သတင်း

ဤဆောင်းပါးသည် Gan-based ပစ္စည်းများ၏ကြည်လင်သောပုံရိပ်များဖွဲ့စည်းပုံအပါအ 0 င် Gan-based epitaxial နည်းပညာကိုဖော်ပြထားသည်။ Pvd အခြေခံမူများအပေါ် အခြေခံ. အပူချိန်နိမ့်ကျသော epitaxial နည်းပညာ၏အားသာချက်များနှင့်အကောင်အထည်ဖော်ခြင်းဆိုင်ရာဖြေရှင်းနည်းများ,

ဤဆောင်းပါးသည် TAC ၏မော်လီကျူးဖွဲ့စည်းပုံနှင့်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများနှင့်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကိုမိတ်ဆက်ပေးခဲ့ပြီး Steredalum carbide နှင့် CVD Tantalum carbide ၏ကွဲပြားခြားနားမှုများနှင့် application များအပြင် Vetek Semiconductor ၏လူကြိုက်များသည့် TAC နှင့်ဖုံးထားသည့်ထုတ်ကုန်များကိုအာရုံစိုက်သည်။

ဤဆောင်းပါးသည် CVD TAC နှင့် CVD TAC ကို အသုံးပြု. CVD နည်းလမ်းကို အသုံးပြု. CVD Method ကို အသုံးပြု. CVD TAC နှင့်ဖွဲ့စည်းခြင်းအတွက်အခြေခံနည်းလမ်းကိုမိတ်ဆက်ပေးသည်။

ဤဆောင်းပါးသည် TAC Coating ထုတ်ကုန်များကို CVD နည်းပညာကို အသုံးပြု. TAC နှင့် COCT နည်းပညာများကိုပြင်ဆင်ခြင်း၏တိကျသောလုပ်ငန်းစဉ်ကိုမိတ်ဆက်ပေးသည်။

ဤဆောင်းပါးသည် Sic Epitagaxial တိုးတက်မှုအတွက်အဓိကအဓိကအကြောင်းအရာများနှင့် Sic ဒတ်စတီနစ်ရေးလုပ်ငန်းလုပ်ငန်းတွင်ပါဝင်မှု၏အားသာချက်များကိုအာရုံစိုက်သည်။

Silicon carbide nanomaterials (SIC) သည် nanometer စကေး (1-100nm) တွင်အနည်းဆုံးရှုထောင့်တစ်ခုရှိသောပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ ဤပစ္စည်းများသည်သုည, တစ်ဆင့်သို့မဟုတ်သုံးဖက်မြင်နိုင်ပြီးကွဲပြားခြားနားသော applications များရှိနိုင်သည်။