TaC Coating- 8 လက်မ Silicon Carbide PVT Epitaxy အတွက် အထွက်နှုန်းတံခါးစောင့်

8-Inch SiC အသွင်ကူးပြောင်းမှု ပြီးသွားပါပြီ။ အထွက်နှုန်းပြိုင်ပွဲ စတင်နေပြီဖြစ်သည်။

အဓိက နိဂုံးချုပ်ချက်များ- 8 လက်မ ခေတ်တွင် ယှဉ်ပြိုင်မှု အားသာချက် ရှိလာပါသည်။မီးဖိုတစ်ခုအတွင်း အထွက်နှုန်းမှ s နှင့် အထွက်နှုန်းကို ပူပြင်းသောဇုန်တွင် ဖြစ်ပျက်နေသည် — မည်သည့် wafer လုပ်ငန်းစဉ်မစတင်မီ အချိန်ကြာမြင့်စွာ ဆုံးဖြတ်သည်။

လွန်ခဲ့သောနှစ်နှစ်က 8-လက်မ SiC သည် လမ်းပြမြေပုံတစ်ခုဖြစ်သည်။ ယနေ့ခေတ်သည် ဈေးကွက်အမှန်တရားဖြစ်သည်။ ကုမ္ပဏီ 20 ကျော်သည် 2025 ခုနှစ်တွင် 8 လက်မအရွယ် SiC လိုင်းများကို တည်ဆောက် သို့မဟုတ် စီစဉ်နေပြီး အနည်းဆုံး ရှစ်ခုသည် 2026 ခုနှစ် ပထမနှစ်ဝက်တွင် ပူးပေါင်းခဲ့သည်။ Wolfspeed ၏ 8-လက်မစက်ပစ္စည်းဝင်ငွေသည် 2025 ခုနှစ်တွင် 103% တိုးလာခဲ့သည်။ Semixlab Technology သည် ၎င်း၏ 8 လက်မအရွယ် တင်ပို့ရောင်းချမှုများကို ယခုနှစ်တွင် 500-800% တိုးလာရန် မျှော်လင့်ထားသည်။ 2028 ခုနှစ်တွင်စက်မှုလုပ်ငန်းလေ့လာသုံးသပ်သူများသည် 8-လက်မ wafers 6-inch ထက်ပိုမိုရောင်းချရန်မျှော်လင့်ထားပြီး SiC စျေးကွက်သည်အမေရိကန်ဒေါ်လာ 10 ဘီလီယံနီးပါးရှိသည်။

TrendForce သည် 2-3 နှစ်အစာခြေခြင်းအဆင့်သို့ဝင်ရောက်သည့်စက်မှုလုပ်ငန်းတစ်ခုကိုဖော်ပြသည် — 6 လက်မစွမ်းရည်သည်ပိုလျှံနေနိုင်သော်လည်းအထွက်နှုန်းမြင့်မားသော 8 လက်မစွမ်းရည်သည်ရှားပါးနေဆဲဖြစ်သည်။ အထွက်နှုန်းက ကျုံးမဟုတ်၊ ပြီးလျှင် အထွက်နှုန်းတွင် လိပ်စာတစ်ခုရှိသည်- မီးဖို၏ပူပြင်းသောဇုန်။

8-Inch SiC Wafer Yield သည် Susceptor တွင် နံရံကို အဘယ်ကြောင့် ထိမိသနည်း။

သော့နိဂုံးs: မရှင်းပြနိုင်သော 8 လက်မ အထွက်နှုန်း ဆုံးရှုံးမှုအများစုသည် ရုပ်ဖျက်ရာတွင် အပူစက်ကွင်းပြဿနာဖြစ်သည် — နှင့် အပူစက်ကွင်းသည် ဂရပ်ဖိုက်ကို ကာကွယ်သည့်အပေါ်ယံပိုင်းကဲ့သို့ တည်ငြိမ်သည်။

8 လက်မ ရွေ့လျားမှု၏ စီးပွားရေးပညာမှာ ရိုးရှင်းသည်- crystal တစ်ခုလျှင် 78% ပိုသုံးနိုင်သော wafer area ခန့်။ ရူပဗေဒက ခွင့်လွှတ်မှုနည်းတယ်။ ဂရပ်ဖိုက် ဟာ့ဒ်ဝဲကို 200 မီလီမီတာအထိ ချဲ့ထွင်ခြင်းသည် 6 လက်မတွင် စာရင်းသွင်းရုံသာရှိသော ချို့ယွင်းမှုမုဒ်သုံးခုကို ချဲ့ထွင်စေသည်-

