ESC ဦးဆောင်ထုတ်လုပ်သူများသည် အဘယ်ကြောင့် အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် ကြွေထည်များဆီသို့ ပြောင်းရွှေ့နေကြသနည်း။

ခေတ်မီတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်၊ ESC (ESC) အတွင်းရှိ ကြွေပြားပြားသည် ရိုးရှင်းသောပံ့ပိုးမှုထက် များစွာပိုပါသည်။ ၎င်းသည် wafer အပူချိန်တူညီမှု၊ ထိန်းညှိမှုတည်ငြိမ်မှုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ် ထပ်တလဲလဲဖြစ်နိုင်မှုတို့၏ လက်တွေ့ကျသောကန့်သတ်ချက်များကို သတ်မှတ်ပေးသည်။ စက်ပစ္စည်း ဆုံမှတ်များ ကျုံ့သွားပြီး အပူဘတ်ဂျက်များ တင်းကျပ်လာသည်နှင့်အမျှ သမားရိုးကျ အလူမီနာ (Al₂O₃) အလွှာများသည် ပလာစမာ အက်ဆစ်၊ CVD နှင့် အဆင့်မြင့် ရေးခြစ်ထားသော ကိရိယာများ၏ လိုအပ်ချက်များကို မဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်တော့ပါ။ ဤဖြစ်ရပ်မှန်သည် ESC ထုတ်လုပ်သူများကို အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ် (AlN) ကြွေထည်များဆီသို့ တွန်းပို့နေသည်။

1.Substrate သည် Chuck Performance ကိုဆုံးဖြတ်သည်။

Electrostatic chuck များကို ဒီဇိုင်းထုတ်ပြီး တည်ဆောက်သည့်ကုမ္ပဏီများအတွက်၊ ကြွေထည်အလွှာသည် wafer နှင့် အဓိကအပူနှင့် လျှပ်စစ်ကြားခံဖြစ်သည်။ ယုံကြည်စိတ်ချရသော electrostatic ကုပ်တွယ်မှုအတွက် လိုအပ်သော dielectric ဂုဏ်သတ္တိများကို ထိန်းသိမ်းထားစဉ်တွင် ၎င်းသည် လျင်မြန်ပြီး တစ်ပြေးညီ အပူလွှဲပြောင်းပေးရပါမည်။ အဆင့်မြင့် လုပ်ငန်းစဉ် node များတွင်၊ သေးငယ်သော အပူချိန် gradients သို့မဟုတ် wafer warpage သည်ပင် အထွက်နှုန်းဆုံးရှုံးမှုအဖြစ် ဘာသာပြန်နိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် ပစ္စည်းရွေးချယ်မှုသည် ရွေးချယ်ခွင့်မရှိတော့ပေ—၎င်းသည် အလူမီနာ၏ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာကန့်သတ်ချက်များနှင့် AlN ၏ရှင်းလင်းသောအားသာချက်များကြောင့်မောင်းနှင်သော အဓိကအင်ဂျင်နီယာဆုံးဖြတ်ချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။

2.အလူမီနာနှင့် အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ်- ရှင်းလင်းသော နည်းပညာပိုင်းဆိုင်ရာ ဆန့်ကျင်ဘက်

ESC အင်ဂျင်နီယာများသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော အပလီကေးရှင်းများတွင် အလူမီနာ၏ ချို့ယွင်းချက်များကို တိုက်ရိုက်ဖြေရှင်းပေးသောကြောင့် AlN ကို ရွေးချယ်သည်။ အောက်ဖော်ပြပါ နှိုင်းယှဉ်ချက်သည် သက်ဆိုင်ရာ ကွာခြားချက်များကို မီးမောင်းထိုးပြသည်-

