သတင်း

ဆောင်းပါးကအပူချိန် gradient ကိုတစ်ခုတည်းသောကြည်လင်မီးဖိုဖြင့်ရှင်းပြသည်။ Crystal ကြီးထွားမှု, ခိုင်ခံ့သောအရည် interface နှင့်အပူချိန် gradient ၏အခန်းကဏ် in တို့တွင်ငြိမ်သက်ခြင်းနှင့်ပြောင်းလဲနေသောအပူလယ်ကွင်းများကိုဖုံးအုပ်ထားသည်။

Taiko Pright Taiko Product သည်၎င်း၏အခြေခံအားဖြင့်အားသာချက်များ,

8 လက်မအရွယ် SIC Explaxial Funace နှင့် Homoepititaxial လုပ်ငန်းစဉ်သုတေသန

ဆောင်းပါးသည် ဆီလီကွန်၊ GaAs၊ SiC နှင့် GaN ကဲ့သို့သော ဆီလီကွန်၊ GaAs၊ SiC နှင့် GaN ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာ၏ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာထားသည်။

ဤဆောင်းပါးသည် Gan-based ပစ္စည်းများ၏ကြည်လင်သောပုံရိပ်များဖွဲ့စည်းပုံအပါအ 0 င် Gan-based epitaxial နည်းပညာကိုဖော်ပြထားသည်။ Pvd အခြေခံမူများအပေါ် အခြေခံ. အပူချိန်နိမ့်ကျသော epitaxial နည်းပညာ၏အားသာချက်များနှင့်အကောင်အထည်ဖော်ခြင်းဆိုင်ရာဖြေရှင်းနည်းများ,

ဤဆောင်းပါးသည် TAC ၏မော်လီကျူးဖွဲ့စည်းပုံနှင့်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများနှင့်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကိုမိတ်ဆက်ပေးခဲ့ပြီး Steredalum carbide နှင့် CVD Tantalum carbide ၏ကွဲပြားခြားနားမှုများနှင့် application များအပြင် Vetek Semiconductor ၏လူကြိုက်များသည့် TAC နှင့်ဖုံးထားသည့်ထုတ်ကုန်များကိုအာရုံစိုက်သည်။