ပစ္စည်းများ & ဒီဇိုင်း

လိုက်ဖက်သော အလွှာနှင့် အပေါ်ယံပေါင်းစပ်မှုကို ရွေးချယ်ခြင်းသည် အချိန်မတန်မီ အစိတ်အပိုင်းများ ချို့ယွင်းမှုကို ကာကွယ်ရန်၊ အမှုန်အမွှားများ ညစ်ညမ်းမှုကို လျှော့ချရန်နှင့် wafer အထွက်နှုန်းကို မြှင့်တင်ရန် သော့ချက်ဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဖောက်သည်၏ သတ်မှတ်ထားသော လုပ်ငန်းစဉ်ဝင်းဒိုးတစ်ဝိုက်တွင် အံဝင်ခွင်ကျရှိသော ပစ္စည်းနှင့် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ ဒီဇိုင်းဖြေရှင်းချက်များကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့၏ အခြေခံဒီဇိုင်းစွမ်းရည်များ-

• ပြင်းထန်သော CTE ဖိစီးမှု ကိုက်ညီမှု-လျင်မြန်သောအပူစက်ဘီးစီးခြင်းအတွက် (> 100°C/min)၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် သန့်ရှင်းသောဂရပ်ဖိုက်အလွှာများနှင့် CVD အပေါ်ယံအလွှာများ၏ CTE အပူချိန်မျဉ်းကွေးများကို တိတိပပ ကိုက်ညီစေပြီး၊ အပေါ်ယံပိုင်းကွဲထွက်ခြင်းနှင့် မိုက်ခရိုအက်ကွဲခြင်းအန္တရာယ်ကို အခြေခံအားဖြင့် လျှော့ချပေးပါသည်။
• လုပ်ငန်းစဉ်-ဇာတ်လမ်း- သတ်သတ်မှတ်မှတ် အပေါ်ယံပိုင်း ရွေးချယ်မှု-Si/SiC epitaxy (Epi), MOCVD နှင့် ပလာစမာ etching ပတ်ဝန်းကျင်များအတွက် CVD SiC coating၊ မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ပြင်းထန်စွာ တိုက်စားနိုင်သော အခြေအနေများအတွက် CVD TaC coating (ဥပမာ၊ SiC single-crystal PVT ကြီးထွားမှု)။
• ထိန်းချုပ်နိုင်သော ခံနိုင်ရည်ရှိမှုနှင့် အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း ပိုမိုကောင်းမွန်အောင် ပြုလုပ်ခြင်း-RF, ESC electrostatic chucks, သို့မဟုတ် Heating Zones ၏ သီးခြားလျှပ်စစ်နှင့် အပူ-စက်ကွင်း လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရန် အမြောက်အများ ခံနိုင်ရည်နှင့် အပူစီးကူးနိုင်မှု နှင့် အပေါ်ယံပိုင်း ၏ တိကျသော ထိန်းချုပ်မှု။
• ညစ်ညမ်းမှုအရင်းအမြစ်ထိန်းချုပ်ရေးနှင့် CoO လျှော့ချရေး-High-purity CVD deposition အလွှာများသည် porous graphite ကို ထူထပ်စွာ ဖုံးအုပ်ထားကာ အမှုန်အမွှားများ ကြွေကျခြင်း၊ သတ္တုညစ်ညမ်းမှု လွန်ကဲစွာ ပျံ့နှံ့ခြင်းနှင့် အပူချိန်မြင့်မားခြင်း အန္တရာယ်ကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးသည်။

ရိုးရိုးအကာအရံရွေးချယ်မှု နှိုင်းယှဉ်မှု (တစ်ချက်ကြည့်လိုက်တော့ လမ်းညွှန်)

ဖြစ်ရပ်မှန်နှင့် သုံးစွဲသူအကျိုးခံစားခွင့်များ (အတွေ့အကြုံ)

ထိပ်တန်း SiC epitaxy (Epi) ထုတ်လုပ်သူ-မူလအစိတ်အပိုင်းသည် မကိုက်ညီသည့် CVD TaC အပေါ်ယံအလွှာကို အသုံးပြုထားသောကြောင့် မျက်နှာချင်းဆိုင်စိတ်ဖိစီးမှုနှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် မကြာခဏ မိုက်ခရိုအက်ကွဲမှုများကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် သာမိုဒိုင်းနမစ် ပုံသဏ္ဍာန်များကို ပြန်လည်လုပ်ဆောင်ပြီး တစ်ခုသို့ ပြောင်းခဲ့သည်။CTE နှင့် ကိုက်ညီသော အထူးသန့်ရှင်းသော ဂရပ်ဖိုက်အလွှာ + ကြားခံအလွှာ + CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းဖြေရှင်းချက်။ ရလဒ်- ပျမ်းမျှအစိတ်အပိုင်း သက်တမ်းသည် နာရီ 200 မှ 850 နာရီအထိ တိုးလာသည်။ ကိရိယာတစ်ခုလျှင် နှစ်စဉ် အစားထိုးအကြိမ်ရေ 40 မှ 9 ကြိမ်အထိ ကျဆင်းသွားသည်။ ပြည့်စုံသော စက်ကိရိယာ O&M ကုန်ကျစရိတ် သက်သာမှုသည် တစ်နှစ်လျှင် ယွမ် 650,000 ကျော်လွန်သွားပါသည်။

TaC နှင့် SiC အပေါ်ယံပိုင်းများအတွက် GDMS သန့်စင်မှုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုအစီရင်ခံစာ

အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

သင်၏သီးသန့်ဝန်ဆောင်မှုကို ယခုစတင်လိုက်ပါ။