အပူစီးကူးမှုကွာဟချက်သည် ပြတ်သားသည်။ မြင့်မားသောလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် ပိုမိုတင်းကျပ်သောအပူချိန်ထိန်းချုပ်မှု၊ မြန်ဆန်သောအပူတုံ့ပြန်မှုနှင့် ကြီးမားသော wafer များတစ်လျှောက် ပိုမိုကောင်းမွန်သော လုပ်ငန်းစဉ်တူညီမှုအဖြစ်သို့ ဘာသာပြန်သည်— ညှိနှိုင်းမရနိုင်သော node များသည် 5 nm နှင့် 3 nm အောက်တွင် ရွေ့လျားသွားသောကြောင့် ညှိနှိုင်းမရနိုင်ဖြစ်လာသည်။

3.ESC ထုတ်လုပ်သူများသည် အလွတ်အလွှာတစ်ခုထက်ပို၍ လိုအပ်သောအရာများ

သန့်စင်မြင့် AlN အပြားသည် အစပြုသည့်အချက်သာဖြစ်သည်။ ထုတ်လုပ်မှုအဆင်သင့် ESC သို့ အောင်မြင်စွာပေါင်းစည်းခြင်းသည် ကြွေထည်ရောင်းချသူထံမှ အပိုစွမ်းဆောင်ရည်များ လိုအပ်သည်-

1. အပူပေးစက်များနှင့် လျှပ်ကူးပစ္စည်းများအတွက် တိကျသောသတ္တုပြုလုပ်ခြင်းရှုပ်ထွေးသော တန်စတင် သို့မဟုတ် မိုလစ်ဘဒင်နမ်ပတ်လမ်းပုံစံများကို ခိုင်ခံ့သော adhesion နှင့် တည်ငြိမ်သော conductivity ဖြင့် ရိုက်နှိပ်ရန်၊ ချထားသော သို့မဟုတ် ပူးတွဲပစ်ခတ်ရပါမည်။ ဖလင်အထူနှင့် HTCC လုပ်ငန်းစဉ်များသည် chuck ၏သက်တမ်းတစ်လျှောက် တသမတ်တည်းလျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်မှုအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။

2. နာနိုစကေး မျက်နှာပြင် ချောမွတ်မှုနှင့် ချောမွေ့မှု။wafer-contact face သည် optical flatness (ပုံမှန်အားဖြင့် TTV 1 µm အောက်) နှင့် တင်းကျပ်စွာ ထိန်းချုပ်ထားသော micro-roughness လိုအပ်ပါသည်။ မျက်နှာပြင်သည် Ra ဖြင့် 10 nm အောက်တွင် တသမတ်တည်း ပြီးမြောက်ပြီး အပူထိတွေ့မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီး wafer ကပ်ခြင်းအန္တရာယ်ကို လျှော့ချပေးသည်။

3. သတ္တုအခြေခံပြားများနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော ချည်နှောင်မှု။ပေးသွင်းသူသည် ကြိုတင်ဘွန်းလုပ်ထားသော AlN-stainless-steel စည်းဝေးပွဲများကို ပေးပို့သည်ဖြစ်စေ သို့မဟုတ် ဖောက်သည်ချိတ်ဆက်မှုအတွက် မျက်နှာပြင်များကို ပြင်ဆင်သည်ဖြစ်စေ၊ ရေရှည်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှုကို သေချာစေရန် သက်သေပြထားသော ပွတ်တိုက်အားနှင့် အပူ-စက်ဝန်းဒေတာ လိုအပ်ပါသည်။

4. သင်၏ AlN အလွှာရောင်းချသူအား မေးရန် အဓိကမေးခွန်းများ

ဒေတာစာရွက်တစ်ခုတည်းနဲ့ မလုံလောက်ပါဘူး။ ESC တည်ဆောက်သူများသည် အောက်ပါအချက်များနှင့်ပတ်သက်၍ အလားအလာရှိသော ပါတနာများကို ဖိအားပေးသင့်သည်-

1. ပမာဏတစ်ခုမှတစ်ခုသို့ အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် မည်မျှ တသမတ်တည်းဖြစ်သနည်း၊ ၎င်းကို မည်သည့်တိုင်းတာမှုနည်းလမ်းများက အတည်ပြုသနည်း။

2. သက်ဆိုင်ရာ ကြိမ်နှုန်းများနှင့် အပူချိန်များတွင် dielectric constant နှင့် loss tangent ပါ၀င်သော ပြီးပြည့်စုံသော material characterization package ကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသလား။

