SiC Ceramic Wafer Boat ဆိုတာ ဘာလဲ သတ်မှတ်ချက်များ၊ ပစ္စည်းများနှင့် အသုံးချမှုများ

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ အပူချိန်မြင့်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် wafers များကို ကိုင်တွယ်ခြင်း၊ ပံ့ပိုးပေးခြင်းနှင့် အပူပေးခြင်းတို့သည် အထူးပံ့ပိုးပေးသည့် အစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည့် wafer boat ပေါ်တွင် အားကိုးပါသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်အပူချိန်မြင့်တက်လာပြီး သန့်ရှင်းမှုနှင့် အမှုန်အမွှားထိန်းချုပ်မှုလိုအပ်ချက်များ တိုးလာသည်နှင့်အမျှ သမားရိုးကျ quartz wafer လှေများသည် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းတိုတောင်းခြင်း၊ ပုံပျက်နှုန်းမြင့်မားခြင်းနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်အားနည်းခြင်းစသည့် ပြဿနာများကို တဖြည်းဖြည်း ထုတ်ဖော်ပြသပါသည်။ဆီလီကွန်ကာဘိုင် (SiC) ကြွေထည်ဝါဖာလှေများဤအခြေအနေတွင် ပေါ်ထွက်လာပြီး တန်ဖိုးကြီး အပူပိုင်း စီမံဆောင်ရွက်ပေးသည့် ပစ္စည်းများတွင် အဓိက သယ်ဆောင်သူ ဖြစ်လာသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော ဓာတုတည်ငြိမ်မှုတို့ကို ပေါင်းစပ်ထားသည့် အင်ဂျင်နီယာ ကြွေထည်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။SiC ကြွေထည်များမြင့်မားသောအပူချိန် sintering ဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသော၊ သာလွန်ကောင်းမွန်သောအပူရှော့တိုက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်ရှိရုံသာမက oxidizing နှင့် corrosive ဝန်းကျင်များတွင် တည်ငြိမ်သောဖွဲ့စည်းပုံနှင့်အရွယ်အစားကိုလည်းထိန်းသိမ်းထားသည်။ ရလဒ်အနေဖြင့် wafer သင်္ဘောပုံစံအဖြစ် ဖန်တီးသောအခါ၊ ၎င်းသည် အပူချိန် 1100°C အထက်တွင် လည်ပတ်နေသော အပူချိန် 1100°C အထက်တွင် လည်ပတ်နေသော အပူချိန်မြင့်မားသော လုပ်ငန်းစဉ်များဖြစ်သည့် ပျံ့နှံ့မှု၊ ပျော့ပျောင်းမှုနှင့် ဓာတ်တိုးခြင်းကဲ့သို့သော မြင့်မားသော အပူချိန်လုပ်ငန်းစဉ်များကို စိတ်ချယုံကြည်စွာ ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။

1. SiC Ceramic Wafer Boat ဆိုတာ ဘာလဲ

wafer လှေများ၏ ဖွဲ့စည်းပုံကို အများအားဖြင့် အလွှာပေါင်းစုံ၊ အပြိုင်ဇယားကွက်ဖွဲ့စည်းမှုဖြင့် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး wafers အများအပြား သို့မဟုတ် ရာပေါင်းများစွာကို တပြိုင်နက်တည်း ကိုင်ဆောင်နိုင်စွမ်းရှိသည်။ SiC ကြွေထည်များ ၏ အားသာချက်များသည် အပူချိန်မြင့်သော အရှိန်မြှင့်ခြင်းနှင့် မြှင့်တင်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်များအတွင်း ၎င်းတို့အား အပူပုံပျက်ခြင်း သို့မဟုတ် microcracking ဖြစ်နိုင်ခြေနည်းစေသည်။ ထို့အပြင်၊ မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် သတ္တုညစ်ညမ်းမှုကို တင်းကြပ်စွာထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး ညစ်ညမ်းမှုအန္တရာယ်များကို သိသိသာသာလျှော့ချနိုင်သည်။ ၎င်းသည် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများ၊ SiC MOSFETs၊ MEMS နှင့် အခြားထုတ်ကုန်များ ထုတ်လုပ်ခြင်းကဲ့သို့သော သန့်ရှင်းမှုအတွက် အလွန်အထိခိုက်မခံသော လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် ၎င်းတို့ကို အလွန်သင့်လျော်စေသည်။

