Silicon Carbide (SiC) Coating ဆိုတာ ဘာလဲ ပိုင်ဆိုင်မှု၊ CVD လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် အသုံးချမှုများ

အသေးစိတ်အကျဉ်းချုပ်

A ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ (SiC coating)၊ဓာတုဗေဒနည်းအရ ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အပူတည်ငြိမ်သော လုပ်ငန်းစဉ်မျက်နှာပြင်ကို ဖန်တီးရန်အတွက် များသောအားဖြင့် သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ထူထပ်သော SiC အလွှာတစ်ခုဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများတွင်၊ coating ကိုအများအားဖြင့်ထုတ်လုပ်သည်။ဓာတုအငွေ့ထွက်ခြင်း (CVD).

၎င်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် ပေါင်းစပ်စနစ်မှ လာသည်။ဂရပ်ဖိုက်အလွှာ၊ CVD SiC အလွှာ၊ အစိတ်အပိုင်း ဂျီသြမေတြီနှင့် ဓာတ်ပေါင်းဖိုပတ်ဝန်းကျင်.

1. Silicon Carbide Coating ဆိုတာ ဘာလဲ ။

Graphite ကို စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် အပူပိုင်းတည်ငြိမ်သောကြောင့် semiconductor hot-zone အစိတ်အပိုင်းများအတွက် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုပါသည်။ သို့သော်၊ ဂရပ်ဖိုက်သည် ဖြစ်စဉ်ဓာတ်ငွေ့များနှင့် ဓာတ်ပြုနိုင်ပြီး၊ အောက်ဆီဂျင်၊ အညစ်အကြေးများကို ထုတ်လွှတ်နိုင်သည် သို့မဟုတ် မျက်နှာပြင်ပြိုကွဲသွားချိန်တွင် အမှုန်အမွှားများကို ထုတ်ပေးနိုင်သည်။

CVD SiC သည် ထိုမျက်နှာပြင်အခြေအနေကို ပြောင်းလဲစေသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို စက်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်ကိုယ်ထည်အပေါ်တွင် သိပ်သည်းသော polycrystalline အလွှာအဖြစ် စုဆောင်းထားကာ ဂရပ်ဖိုက်နှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ပတ်ဝန်းကျင်ကြားတွင် အတားအဆီးဖြစ်စေသည်။

လုပ်ငန်းစဉ် ဓာတ်ငွေ့ / Wafer → သိပ်သည်းသော CVD SiC မျက်နှာပြင် → SiC/Graphite Interface → သန့်စင်မြင့် ဂရပ်ဖိုက် ကိုယ်ထည်

Graphite သည် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံကိုယ်ထည်၊ အပူထုထည်နှင့် စက်ပစ္စည်းကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။ SiC သည် process-facing surface ကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။ ကြားခံသည် အစစ်ခံမှု၊ အအေးခံမှုနှင့် ထပ်ခါတလဲလဲ ဓာတ်ပေါင်းဖိုလည်ပတ်မှု လည်ပတ်မှုကို ရှင်သန်ရမည်ဖြစ်သည်။

SGL Carbon သည် စီးပွားဖြစ် SiC အပေါ်ယံအလွှာများကို isostatic graphite တွင်ထည့်သွင်းထားသောသိပ်သည်းသော၊ ဝတ်ဆင်မှုနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်ရှိသော CVD အလွှာများအဖြစ် ဖော်ပြသည်၊၊ အပလီကေးရှင်းများနှင့်အတူ semiconductor crystal ကြီးထွားမှု၊ ဆီလီကွန်/SiC epitaxy နှင့်MOCVD.