3. မည်သည့် ပြားချပ်ချပ် (TTV၊ လေး) နှင့် မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု (Ra) တန်ဖိုးများကို စံအဖြစ် အာမခံပါသလဲ။

4. မည်သည့်သတ္တုဖြင့်ပြုလုပ်ခြင်းစနစ်များရရှိနိုင်သနည်း၊ မည်ကဲ့သို့ ကပ်တွယ်မှုအားကောင်းခြင်း (ဥပမာ၊ အခွံစမ်းသပ်မှုရလဒ်) ကို သင်ပြသနိုင်သနည်း။

5. သတ်မှတ်ထားသော အောက်ခံပြားများအတွက် ကြိုတင်သတ္တုပြုလုပ်ခြင်း သို့မဟုတ် ဘောင်ခတ်ခြင်းကဲ့သို့သော အစုအဝေးခွဲရွေးချယ်စရာများကို သင် ပေးဆောင်ပါသလား။ ဤဝန်ဆောင်မှုများသည် ပေါင်းစည်းမှုအချိန်ကို တိုစေကာ အန္တရာယ်ကို လျှော့ချနိုင်သည်။

5.နိဂုံး- AlN သည် နောက်မျိုးဆက် ESC များအတွက် မဟာဗျူဟာရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။

အလူမီနာမှ အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ်သို့ ပြောင်းရွှေ့ခြင်းသည် အဆင့်မြင့် node များ၏ အပူထိန်းချုပ်မှုလိုအပ်ချက်များကို ပစ်မှတ်ထားသည့်အခါ ESC ထုတ်လုပ်သူမှ လုပ်ဆောင်နိုင်သည့် အမြင့်ဆုံးသော ဆုံးဖြတ်ချက်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ သို့သော် အသွင်ကူးပြောင်းရေးသည် ရိုးရှင်းသော ပစ္စည်းလဲလှယ်မှုမဟုတ်ပါ။ ၎င်းသည် ကြွေထည်ပြုလုပ်ခြင်း၊ တိကျသောစက်ပြုလုပ်ခြင်း၊ သတ္တုပြုလုပ်ခြင်းနှင့် လုပ်ငန်းဆိုင်ရာပေါင်းစပ်မှုကို နားလည်သော ပေးသွင်းသူတစ်ဦးကို တောင်းဆိုပါသည်။

VeTek Semiconductor တွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် သန့်စင်မှုမြင့်မားသော အဆင့်မြင့်ကြွေထည်ဖြေရှင်းချက်များနှင့် ဆက်စပ်ပစ္စည်းများဖြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဂေဟစနစ်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ အာရုံစူးစိုက်မှုသည် ပစ္စည်းအရည်အသွေး၊ လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် လိုက်ဖက်ညီမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော ထောက်ပံ့မှုတွင် ESC နှင့် စက်ပစ္စည်းလုပ်ဖော်ကိုင်ဖက်များသည် AlN ၏ ပင်ကိုယ်အားသာချက်များကို တည်ငြိမ်ပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော chuck ဒီဇိုင်းများအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးပါသည်။

သင်၏မျိုးဆက်သစ် electrostatic chuck ပလပ်ဖောင်းအတွက် AlN substrates သို့မဟုတ် ဆက်စပ်ကြွေထည်အစိတ်အပိုင်းများကို အကဲဖြတ်နေပါက၊ သင်၏နည်းပညာဆိုင်ရာလိုအပ်ချက်များကို ကျွန်ုပ်တို့၏အဖွဲ့နှင့် ဆွေးနွေးရန် သင့်အား ဖိတ်ခေါ်အပ်ပါသည်။ သင်၏ဒီဇိုင်းပန်းတိုင်များနှင့်အညီ အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေသော ပစ္စည်းဒေတာ၊ စွမ်းဆောင်ရည်အချက်အလက်နှင့် အက်ပ်ပံ့ပိုးမှုရယူရန် VeTek Semiconductor သို့ ဆက်သွယ်ပါ။