2. Quartz vs SiC နှင့် Graphite Wafer Boats- ပစ္စည်း နှိုင်းယှဉ်မှု

ရိုးရာ quartz wafer လှေများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်ဝါဖာလှေများသည် ပုံမှန်အားဖြင့် အပူချိန်မြင့်မားပြီး မကြာခဏ အပူရှိန် စက်ဘီးစီးလေ့ရှိသည့် အခြေအနေအောက်တွင် ၃-၅ ဆ ပိုရှည်ပါသည်။ ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော တောင့်တင်းမှုနှင့် ပုံပျက်ခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းသည် အထွက်နှုန်းကို တိုးတက်စေရန် ကူညီပေးသည့် တည်ငြိမ်သော wafer ချိန်ညှိမှုကို ပိုမိုရရှိစေသည်။ ပို၍အရေးကြီးသည်မှာ၊ SiC ပစ္စည်းများသည် မကြာခဏ အပူနှင့် အအေးစက်ဝန်းအတွင်း သေးငယ်သော အတိုင်းအတာပြောင်းလဲမှုများကို ထိန်းသိမ်းထားပြီး wafer အနားသတ်များ ကွဲအက်ခြင်း သို့မဟုတ် အမှုန်အမွှားများကြွေကျခြင်းကို လျှော့ချပေးပါသည်။

3. Silicon Carbide Wafer Boat Materials အမျိုးအစားများ

SiC wafer လှေအားလုံးသည် တူညီသော ကြွေထည်အဆင့်မှ ထုတ်လုပ်သည်မဟုတ်ပါ။ ကွဲပြားခြားနားသော ကုန်ထုတ်လုပ်မှုလမ်းကြောင်းများသည် ကွဲပြားသော အသေးစားဖွဲ့စည်းပုံများနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်လက္ခဏာများကို ထုတ်ပေးပါသည်။

3.1 Recrystalized Silicon Carbide (RSiC)

Recrystallized SiC ကို အပူချိန်မြင့်သော ကြွေထည်ပစ္စည်းများတွင် အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ အသုံးပြုသည်။ အဆင့်ပေါ်မူတည်၍ ၎င်းသည် ညစ်ညမ်းမှု၊ သန့်ရှင်းရေးနှင့် လုပ်ငန်းစဉ် လိုက်ဖက်ညီမှုကို အကဲဖြတ်ရာတွင် ထည့်သွင်းစဉ်းစားရမည့် ထင်ရှားသော အပေါက်ပေါက်များကို ပြသနိုင်သည်။

3.2 Sintered Silicon Carbide (SSiC)

Pressureless-sintered SiC သည် မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် ကောင်းသော အပူစွမ်းဆောင်ရည်တို့ဖြင့် သိပ်သည်းသော ကြွေထည်ဖွဲ့စည်းပုံကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။ အစစ်အမှန်ဂုဏ်သတ္တိများသည် ဖော်မြူလာ၊ ဆီထုတ်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ပစ္စည်းအဆင့်ပေါ်မူတည်သည်။

3.3 Reaction-Bonded Silicon Carbide (RBSiC / SiSiC)

Reaction-bonded SiC သည် ယေဘူယျအားဖြင့် ကျန်ရှိသော ဆီလီကွန်အဆင့် ပါရှိသည်။ ၎င်းသည် အမြင့်ဆုံးဝန်ဆောင်မှုအပူချိန်နှင့် ဓာတုသဟဇာတဖြစ်မှုကို လွှမ်းမိုးနိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် ၎င်း၏လုပ်ငန်းလည်ပတ်မှုကန့်သတ်ချက်များသည် RSiC သို့မဟုတ် SSiC တို့နှင့် တူညီသည်ဟု မယူဆသင့်ပါ။

3.4 SiC-Coated Graphite Wafer Carriers

SiC-coated graphite wafer carrier သည် monolithic SiC ceramic wafer boat နှင့် မတူညီသော တည်ဆောက်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။

၎င်းသည် အပ်နှံထားသော SiC အပေါ်ယံပိုင်းဖြင့် ကာကွယ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်အလွှာကို အသုံးပြုသည်။ ထိုသို့သော ဒီဇိုင်းများသည် တိကျသော အပူ-စီမံဆောင်ရွက်သည့် ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အားသာချက်များကို ပေးစွမ်းနိုင်သော်လည်း အပေါ်ယံပိုင်း ခိုင်မာမှု၊ ထိတွေ့နိုင်သော အစွန်းများနှင့် ညစ်ညမ်းမှု ဖြစ်နိုင်ချေကို အကဲဖြတ်ရပါမည်။

