သတင်း

မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောဂရပ်ဖိုက်၊ CVD SiC/TaC coated အစိတ်အပိုင်းများ၊ အစိုင်အခဲ SiC အစိတ်အပိုင်းများနှင့် စိတ်ကြိုက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြေရှင်းချက်များအတွက် VeTek Semiconductor ၏ CNC တိကျသောစက်ပြုလုပ်နိုင်စွမ်းကို ရှာဖွေပါ။

Vetek Semiconductor သည် တရုတ်နိုင်ငံ၊ Wuxi တွင် CSEAC 2026 တွင် ပါဝင်ခဲ့ပြီး ၎င်း၏အဆင့်မြင့် CVD SiC နှင့် TaC အပေါ်ယံပိုင်း၊ ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ၊ SiC ကြွေထည်များနှင့် အခြားတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အဓိကပစ္စည်းများကို ပြသခဲ့သည်။ အဆိုပါပွဲသည် ဖောက်သည်မိတ်ဖက်များ ခိုင်မာစေရန်၊ နည်းပညာသစ်များ ဆွေးနွေးရန်၊ ကြိုတင်ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မှု ပရောဂျက်များနှင့် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတစ်လျှောက် အနာဂတ်အခွင့်အလမ်းများကို စူးစမ်းရှာဖွေရန် အဖိုးတန်အခွင့်အရေးများကို ပေးအပ်ခဲ့ပါသည်။

VETEK Semiconductor သည် CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်း၊ CVD TaC အပေါ်ယံများ၊ Solid SiC၊ သန့်စင်မြင့်ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ကာဗွန်ဖိုက်ဘာ၊ quartz နှင့် အဆင့်မြင့် ကြွေထည်များ နှင့် semiconductor wafers အပါအဝင် အဓိက ထုတ်ကုန် အမျိုးအစား ခြောက်မျိုးတွင် အထူးပြုပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များသည် epitaxy၊ etching နှင့် crystal growth ကဲ့သို့သော အရေးကြီးသော semiconductor လုပ်ငန်းစဉ်များကို ဆောင်ရွက်ပေးပါသည်။ R&D ပလပ်ဖောင်းနှစ်ခု၊ အပြည့်အဝပေါင်းစပ်ထုတ်လုပ်သည့်စနစ်နှင့် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာထောက်ပံ့မှုစွမ်းရည်များဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့အား အမျိုးသား အထူးပြုပြီး ခေတ်မီဆန်းပြားသော "Little Giant" Enterprise အဖြစ် အသိအမှတ်ပြုခံရပါသည်။

VETEK ၏ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သည့်စက်ရုံအသစ်သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဆင့် သန့်စင်ခန်းဆောက်လုပ်ရေးအဆင့်သို့ ဝင်ရောက်လာခဲ့သည်။ ဆိုက်အသစ်သည် CVD SiC coated graphite အစိတ်အပိုင်းများ၊ TaC coatings၊ PyC coatings၊ Solid SiC အစိတ်အပိုင်းများနှင့် semiconductor applications များအတွက် သန့်ရှင်းသော ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးမည်ဖြစ်ပါသည်။

VeTek Semiconductor သည် SNEC 2026 Shanghai မှ အဓိကကျသော ထိုးထွင်းသိမြင်မှုကို မျှဝေထားပြီး သန့်စင်မြင့်ဂရပ်ဖိုက်များ၊ CVD SiC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ၊ ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပါဝင်မှုများနှင့် မျိုးဆက်သစ်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး ထုတ်လုပ်ရေးနှင့် ဓါတ်ပုံဗော့တေးရှင်းထုတ်လုပ်မှုတို့ကို ပံ့ပိုးပေးသည့် အဆင့်မြင့်အပူဓာတ်ပစ္စည်းများကို မျှဝေပါသည်။

VETEK သည် ၎င်း၏တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုအခြေခံအသစ်၏ ထိပ်တန်းအဆင့်မြှင့်တင်ခြင်းအခမ်းအနားကိုကျင်းပပြီး အဆင့်မြင့် SiC၊ TaC နှင့် PyC အပေါ်ယံပိုင်းနည်းပညာများ၊ Solid SiC အစိတ်အပိုင်းများ၊ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအပူစက်ကွင်းပစ္စည်းများအတွက် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို တိုးချဲ့ကျင်းပပါသည်။

စက်တင်ဘာလ 5 ရက်နေ့တွင် Vetek Semiconductor ၏ဖောက်သည်များသည် Sic Nacating နှင့် TAC ဖုံးအုပ်ထားသောစက်ရုံများသို့ သွားရောက်. နောက်ဆုံးပေါ် EpitAxAxial လုပ်ငန်းစဉ်ဖြေရှင်းချက်များနှင့် ပတ်သက်. နောက်ထပ်သဘောတူညီချက်များရရှိခဲ့သည်။

