုင်ရည်ရှိသော နှင့် အလွန်ရှည်လျားသော သက်တမ်းကြာရှည်သည့် အခြေအနေများအတွက် အခြားသော နည်းပညာလမ်းကြောင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤဆောင်းပါးတွင် ၎င်း၏ အက်ပလီကေးရှင်းနယ်နိမိတ်များကို ထွင်းထုခြင်းနှင့် သန့်စင်မှုမြင့်မားသောအသုံးပြုမှု၊ TCO သည် ဂရပ်ဖိုက်ဖြင့် နှိုင်းယှဉ်ခြင်းနှင့် နိဒါန်းအတွက် စိစစ်ခြင်းအမှတ်များကို ရှင်းပြထားသည်။ စာကြောင်းတစ်ကြောင်းသည် အပေါ်ယံပိုင်းကွဲအက်ခြင်း သို့မဟုတ် အမှုန်အမွှားများကို အာရုံကွင်းများနှင့် ဆင်တူသောနေရာများပေါ်တွင် တက်လာသည့်အခါ ပြဿနာသည် "သန့်ရှင်းမှုမလုံလောက်ခြင်း" သို့မဟုတ် "မကောင်းတဲ့အမြောက်အမြား" သာ မကဘဲ ပစ္စည်းပုံစံသည် ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် ကိုက်ညီမှုရှိမရှိ၊
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။
04
01-04 VETEK | CVD SiC Coated Graphite အစိတ်အပိုင်းများကို သန့်ရှင်းခြင်း၊ ပြန်လည်ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် အပြည့်အဝ Lifecycle Management
Coated အစိတ်အပိုင်းများကို တစ်သက်တာလုံးအတွက် အပြည့်အဝ ဖယ်ရှားပစ်ရန် မလိုအပ်ပါ။ ဤဆောင်းပါးတွင် CVD SiC coated graphite အစိတ်အပိုင်းများသည် သန့်ရှင်းရေးနှင့် အသစ်ပြန်လည်ထုတ်လုပ်ရန် သင့်လျော်သည့်အခါ၊ ၎င်းတို့ကို လက်ခံရန် နှင့် အစားထိုး cadence ကို အပြည့်အဝ-lifecycle mindset ဖြင့် စီမံခန့်ခွဲနည်း—အထွက်နှုန်းနှင့် ကုန်ကျစရိတ်ကို ပိုမိုယုံကြည်စိတ်ချစွာ ချိန်ခွင်လျှာညီအောင် ကူညီပေးသော အထွက်နှုန်းနှင့် ကုန်ကျစရိတ်ကို ပိုမိုယုံကြည်စိတ်ချစွာ ကူညီပေးပါသည်။ လိုင်းပေါ်ရှိ susceptors များ၏ တကယ့်ကုန်ကျစရိတ်၊ preheat rings နှင့် အလားတူသော အစိတ်အပိုင်းများသည် ဝယ်ယူသည့် windows စျေးနှုန်းသာမက အမှုန်အမွှားများကိုပါ လဲလှယ်နိုင်စေပါသည်။
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။
«
1
2
3
»
သတင်းအကြံပြုချက်များ
isotropic ဖိုက်စုဆောနျးကိုမြင့်မားသောအပူချိန်မီးဖိုများအတွက်အလွန်အမင်းအပူခံနိုင်ရည်ရှိသည်
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။ >>
ခေတ်မီတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် SiC Ceramics Wafer Boat သည် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည် ။
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။ >>
Silicon carbide(SiC) PVT Crystal Growth သည် Tantalum Carbide Coatings(TaC) မပါဘဲ အဘယ်ကြောင့် မလုပ်နိုင်သနည်း။
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။ >>
လှိမ့်! အဓိကထုတ်လုပ်သူနှစ် ဦး သည် 8 လက်မဆီလီကွန်ကာလက်ထက်၌ 8 လက်မဆီလီကွန်ကာလက်ထက်၌ရှိသည်
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။ >>
SiC ကြီးထွားမှုတွင် မမြင်နိုင်သော ပုလင်းလည်ပင်း- 7N Bulk CVD SiC ကုန်ကြမ်းသည် ရိုးရာအမှုန့်ကို အဘယ်ကြောင့် အစားထိုးသနည်း။
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။ >>
Tantalum Carbide Coatings များသည် PVT အပူပိုင်းအကွက်ကို မည်သို့တည်ငြိမ်စေသနည်း။
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။ >>
WhatsApp
Tina
Email
Andy
VeTek
X
သင့်အား ပိုမိုကောင်းမွန်သောကြည့်ရှုမှုအတွေ့အကြုံကို ပေးဆောင်ရန်၊ ဆိုက်အသွားအလာကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာပြီး အကြောင်းအရာကို ပုဂ္ဂိုလ်ရေးသီးသန့်ပြုလုပ်ရန် ကျွန်ုပ်တို့သည် ကွတ်ကီးများကို အသုံးပြုပါသည်။ ဤဆိုက်ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ cookies အသုံးပြုမှုကို သင်သဘောတူပါသည်။
ကိုယ်ရေးအချက်အလက်မူဝါဒ
ငြင်းပယ်ပါ။
လက်ခံပါတယ်။