ထို့ကြောင့် semiconductor-grade SiC-coated အစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် အကဲဖြတ်သင့်ပါသည်။အင်ဂျင်နီယာပစ္စည်းစနစ်များရိုးရှင်းစွာ "ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့်အတူ" အစား။

CVD SiC Coating နှင့် Solid SiC

2. အဘယ်ကြောင့် Graphite ကို SiC ဖြင့် Semiconductor Equipment တွင် ဖုံးအုပ်ထားသနည်း။

ရည်ရွယ်ချက်မှာ ဂရပ်ဖိုက်၏ ထုတ်လုပ်မှုနှင့် အပူပိုင်းဆိုင်ရာ အားသာချက်များကို တောင်းဆိုနေသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ အခြေအနေများနှင့် ကိုက်ညီသော မျက်နှာပြင်တစ်ခုနှင့် ပေါင်းစပ်ရန် ဖြစ်သည်။

တင်းကျပ်သောခံနိုင်ရည်များနှင့် ရှုပ်ထွေးသောအိတ်ကပ်များအတွက် ဂရပ်ဖိုက်အကူပစ္စည်း သို့မဟုတ် wafer carrier ကို စက်ဖြင့်ပြုလုပ်နိုင်သည်။ ထို့နောက် CVD SiC သည် ဓာတ်ငွေ့များနှင့် ထိတွေ့သည့် မျက်နှာပြင်ကို သန့်စင်ပေးသည်။ ဤပေါင်းစပ်မှုသည် အဓိကစိုးရိမ်မှုလေးခုကို ဖြေရှင်းပေးသည်။

ညစ်ညမ်းမှုထိန်းချုပ်ရေး။သိပ်သည်းပြီး သန့်ရှင်းမှုမြင့်သော မျက်နှာပြင်သည် အောက်ခံဂရပ်ဖိုက်များကို wafer ပတ်ဝန်းကျင်မှ ခွဲထုတ်ရန် ကူညီပေးသည်။

ဓာတုဗေဒ တာရှည်ခံခြင်း။Epitaxy နှင့် MOCVD သည် ပြင်းထန်သော ရှေ့ပြေးနိမိတ်များနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ သန့်ရှင်းရေးကို အသုံးပြုသည်။ SiC သည် exposed graphite နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ခံနိုင်ရည်အား တိုးတက်စေသည်။

အမှုန်အမွှားတွေကို ထိန်းချုပ်တယ်။အက်ကွဲခြင်း၊ အခွံခွာခြင်း သို့မဟုတ် မျက်နှာပြင်ပျက်စီးခြင်းတို့သည် အမှုန်အမွှားရင်းမြစ်များဖြစ်လာနိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် အပေါ်ယံသန့်ရှင်းမှုသည် သန့်ရှင်းမှုတွင် တိုက်ရိုက်အရေးကြီးပါသည်။

အပူခံနိုင်မှု။Susceptors နှင့် carriers များသည် reactor thermal field ၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့၏ ဂျီသြမေတြီနှင့် မျက်နှာပြင်အခြေအနေသည် တည်ငြိမ်နေရမည်ဖြစ်ရာ wafer အပူချိန်သည် ထပ်ခါတလဲလဲဖြစ်နေဆဲဖြစ်သည်။

Mersen သည် မြင့်မားသော အပူချိန်၊ လေဟာနယ် မြင့်မားမှု၊ ပြင်းထန်သော ဓာတ်ငွေ့ ရှေ့ပြေးနိမိတ်များ၊ ညစ်ညမ်းမှု ထိန်းချုပ်မှုနှင့် အက်ဆစ်များကို သန့်စင်ရန် ခံနိုင်ရည်ရှိမှုတို့ကို epitaxy နှင့် MOCVD တို့တွင် အသုံးပြုသည့် ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းများအတွက် အဓိက လည်ပတ်မှုလိုအပ်ချက်များအဖြစ် ခွဲခြားသတ်မှတ်သည်။ ၎င်းသည် ဂရပ်ဖိုက်/SiC CTE လိုက်ဖက်မှုကို မီးမောင်းထိုးပြပြီး အပေါ်ယံပိုင်း သမာဓိရှိမှုအတွက် အရေးကြီးပါသည်။ 

ဒါက ဘာကြောင့် အပေါ်ယံအရည်အသွေးနဲ့ မခွဲနိုင်လဲဆိုတာ ရှင်းပြတယ်။ဂရပ်ဖိုက်အရည်အသွေး၊ အတိုင်းအတာတိကျမှု သို့မဟုတ် ဓာတ်ပေါင်းဖိုအခြေအနေများ. ပုံပျက်ပန်းပျက် သို့မဟုတ် ဒီဇိုင်းညံ့ဖျင်းသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုပေါ်ရှိ ဓာတုဗေဒအရ အထူးကောင်းမွန်သော SiC အလွှာသည် လုပ်ငန်းစဉ်စွမ်းဆောင်ရည် ညံ့ဖျင်းမှုကို ပေးစွမ်းနိုင်သေးသည်။