4. အနာဂတ် Outlook

စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးများတွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်ဝါဖာလှေများသည် ရိုးရာဆီလီကွန်ပစ္စည်းများမှ တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများအထိ အပူပိုင်းလုပ်ဆောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အဆင့်မြင့်စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်သူများအတွက် ဦးစားပေးရွေးချယ်မှုဖြစ်လာသည်။ ၎င်းတို့သည် ဒေါင်လိုက်ပြွန်မီးဖိုများနှင့် အလျားလိုက် ဓာတ်တိုးမီးဖိုများကဲ့သို့သော အမျိုးမျိုးသောအပူပြုပြင်ခြင်းကိရိယာများအတွက်သာ သင့်လျော်သည်သာမက၊ အပူချိန်မြင့်သော၊ အလွန်အဆိပ်ပြင်းသော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ၎င်းတို့၏ တည်ငြိမ်သောစွမ်းဆောင်မှုသည် လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိမှုနှင့် စက်ကိရိယာစွမ်းရည်အတွက် ခိုင်မာသောအာမခံချက်ကိုလည်း ပေးပါသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်ဝါဖာလှေများ တဖြည်းဖြည်း လူကြိုက်များလာခြင်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းကိရိယာများ၏ အဓိကပံ့ပိုးမှုအစိတ်အပိုင်းများကို ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်သည့် အဆင့်မြင့်ကြွေထည်ပစ္စည်းများ၏ အရှိန်အဟုန်ကို အမှတ်အသားပြုပါသည်။ သမားရိုးကျ quartz ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ မြင့်မားသော အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု၊ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံ တောင့်တင်းမှုနှင့် အပူပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုတို့တွင် ၎င်းတို့၏ အားသာချက်များသည် ပိုမိုမြင့်မားသော အပူချိန်နှင့် ပိုမိုတင်းကြပ်သော လုပ်ငန်းစဉ်ပြတင်းပေါက်များအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရသော ပစ္စည်းအခြေခံကို ပေးစွမ်းသည်။ လက်ရှိတွင်၊ 6 လက်မနှင့် 8 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်ဝါဖာလှေများကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းရှိ ဓာတ်အားပေးစက်များ၏ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုအပူကုသခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုလျက်ရှိသည်။

12 လက်မ သတ်မှတ်ချက်ကို အဆင့်မြင့် လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် အဆင့်မြင့် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများတွင် တဖြည်းဖြည်း မိတ်ဆက်လာကာ စက်ကိရိယာနှင့် ပစ္စည်းပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မှု၏ နောက်အဆင့်အတွက် အရေးကြီးသော ဦးတည်ချက်တစ်ခု ဖြစ်လာပါသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ 2-4 လက်မ wafer လှေများသည် သုတေသနပလက်ဖောင်းများနှင့် LED အလွှာလုပ်ဆောင်ခြင်း နှင့် လုပ်ငန်းစဉ်အတည်ပြုခြင်းကဲ့သို့သော တိကျသောလုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများတွင် ဆက်လက်ပါဝင်နေပါသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်ဝါဖာလှေများသည် တည်ငြိမ်မှု၊ အရွယ်အစား ထိန်းချုပ်မှုနှင့် ဆပ်ပြာစွမ်းရည်တို့တွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အားသာချက်များကို ပြသနိုင်မည်ဖြစ်ပြီး ဆက်စပ်ကြွေထည်ပစ္စည်းများ နည်းပညာ၏ စဉ်ဆက်မပြတ် ဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်ကို မောင်းနှင်ပေးမည်ဖြစ်သည်။

အမေးအဖြေများ

1. wafer လှေ၏အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်ကဘာလဲ။

wafer လှေတစ်စင်းသည် မီးဖိုလုပ်ငန်းဆောင်ရွက်နေစဉ်အတွင်း တိကျစွာနေရာယူထားသော semiconductor wafer များကို ကိုင်ဆောင်ထားသည်။ ၎င်း၏ အဓိက လုပ်ဆောင်ချက်များမှာ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပံ့ပိုးမှု၊ wafer ချိန်ညှိမှုနှင့် အပူနှင့် ဓာတုဗေဒ လုပ်ငန်းစဉ် ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် လိုက်ဖက်မှုတို့ ဖြစ်သည်။