·Susceptor warpage. 200 မီလီမီတာ ဂရပ်ဖိုက်အပိုင်းကိုဖြတ်၍ အရှိန်အဟုန်ဖြင့် စက်ဘီးစီးခြင်းသည် အဏုစကုပ်ပုံပျက်ခြင်းကို ဖြစ်စေသည်။ အနားသတ်ချို့ယွင်းချက်များ — လက်ရှိ 8-လက်မလိုင်းများတွင် ထင်ရှားသောအထွက်နှုန်းလူသတ်သမား — အရင်းအမြစ်-အမှုန့်အရည်အသွေးထက် ဤစစ်ပွဲစာမျက်နှာသို့ မကြာခဏခြေရာခံသည်။

· အပူဓာတ် တူညီမှု ပျံ့လွင့်ခြင်း။. ပျက်စီးနေသော မီးဖိုချောင်သည် ပိုကြီးသော မီးဖိုချောင်အတွင်း တည်ငြိမ်သော အပူချိန်ပရိုဖိုင်ကို မထိန်းထားနိုင်ပါ။ သလင်းကျောက်သည် ရွေ့လျားနေသော အပူစက်ကွင်းကို မြင်ရပြီး ကြီးထွားမှု ရှေ့မျက်နှာစာသည် ဖိစီးမှုနှင့် ချို့ယွင်းချက်များဖြင့် တုံ့ပြန်သည်။

· ညစ်ညမ်းမှုနှေးကွေးခြင်း။. ၈ လက်မ လှုပ်ရှားမှုများသည် ပိုပူပြီး ပိုရှည်သည်။ အညစ်အကြေး မိုက်ခရိုဂရမ်တိုင်းသည် အကာအကွယ်အောက်မှ ဂရပ်ဖိုက် အစိတ်အပိုင်းများ ထုတ်လွှတ်ခြင်း သည် မိုက်ခရိုပိုက်များ၊ တူးထိုးကျင်းများနှင့် အရွေ့များ ဖြစ်သွားသည် — ရောင်းချနိုင်သော ဘူးခွံနှင့် အပိုင်းအစများကြား ကွာခြားချက်။

ဤအရာများထဲမှ တစ်ခုမှ "မီးပုံးပျက်ခြင်း" အဖြစ် wafer စစ်ဆေးရေးအစီရင်ခံစာတွင် မပေါ်ပါ။ ၎င်းတို့သည် ထင်ရှားသောအကြောင်းရင်းမရှိဘဲ အထွက်နှုန်းဆုံးရှုံးမှုအဖြစ် ပေါ်လာပြီး ၎င်းတို့ကို ဈေးကြီးစေသည်။

TaC Coating နှင့် SiC အပေါ်ယံပိုင်း- 1,600°C အထက်တွင် ပြောင်းလဲမှုများ

သော့ကောက်ချက်- 1,600°C အထက်တွင်၊ TaC သည် SiC အပေါ်ယံပိုင်းထက် ပရီမီယံအဆင့်မြှင့်ခြင်းမဟုတ်ပါ — ၎င်းသည် 8-လက်မကင်ပိန်းတစ်ခုလုံးအတွက် သန့်ရှင်းမှုနှင့် အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုအပေါ် မျဉ်းကိုထိန်းထားနိုင်သော တစ်ခုတည်းသော coating ဓာတုဗေဒဖြစ်သည်။

ဂရပ်ဖိုက်ပေါ်ရှိ SiC အပေါ်ယံလွှာများသည် ဆီလီကွန် epitaxy နှင့် အလယ်အလတ် အပူချိန် လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် နေရာရရှိခဲ့သည်။ သို့သော် 2,200–2,400°C တွင် PVT ကြီးထွားမှုနှင့် အပူချိန်မြင့်သော MOCVD သည် သင့်အား SiC coating chemistry အလုပ်လုပ်သည့် စနစ်သို့ တွန်းပို့သည်-

· အကြမ်းဖျင်းအားဖြင့် 1,600°C အထက်တွင် SiC အပေါ်ယံမှ ဟိုက်ဒရိုဂျင်နှင့် ဓာတ်ပြုပြီး ဂရပ်ဖိုက်ဓာတ်ငွေ့ထွက်ခြင်းနှင့် မြစ်အောက်ပိုင်း ချို့ယွင်းချက်များကို မောင်းနှင်ပေးခြင်း

· TaC သံချေးတက်နှုန်းများအကြောင်းအပူချိန်မြင့်မားသော အမိုးနီးယားရှိ SiC အပေါ်ယံပိုင်းထက် 6× နိမ့်ပြီး အပူချိန်မြင့် ဟိုက်ဒရိုဂျင်တွင် 10× ထက် ပိုနိမ့်သည်- ခေတ်မီတိုးတက်မှုအခန်းများကို လွှမ်းမိုးထားသည့် လေထုနှစ်ခု