စက်တင်ဘာ 5 ရက်၊ 2025 တွင် ပိုလန်နိုင်ငံမှဖောက်သည်တစ်ဦးသည် ကာဗွန်ဖိုက်ဘာထုတ်ကုန်များထုတ်လုပ်ရာတွင် ကျွန်ုပ်တို့၏အဆင့်မြင့်နည်းပညာများနှင့် ဆန်းသစ်သောလုပ်ငန်းစဉ်များအကြောင်း လေ့လာရန် VETEK လက်အောက်ရှိ စက်ရုံတစ်ရုံသို့ သွားရောက်လေ့လာခဲ့သည်။

SiC-coated graphite သည် ဓာတုဗေဒအရ တည်ငြိမ်သော CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက် လုပ်ငန်းစဉ် မျက်နှာပြင်နှင့် သန့်စင်သော မြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက်၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် အပူအအေး အပြုအမူတို့ကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။ ဤနည်းပညာဆိုင်ရာ စက္ကူဖြူသည် အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ဂရပ်ဖိုက်အလွတ်သည် epitaxy ဓာတ်ပေါင်းဖိုရှိ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အပြန်အလှန်တုံ့ပြန်မှု၊ အညစ်အကြေးများနှင့် အမှုန်အမွှားများ ဖြစ်လာနိုင်သည်၊ CVD SiC သည် ပိုမိုတည်ငြိမ်သော လုပ်ငန်းစဉ်နယ်နိမိတ်ကို ဖန်တီးပုံနှင့် အဘယ်ကြောင့် အကာအရံ သမာဓိရှိမှု၊ အလွှာလိုက်ဖက်မှုရှိသော၊ ဂျီသြမေတြီနှင့် အပူဆိုင်ရာ အမူအကျင့်များကို အတူတကွ အင်ဂျင်နီယာချုပ်ရမည်ဟု ရှင်းပြထားသည်။ ၎င်းသည် ဆီလီကွန်နှင့် SiC epitaxy ၏ မတူညီသော တောင်းဆိုချက်များကို ဆန်းစစ်ပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအပလီကေးရှင်းများအတွက် coated susceptors များကို မည်သို့သတ်မှတ်သင့်သည်ကို အကျဉ်းချုံးဖော်ပြထားသည်။

SiC-coated graphite susceptor သည် ရိုးရိုး wafer ကိုင်ဆောင်ထားမည့်အစား semiconductor epitaxy တွင် အရေးကြီးသော အပူ-အကွက် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤနည်းပညာဆိုင်ရာ ဆောင်းပါးတွင် susceptor ဂျီသြမေတြီ၊ ပြားချပ်ချပ်၊ အိတ်ဆောင်ဒီဇိုင်း၊ ဂရပ်ဖိုက်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် CVD SiC အပေါ်ယံအရည်အသွေးတို့သည် wafer အပူပိုင်းနယ်နိမိတ်များ၊ အပူချိန်ဖြန့်ဖြူးမှုနှင့် epitaxial တူညီမှုကို လွှမ်းမိုးရန် မည်ကဲ့သို့ အတူတကွလုပ်ဆောင်ကြောင်း ရှင်းပြထားသည်။ ၎င်းသည် စိတ်ကြိုက် သို့မဟုတ် အစားထိုး epitaxy susceptor ကို သတ်မှတ်သည့်အခါ လိုအပ်သော သာမာန် susceptor ချို့ယွင်းမှုမုဒ်များ၊ အပေါ်ယံပြိုကွဲခြင်း၊ အမှုန်အမွှားအန္တရာယ်များနှင့် အဓိက အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ဘောင်များကို စစ်ဆေးသည်။

CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာကို ထိန်းချုပ်ထားသော ဓာတ်ငွေ့အဆင့်နှင့် မျက်နှာပြင်တုံ့ပြန်မှုများမှတစ်ဆင့် သန့်စင်သောမြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက်ပေါ်သို့ သိပ်သည်းသော SiC အလွှာကို အပ်နှံခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်သည်။ ဤဆောင်းပါးတွင် အလွှာပြင်ဆင်မှု၊ MTS အခြေပြု CVD ကြီးထွားမှု၊ နျူကလိယနှင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက် လွှဲပြောင်းမှု၊ အပေါ်ယံအထူနှင့် တူညီမှု၊ SiC/graphite ကြားခံအားဖိစီးမှု၊ ဘုံချို့ယွင်းချက်များနှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအဆင့် စစ်ဆေးခြင်းတို့ကို ရှင်းပြထားသည်။ ၎င်းသည် epitaxy နှင့် MOCVD တွင်အသုံးပြုသော susceptors နှင့် wafer carriers များအတွက် လုပ်ငန်းစဉ် parameters များနှင့် component geometry ကို အဘယ်ကြောင့် အတူတကွ အင်ဂျင်နီယာလုပ်ရမည်ဟုလည်း ပြသသည်။

ဆီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာလုပ်ဆောင်ရာတွင်အသုံးပြုသည့် သန့်စင်မြင့်ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများအတွက် သိပ်သည်းသော CVD SiC အလွှာဖြစ်သည်။ ဤဆောင်းပါးတွင် ဂရပ်ဖိုက်ကို SiC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားပုံ၊ CVD SiC ကို မည်သို့ဖွဲ့စည်းပုံ၊ အပေါ်ယံဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ကြားခံအချက်များက စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းချုပ်ပေးပြီး SiC-coated graphite သည် silicon epitaxy၊ SiC epitaxy နှင့် MOCVD ကို ပံ့ပိုးပေးပုံကို ဤဆောင်းပါးတွင် ရှင်းပြထားသည်။ susceptors၊ wafer carriers နှင့် အခြားသော coated အစိတ်အပိုင်းများကို သတ်မှတ်ရာတွင် လိုအပ်သော အင်ဂျင်နီယာအချက်အလက်များကို အပေါ်ယံအထူ၊ CTE မကိုက်ညီမှု၊ delamination အန္တရာယ်နှင့် အင်ဂျင်နီယာအချက်အလက်များကို စစ်ဆေးပါသည်။

CVD SiC နှင့် TaC အပေါ်ယံပိုင်းများသည် အပူတည်ငြိမ်မှု၊ ညစ်ညမ်းမှု၊ အမှုန်အမွှားများနှင့် ထပ်တလဲလဲဖြစ်နိုင်မှုအပေါ် သက်ရောက်မှုဇယားများ၊ အပေါ်ယံရွေးချယ်မှုဆုံးဖြတ်ချက်သစ်ပင်၊ ချို့ယွင်းမှုယန္တရားများနှင့် RFQ စံနှုန်းများပါရှိသော နည်းပညာဆိုင်ရာ စက္ကူဖြူစာတမ်း။

8-လက်မ SiC သည် ယခုအခါ ထုထည်ထုတ်လုပ်မှုတွင် ပါဝင်နေပြီဖြစ်သော်လည်း wafer အထွက်နှုန်း—စွမ်းရည်မဟုတ်—အနိုင်ရသူများကို ခွဲခြားထားသည်။ ဤလမ်းညွှန်တွင် ဂရပ်ဖိုက်ပူသောဇုန် အစိတ်အပိုင်းများပေါ်တွင် TaC အပေါ်ယံအကာဖြင့် အဘယ်ကြောင့် အထွက်နှုန်းကို ဆုံးဖြတ်သည်၊ နှင့် ပေးသွင်းသူအား မည်ကဲ့သို့ အရည်အချင်းပြည့်မီရမည်ကို ရှင်းပြထားသည်။

ခေတ်မီချစ်ပ်များထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်၊ အလွှာသည် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာပံ့ပိုးမှုနှင့် အပူပျံ့နှံ့မှုလမ်းကြောင်းကို ပံ့ပိုးပေးကာ၊ epitaxial အလွှာသည် စက်၏လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်နိုင်မှုကန့်သတ်ချက်များကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည်။ ဤဆောင်းပါးသည် တစ်ခုတည်းသော crystal silicon နှင့် silicon carbide substrates နှင့် CVD/MBE epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်များအကြား အခြေခံကွဲလွဲချက်များကို နက်နက်ရှိုင်းရှိုင်းခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာပေးထားပြီး ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆကို လျှော့ချပြီး strain engineering ကိုထည့်သွင်းခြင်းဖြင့် epitaxial နည်းပညာကို မည်ကဲ့သို့လုပ်ဆောင်နိုင်သည်ကို ဖော်ပြသည်။ သင်သည် လုပ်ငန်းစဉ် အင်ဂျင်နီယာ တစ်ဦး သို့မဟုတ် ဝယ်ယူရေး ဆုံးဖြတ်ချက် ချမှတ်သူ ဖြစ်သည်ဖြစ်စေ၊

MOCVD epitaxy graphite susceptors ပေါ်ရှိ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ၏ အစွန်းအဝါရောင်နှင့် အခွံခွာခြင်း၏ အကြောင်းရင်းများကို နက်ရှိုင်းစွာ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း။ VeTek သည် ကနဦး CVD စုဆောင်းမှုနှုန်းနှင့် စီးဆင်းမှုအကွက်ကို တိကျစွာထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် သေးငယ်သောဖိအားကို ဖယ်ရှားပေးကာ အပေါ်ယံအထွက်နှုန်းကို 50% မှ 90% အထိ တိုးမြင့်စေပြီး သန့်ရှင်းသော ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးပါသည်။