3. CVD Silicon Carbide Coating ကို မည်သို့ထုတ်လုပ်သနည်း။

ပုံမှန်ထုတ်လုပ်မှုကွင်းဆက်သည်-

Graphite Selection → Precision Machining → Purification → Surface Preparation → CVD SiC Deposition → စစ်ဆေးခြင်း

ဂရပ်ဖိုက်ကို သန့်ရှင်းမှု၊ အသေးစားဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အပူအအေး အပြုအမူအတွက် ရွေးချယ်ထားပြီး ပြားချပ်မှု၊ အိတ်ကပ်အနက်နှင့် အစွန်းဂျီသြမေတြီသည် နောက်ဆုံးအတိုင်းအတာနှင့် အပေါ်ယံညီညွှတ်မှုအပေါ် သက်ရောက်မှုရှိသောကြောင့် မွမ်းမံပြင်ဆင်ထားခြင်းဖြစ်သည်။

CVD အတွင်းတွင်၊ ဓာတ်ငွေ့ရှေ့ပြေးအရာများသည် အပူချိန်မြင့်သော ဓာတ်ပေါင်းဖိုသို့ ဝင်ရောက်သည်။ ဓာတ်ပြုသောမျိုးစိတ်များသည် SiC nucleates နှင့် စဉ်ဆက်မပြတ် ပေါက်ရောက်သည့် ဂရပ်ဖိုက်မျက်နှာပြင်သို့ ရောက်ရှိသည်။

SGL Carbon သည် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် ပုံမှန် SiC အစစ်ခံသည့် အပူချိန်ကို လူသိရှင်ကြား အစီရင်ခံပါသည်။1,200–1,300°C၎င်း၏စီးပွားဖြစ်အပေါ်ယံပိုင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွက်။ အပေါ်ယံစနစ်တစ်ခုအတွက် β-SiC သို့မဟုတ် ကုဗ 3C-SiC ကို အစီရင်ခံသည်။

CVD-SiC-coated graphite susceptors များပေါ်တွင် မကြာသေးမီက သုတေသနပြုချက်များအရ အပေါ်ယံဖွဲ့စည်းပုံသည် စီမံဆောင်ရွက်သည့်အခြေအနေများပေါ်တွင် ပြင်းထန်စွာမူတည်ကြောင်း ပြသသည်။

A 2026သိပ္ပံနည်းကျအစီရင်ခံစာများအစစ်ခံ စုံစမ်းလေ့လာခြင်း တို့မှ1,100 မှ 1,350°Cဖိအားနှင့် H₂/MTS အချိုးပြောင်းလဲမှုများနှင့်အတူ၊ သုတေသီများသည် coating morphology၊ ကြမ်းတမ်းမှု၊ stoichiometry နှင့် hardness တို့တွင် သိသာထင်ရှားသောပြောင်းလဲမှုများကို လေ့လာတွေ့ရှိခဲ့ပြီး၊

CVD Parameters → SiC Microstructure → Coating Properties → Component Performance. 

အရေးကြီးတဲ့ အင်ဂျင်နီယာ သင်ခန်းစာကတော့ အဲဒါပါပဲ။"CVD SiC" သည် ပုံသေပစ္စည်းတစ်ခုမဟုတ်ပါ။.

