သတင်း

သတင်း

ကျွန်ုပ်တို့၏အလုပ်၏ရလဒ်များ၊ ကုမ္ပဏီသတင်းများနှင့် သင့်အား အချိန်နှင့်တစ်ပြေးညီ တိုးတက်မှုများနှင့် ဝန်ထမ်းခန့်အပ်မှုနှင့် ဖယ်ရှားမှုအခြေအနေများအကြောင်း သင့်အား မျှဝေလိုသည်မှာ ဝမ်းမြောက်မိပါသည်။
Veteksemicon ၏ကာဗွန်ဖိုက်ဘာထုတ်ကုန်စက်ရုံများသို့ 0 ယ်ယူရန်ဖောက်သည်များ10 2025-09

Veteksemicon ၏ကာဗွန်ဖိုက်ဘာထုတ်ကုန်စက်ရုံများသို့ 0 ယ်ယူရန်ဖောက်သည်များ

2025, စက်တင်ဘာ 5 ရက်နေ့တွင်ပိုလန်နိုင်ငံမှဖောက်သည်တစ် ဦး သည်ကာဗွန်ဖိုင်ဘာထုတ်ကုန်များထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်ကျွန်ုပ်တို့၏အဆင့်မြင့်နည်းပညာများနှင့်ဆန်းသစ်တီထွင်မှုဖြစ်စဉ်များကိုလေ့လာရန် VETEK မှစက်ရုံတစ်ရုံသို့သွားရောက်ခဲ့သည်။
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း Epitaxy ရှိ CVD အလွှာများ- အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ၊ SiC/TaC ရွေးချယ်မှုနှင့် ချို့ယွင်းမှု ထိန်းချုပ်မှု04 2026-09

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း Epitaxy ရှိ CVD အလွှာများ- အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ၊ SiC/TaC ရွေးချယ်မှုနှင့် ချို့ယွင်းမှု ထိန်းချုပ်မှု

CVD SiC နှင့် TaC အပေါ်ယံပိုင်းများသည် အပူတည်ငြိမ်မှု၊ ညစ်ညမ်းမှု၊ အမှုန်အမွှားများနှင့် ထပ်တလဲလဲဖြစ်နိုင်မှုအပေါ် သက်ရောက်မှုဇယားများ၊ အပေါ်ယံရွေးချယ်မှုဆုံးဖြတ်ချက်သစ်ပင်၊ ချို့ယွင်းမှုယန္တရားများနှင့် RFQ စံနှုန်းများပါရှိသော နည်းပညာဆိုင်ရာ စက္ကူဖြူစာတမ်း။
TaC Coating- 8 လက်မ Silicon Carbide PVT Epitaxy အတွက် အထွက်နှုန်းတံခါးစောင့်28 2026-08

TaC Coating- 8 လက်မ Silicon Carbide PVT Epitaxy အတွက် အထွက်နှုန်းတံခါးစောင့်

8-လက်မ SiC သည် ယခုအခါ ထုထည်ထုတ်လုပ်မှုတွင် ပါဝင်နေပြီဖြစ်သော်လည်း wafer အထွက်နှုန်း—စွမ်းရည်မဟုတ်—အနိုင်ရသူများကို ခွဲခြားထားသည်။ ဤလမ်းညွှန်တွင် ဂရပ်ဖိုက်ပူသောဇုန် အစိတ်အပိုင်းများပေါ်တွင် TaC အပေါ်ယံအကာဖြင့် အဘယ်ကြောင့် အထွက်နှုန်းကို ဆုံးဖြတ်သည်၊ နှင့် ပေးသွင်းသူအား မည်ကဲ့သို့ အရည်အချင်းပြည့်မီရမည်ကို ရှင်းပြထားသည်။
X
သင့်အား ပိုမိုကောင်းမွန်သောကြည့်ရှုမှုအတွေ့အကြုံကို ပေးဆောင်ရန်၊ ဆိုက်အသွားအလာကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာပြီး အကြောင်းအရာကို ပုဂ္ဂိုလ်ရေးသီးသန့်ပြုလုပ်ရန် ကျွန်ုပ်တို့သည် ကွတ်ကီးများကို အသုံးပြုပါသည်။ ဤဆိုက်ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ cookies အသုံးပြုမှုကို သင်သဘောတူပါသည်။ကိုယ်ရေးအချက်အလက်မူဝါဒ