2. SiC wafer boat နှင့် quartz wafer boat အကြား ကွာခြားချက်ကား အဘယ်နည်း။

SiC ကြွေထည်ဝါဖာလှေများသည် ယေဘုယျအားဖြင့် ပိုမိုမြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့် သင့်လျော်သောအဆင့်များအတွက် အပူချိန်မြင့်မားသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာစွမ်းရည်ကို ပေးစွမ်းသည်။ Quartz wafer လှေများသည် အပူချဲ့ထွင်မှု နည်းပါးပြီး သန့်ရှင်းသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ မီးဖိုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။ နှစ်သက်သောပစ္စည်းသည် လည်ပတ်မှုအခြေအနေများပေါ်တွင်မူတည်သည်။

3. SiC ceramic wafer သင်္ဘောသည် မည်သည့်အပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသနည်း။

SiC ကြွေထည်ဝါဖာလှေအားလုံးအတွက် တစ်ခုတည်းသော အပူချိန်ကန့်သတ်ချက်မရှိပါ။ အမြင့်ဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန် SiC အဆင့်၊ မီးဖိုလေထု၊ စက်ဝန်၊ ထိတွေ့မှုကြာချိန်နှင့် အပူစက်ဘီးစီးခြင်းအပေါ် မူတည်သည်။ အချောထည်အစိတ်အပိုင်းသည် ၎င်း၏ ရည်ရွယ်ထားသော လုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများအတွက် အရည်အချင်းပြည့်မီရပါမည်။

4. SiC wafer လှေများသည် ပျံ့နှံ့ခြင်းနှင့် ဓာတ်တိုးခြင်းအတွက် သင့်လျော်ပါသလား။

ဟုတ်ပါသည်၊ သင့်လျော်စွာရွေးချယ်ထားသောနှင့် အရည်အချင်းပြည့်မီသော SiC ကြွေထည်ဝါဖာလှေများကို ပျံ့နှံ့ခြင်းနှင့် ဓာတ်တိုးခြင်းဆိုင်ရာအသုံးချမှုများတွင် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ ပစ္စည်းဓာတုဗေဒ၊ မျက်နှာပြင်သန့်ရှင်းမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဒီဇိုင်းနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ဓာတ်ငွေ့များနှင့် ကိုက်ညီမှုရှိမရှိ စစ်ဆေးအတည်ပြုရပါမည်။

5. SiC ကြွေထည်ဝါဖာလှေများကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပါသလား။

Wafer လှေများကို မတူညီသော မီးဖိုဖွဲ့စည်းပုံများ၊ wafer အတိုင်းအတာ၊ အထိုင်ရေတွက်မှုများ၊ ကျင်းများနှင့် ပံ့ပိုးမှုဂျီသြမေတြီများ၊

6. အစိုင်အခဲ SiC နှင့် SiC-coated graphite wafer လှေများအကြား ကွာခြားချက်ကား အဘယ်နည်း။

Solid SiC ceramic wafer လှေများသည် ကြွေထည်ကိုယ်ထည်ကို အသုံးပြုကြပြီး SiC-coated graphite carriers များသည် အကာအကွယ် SiC အလွှာဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာကို အသုံးပြုသည်။ ၎င်းတို့၏ အပူတုံ့ပြန်မှု၊ ချို့ယွင်းမှု ယန္တရားများ၊ ညစ်ညမ်းမှုအန္တရာယ်များနှင့် ဝန်ဆောင်မှုကန့်သတ်ချက်များ ကွဲပြားသည်။

7. Wafer လှေများတွင် အမှုန်အမွှားများဖြစ်ပေါ်ခြင်းကို အဘယ်အရာက ဖြစ်စေသနည်း။

ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော အကြောင်းအရင်းများတွင် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပွန်းပဲ့ခြင်း၊ မသင့်လျော်သော wafer-contact geometry၊ deposited-film တည်ဆောက်ခြင်း၊ အပူပိုင်းပျက်စီးခြင်း၊ ကိုင်တွယ်ခြင်း သို့မဟုတ် သန့်ရှင်းရေးလုပ်စဉ်အတွင်း မျက်နှာပြင် ချို့ယွင်းချက်များနှင့် ညစ်ညမ်းမှုများ ပါဝင်သည်။ အမြစ်အကြောင်းအရင်းကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းသည် သယ်ဆောင်ပစ္စည်းနှင့် အမှန်တကယ် မီးဖိုလုပ်ငန်းစဉ်ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားသင့်သည်။