သတ်မှတ်ချက်တစ်ခုဖြစ်သည့်-

"100 μm SiC အပေါ်ယံပိုင်း"

အထူကိုသာဖော်ပြသည်။

၎င်းသည် အပြည့်အဝ မသတ်မှတ်ထားပေ။

l သန့်စင်မှု;

l porosity;

l စပါးဖွဲ့စည်းပုံ;

l မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု;

l အပေါ်ယံညီညီမှု၊

l ကြားခံအရည်အသွေး;

l ကျန်နေတဲ့ စိတ်ဖိစီးမှု။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများအတွက်၊ အဆိုပါအချက်များသည် အမည်ခံအထူကဲ့သို့ အရေးကြီးပါသည်။

အဖြစ်များသော Coating Defects

4. ဘယ် SiC Coating Properties က အရေးအကြီးဆုံးလဲ။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအသုံးပြုရန်အတွက် အသုံးဝင်ဆုံးဂုဏ်သတ္တိများမှာ ညစ်ညမ်းမှုထိန်းချုပ်မှု၊ လုပ်ငန်းစဉ်တည်ငြိမ်မှုနှင့် အစိတ်အပိုင်းတစ်သက်တာတို့နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။

အများသူငှာ စီးပွားဖြစ်စံနှုန်းတစ်ခုအနေဖြင့်၊ SGL Carbon သည် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် အမြောက်အများသိပ်သည်းဆကို SiC coating တစ်ခုအတွက် အစီရင်ခံသည်3.2 g/cm³, မာကျော၏။40 GPa, အပူ၏ချဲ့ထွင်4.3 × 10^-6 K^-1100 မှ 600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်မှ နှင့် ပုံမှန် အပေါ်ယံအထူ100 μm. ဤတန်ဖိုးများသည် universal semiconductor သတ်မှတ်ချက်များထက် ဥပမာများဖြစ်သည်။

ကန့်သတ်ချက်နှစ်ခုသည် အထူးသတိထားသင့်သည်-coating အထူနှင့် CTE.

1. ပိုထူသော SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် အလိုအလျောက် ပိုကောင်းမည်မဟုတ်ပါ။

ထပ်လောင်းအထူသည် ပိုကြီးသောအကာအကွယ်အတားအဆီးကိုပေးစွမ်းနိုင်သော်လည်း ၎င်းသည် အစိတ်အပိုင်းများ၏အတိုင်းအတာများကိုပြောင်းလဲစေပြီး စုဆောင်းကျန်ရှိသောဖိအားကိုတိုးစေသည်။ ဤအရာသည် susceptors နှင့် အရေးကြီးလာသည်။wafer သယ်ဆောင်သည်။အိတ်ဆောင်အတိမ်အနက်၊ ပြားချပ်ချပ်နှင့် အစွန်းဂျီသြမေတြီများသည် လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။

2. CTE ကိုက်ညီမှုသည် ထပ်တူထပ်မျှ အရေးကြီးပါသည်။

SiC သည် မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် သိုလှောင်ထားပြီး ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့် အတူ အေးသွားပါသည်။ SiC နှင့် graphite တို့သည် ကွဲပြားပြီး ကျုံ့သွားပါက၊ mechanical stress သည် interface အနီးတွင် ရှိလာပါသည်။

ရိုးရှင်းသော ကျရှုံးမှုလမ်းကြောင်းမှာ-

CTE Mismatch → Residual Stress → Microcrack → Crack Propagation → Delamination → Particles / Exposed Graphite

ဤယန္တရားသည် အထူထပ်တိုးလာရုံဖြင့် အမွှေးအမျှင်ချို့ယွင်းမှုကို အမြဲမဖြေရှင်းနိုင်ရခြင်းအကြောင်းကို ရှင်းပြသည်။

A 2026ကြွေတကာလေ့လာမှုတွင် 1,260°C၊ 1,280°C နှင့် 1,320°C တွင် ဂရပ်ဖိုက်တွင် အပ်နှံထားသော SiC ကို အထူးစုံစမ်းစစ်ဆေးခဲ့ပြီး စုဆောင်းမှုအပူချိန်သည် microstructure နှင့် interfacial adhesion ကို ထိခိုက်စေကြောင်း တွေ့ရှိခဲ့သည်။

ထို့ကြောင့် အပေါ်ယံအရည်အသွေးကို ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် ဆုံးဖြတ်သင့်သည်။

သန့်ရှင်းမှု + အသေးစားဖွဲ့စည်းပုံ + တူညီမှု + အင်တာဖေ့စ်သမာဓိ + ဂျီသြမေတြီ

ထူတာထက် တစ်ယောက်တည်း။

5. SiC-Coated Graphite ကို မည်သည့်နေရာတွင် အသုံးပြုသနည်း၊ ၎င်းကို မည်သို့ရွေးချယ်သင့်သနည်း။

အပြင်းထန်ဆုံးအသုံးချပရိုဂရမ်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ ဓာတ်ပြုဓာတုဗေဒနှင့် တင်းကျပ်သော wafer အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များနှင့် ရင်ဆိုင်ရသည့် အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။

1. ဆီလီကွန် Epitaxy

SiC-coated graphite susceptors များသည် အပူလွှဲပြောင်းရာတွင် ပါဝင်စဉ် wafers များကို ပံ့ပိုးပေးသည်။ ပြားချပ်ချပ်၊ အိတ်ဆောင်ဂျီသြမေတြီ၊ အပေါ်ယံ ညီညီညာညာ နှင့် မျက်နှာပြင် အခြေအနေသည် wafer အပူချိန်နှင့် epitaxial တူညီမှုကို လွှမ်းမိုးနိုင်သည်။

ထို့ကြောင့် coating သည် ပိုကျယ်သော အပူပေးစနစ်၏ အစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည် ။

အပူပေးကိရိယာ/စွမ်းအင်အရင်းအမြစ် → Susceptor → Wafer အပူပိုင်းနယ်နိမိတ် → Wafer အပူချိန် → Epitaxial ကြီးထွားမှု

2. Silicon Carbide Epitaxy

SiC epitaxy သည် အပူစက်ကွင်းပစ္စည်းများအတွက် အထူးလိုအပ်သော လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးသည်။ Susceptors၊ rings နှင့် ဆက်စပ်အစိတ်အပိုင်းများသည် အပူချိန်မြင့်မားသော လည်ပတ်မှုမှတစ်ဆင့် ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှု၊ ညစ်ညမ်းမှုနည်းပြီး ဘက်မလိုက်ညီမှုကို ထိန်းသိမ်းထားရမည်ဖြစ်သည်။

3. GaN နှင့် LED MOCVD

MOCVD wafer သယ်ဆောင်သူများနှင့် ဂြိုလ်တုပလပ်ဖောင်းများသည် သယ်ဆောင်သူ၏အပူချိန်ဖြန့်ဝေမှုသည် wafer တစ်လျှောက် ကြီးထွားမှုအခြေအနေများကို လွှမ်းမိုးသည့် ရှေ့ပြေးနိမိတ်များကြွယ်ဝသောပတ်ဝန်းကျင်တွင် လည်ပတ်နေသည်။

ဝန်ဆောင်မှုပေးသူ ဂျီသြမေတြီ သို့မဟုတ် မျက်နှာပြင်အခြေအနေ ပြောင်းလဲမှုများသည် ကွဲပြားမှုများကို အထောက်အကူဖြစ်စေနိုင်သည်-

l wafer အပူချိန်;

l ကြီးထွားနှုန်း;

l ရုပ်ရှင်အထူ;

l ဖွဲ့စည်းမှု;

l wafer-to-wafer တူညီမှု။

Mersen သည် အထူးသန့်ရှင်းသော SiC-coated ဂရပ်ဖိုက်၊ တူညီသောအပူအပြုအမူ၊ ပြင်းထန်သောဓာတ်ငွေ့များကိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီး epitaxy အသုံးချမှုများအတွက် အရေးကြီးသောလိုအပ်ချက်များအဖြစ် in-situ ဓာတုသန့်ရှင်းရေးကို တာရှည်ခံစေသည်။

4. အခြားသော အပူချိန်မြင့် လုပ်ငန်းစဉ်များ

ရွေးချယ်ထားသော RTP/RTA၊ CVD၊ ALD နှင့် အခြားအပူစက်ကွင်းအစိတ်အပိုင်းများသည် အပူချိန်၊ ဓာတုဗေဒ၊ ညစ်ညမ်းမှုအန္တရာယ်နှင့် ဂျီသြမေတြီတို့ကို အကြောင်းပြသည့်အခါ SiC-coated ဂရပ်ဖိုက်ကို အသုံးပြုနိုင်သည်။

ရွေးချယ်မှုဖြင့် စတင်သင့်သည်။ဓာတ်ပေါင်းဖိုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ယေဘုယျအပေါ်ယံပိုင်းသတ်မှတ်ချက် မဟုတ်ပါ။

သတ်မှတ်ရန်-

l လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ဓာတ်ပေါင်းဖိုပုံစံ၊

l wafer အရွယ်အစား;

l လည်ပတ်အပူချိန်;

l လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ဓာတ်ငွေ့များကို သန့်စင်ခြင်း၊

l အစိတ်အပိုင်းပုံဆွဲ;

l ဂရပ်ဖိုက်လိုအပ်ချက်;

l အရေးပါသောအတိုင်းအတာနှင့် ညီညာမှု၊

l အပေါ်ယံအထူ;

l မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု;

l စစ်ဆေးရေးလိုအပ်ချက်များ။

အသုံးဝင်ဆုံး RFQ သည် ဗဟိုမေးခွန်းတစ်ခုကို မေးသည်-

ဓာတ်ပေါင်းဖိုအတွင်း၌ ဤအစိတ်အပိုင်းသည် အဘယ်အရာလုပ်ဆောင်ရမည်နည်း။

ထို့နောက် SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို သီးခြားပစ္စည်းများ ကန့်သတ်ချက်ထက် အမှန်တကယ် ရည်မှန်းချက်အတွက် ပြုပြင်ဖန်တီးနိုင်ပါသည်။

epitaxy နှင့် MOCVD အတွက်၊ ပန်းတိုင်သည် ရိုးရှင်းစွာ အကြာဆုံးသော အလွှာတစ်ခုမဟုတ်ပါ။ ၎င်းသည် ပံ့ပိုးပေးနိုင်သော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။

တည်ငြိမ်သော Wafer အပူချိန် + ညစ်ညမ်းမှုနည်း + အမှုန်အမွှား မျိုးဆက်နိမ့် + ထပ်တလဲလဲ ကြီးထွားနိုင်သည် + ကြိုတင်ခန့်မှန်းနိုင်သော ဝန်ဆောင်မှုဘဝ

6. FAQ

1. ဂရပ်ဖိုက်ပေါ်တွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ဖုံးအုပ်ခြင်း၏ အဓိကရည်ရွယ်ချက်ကား အဘယ်နည်း။

၎င်းသည် ဂရပ်ဖိုက်ကိုယ်ထည်၏ စက်စွမ်းနိုင်မှုနှင့် အပူဆိုင်ရာအားသာချက်များကို ထိန်းသိမ်းထားကာ သန့်စင်မြင့်မားသော၊ ဓာတုဗေဒနည်းအရ ခံနိုင်ရည်ရှိသော လုပ်ငန်းစဉ်မျက်နှာပြင်ကို ဖန်တီးပေးသည်။

2. အဘယ်ကြောင့် CVD ကို SiC coating အတွက် အသုံးပြုသနည်း။

CVD သည် SiC ကို ရှုပ်ထွေးသော ဂရပ်ဖိုက်မျက်နှာပြင်များပေါ်တွင် တိုက်ရိုက်ကြီးထွားစေရန် ခွင့်ပြုပေးပြီး အစစ်ခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို မှန်ကန်စွာ ပြုပြင်သောအခါတွင် အပေါ်ယံဖွဲ့စည်းပုံ၊ အထူနှင့် တူညီမှုကို ထိန်းချုပ်ပေးပါသည်။

3. ပိုထူသော SiC coating အမြဲပိုကောင်းပါသလား။

နံပါတ် အထူသည် ကျန်ရှိသော ဖိစီးမှု၊ အတိုင်းအတာ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ အစိတ်အပိုင်း ဂျီသြမေတြီနှင့် ဝန်ဆောင်မှု အခြေအနေများနှင့် ညီမျှစေရမည်။

4. SiC coating သည် ကွဲအက်ခြင်း သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးများကို မည်ကဲ့သို့ ဖြစ်စေသနည်း။

အသုံးများသော ပံ့ပိုးသူများတွင် ဂရပ်ဖိုက်/SiC CTE မကိုက်ညီမှု၊ ကျန်ရှိသော စိတ်ဖိစီးမှု၊ ကြားခံချို့ယွင်းချက်များ၊ မသင့်လျော်သော အပ်နှံမှုအခြေအနေများနှင့် ထပ်ခါတလဲလဲ အပူစက်ဘီးစီးခြင်းများ ပါဝင်သည်။

5. SiC-coated graphite RFQ အတွက် ဘာအချက်အလက်တွေ လိုအပ်လဲ။

ပုံဆွဲခြင်း၊ ဓာတ်ပေါင်းဖိုပုံစံ၊ လုပ်ငန်းစဉ်၊ wafer အရွယ်အစား၊ လည်ပတ်မှုအပူချိန်၊ လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် သန့်ရှင်းရေးဓာတ်ငွေ့များ၊ ဂရပ်ဖိုက်လိုအပ်ချက်၊ အပေါ်ယံပိုင်းသတ်မှတ်ချက်၊ အရေးကြီးသောခံနိုင်ရည်များ၊ စစ်ဆေးရေးစံနှုန်းများနှင့် အရေအတွက်တို့ကို ပေးဆောင်ပါ။

စိတ်ကြိုက် CVD SiC-Coated Graphite အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု လိုအပ်ပါသလား။

VeTek Semiconductor သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ epitaxy နှင့် ဆက်စပ်သော အပူချိန်မြင့် လုပ်ဆောင်ခြင်းဆိုင်ရာ အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် SiC-coated ဂရပ်ဖိုက် အစိတ်အပိုင်းများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

သင့်လျော်သောအဖြေကို ဆွေးနွေးရန် သင့်ဓာတ်ပေါင်းဖိုမော်ဒယ်၊ အစိတ်အပိုင်းပုံဆွဲမှု၊ ဂရပ်ဖိုက်လိုအပ်ချက်များ၊ အပေါ်ယံသတ်မှတ်ချက်များ၊ လည်ပတ်မှုအခြေအနေများနှင့် စစ်ဆေးရေးစံနှုန်းများကို မျှဝေပါ။

နည်းပညာဆိုင်ရာ တိုင်ပင်ဆွေးနွေးမှုကို တောင်းဆိုပါ။| သင်၏ပုံဆွဲတင်ပြပါ။

ကျွန်ုပ်တို့၏ Silicon Carbide Coating ထုတ်ကုန်အပိုင်းအခြားကို လေ့လာပါ။

ကိုးကား

1. SGL ကာဗွန်။ SIGRAFINE® SiC Coatings။isostatic graphite ပေါ်ရှိ CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းအတွက် နည်းပညာဒေတာနှင့် လျှောက်လွှာအချက်အလက်။

2. Mersen တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လုပ်ငန်းစဉ် စက်ပစ္စည်း — Silicon Carbide ဖြင့် အထူးသန့်စင်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်။epitaxy နှင့် MOCVD အပလီကေးရှင်းများအတွက် နည်းပညာဆိုင်ရာ အချက်အလက်။

3. Huo, Y., Qin, S., Chen, Y., et al. "ဂရပ်ဖိုက်အလွှာပေါ်ရှိ CVD-SiC အပေါ်ယံပိုင်းရှိ လုပ်ငန်းစဉ်-ဖွဲ့စည်းပုံ-ပိုင်ဆိုင်မှုဆက်စပ်မှုကို လေ့လာခြင်း။"သိပ္ပံနည်းကျအစီရင်ခံစာများထယ်၊ ၁၆၊ အပိုဒ် ၄၁၅၀၊ ၂၀၂၆။

4. Ma, Q., et al. "ဂရပ်ဖိုက်အလွှာများပေါ်ရှိ CVD-SiC အပေါ်ယံလွှာများ၏ မျက်နှာပြင်ကို ကပ်တွယ်မှု- အသေးစားဖွဲ့စည်းပုံနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများတွင် အပူချိန်၏ အခန်းကဏ္ဍ။"ကြွေတကာထယ်၊ 52၊ စာစောင် 3၊ 2026၊ စစ. 3711–3718။