· SiC coating သည် ဒါဇင်များစွာသော အပူသံသရာအတွက် ရှင်သန်နေသော အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်ပြီး TaC coating သည် ရာနှင့်ချီ၍ ရှင်သန်နေပါသည်။

Tantalum carbide သည် ဤအရာအားလုံးကို စားပွဲဆီသို့ တစ်ပြိုင်နက် ယူဆောင်လာပေးသည့် တစ်ခုတည်းသော လက်တွေ့ကျသော ပစ္စည်းဖြစ်သည်။

TaC-Coated Graphite အစိတ်အပိုင်းများသည် PVT ကြီးထွားမှုတွင် သူတို့ကိုယ်သူတို့ မည်သို့ပေးဆောင်မည်နည်း။

အဓိက နိဂုံးချုပ်ချက်များ- ကြာရှည်ခံသော ပူပြင်းသောဇုန်သည် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု ချွေတာခြင်းမဟုတ်ပါ — ၎င်းသည် မီးဖိုဖွင့်ချိန်၊ ပြန်လည်ရယူထားသော ပုံဆောင်ခဲများကို ပြန်လည်ရရှိပြီး ၎င်းတို့၏ မီးဖိုများဖွင့်ထားချိန်တွင် သင့်ပြိုင်ဘက်များကို ဆုံးရှုံးစေသည်။

ငွေကြေးအငြင်းအခုံက တုံးတိပဲ။ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းရန်အတွက် မီးဖိုကို စောစောဖွင့်ခြင်းသည် မီးဖိုခုံ၊ မြှင့်တင်ချိန်၊ ပြန်လည်တည်ငြိမ်သော အပူစက်ကွင်းနှင့် မည်သည့်ပုံဆောင်ခဲသည် အလယ်အလတ်ကြီးထွားမှုကို ကုန်ကျစေပါသည်။ စက်မှုပိုင်းခြားစိတ်ဖြာချက်များသည် ကြီးထွားမှုသံသရာ 50-200 တိုင်းတွင် တပ်ဆင်မှုအစားထိုးလဲလှယ်မှုကို ထည့်သွင်းပြီး ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းတွင် အရည်အချင်းပြည့်မီသော TaC coating ပေးသွင်းသူ 10 ဦးထက်နည်းသည်ကို သတိပြုပါ — အကြောင်းရင်းတစ်ခုမှာ wafer ထုတ်လုပ်သူများသည် ဒုတိယအရင်းအမြစ်များကို တက်ကြွစွာ အရည်အချင်းပြည့်မီသည်။

Field data သည် ခိုင်မာသော TaC စနစ်က ပေးဆောင်သည်များကို ပြသသည်-

· SiCrystal (Rohm Group) ရှိ PVT ဝန်ဆောင်မှုတွင်၊ CVD TaC-coated ဂရပ်ဖိုက် အစိတ်အပိုင်းများနှင့် pyrolytic ကာဗွန်အပေါ်ယံအလွှာများသည် အပူချိန်မြင့်မားသောအလေးချိန်ကို သုညဖြင့် နာရီ 200 အထိ သက်တမ်းတိုးစေကာ micropipe နှင့် etch-pit တွင်းသိပ်သည်းဆကို တိုင်းတာနိုင်သည်

· GaN/SiC epitaxy တွင်၊ TaC-coated fixtures များသည် SiC-coated equivalents များ၏ သက်တမ်း 2-3× ကို ထုတ်ပေးသည်

· ယခု တရုတ်ပရိုဂရမ်များသည် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း နာရီ 600 ကျော်လွန်သည့် TaC-coated အစိတ်အပိုင်းများကို သရုပ်ပြခဲ့သည် — ထောက်ပံ့ရေးစခန်းသည် ဓာတ်ခွဲခန်းစပ်စုချင်စိတ်ကို ကျော်လွန်သွားခဲ့ပြီဖြစ်သည်။

ပုံစံသည် တသမတ်တည်းဖြစ်သည်- ပူသောဇုန်သည် တည်ငြိမ်နေသောအခါ၊ အထွက်နှုန်းသည် အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။ မအောင်မြင်ပါက၊ downstream tuning ပမာဏသည် ဆုံးရှုံးမှုကို ပြန်လည်ရရှိမည်မဟုတ်ပေ။

8-Inch SiC Epitaxy အတွက် TaC Coating Supplier ကို အရည်အချင်းပြည့်မီအောင် ဘယ်လိုလုပ်မလဲ။

အဓိက နိဂုံးချုပ်ချက်များ- စာရင်းစစ်နိုင်သော အထောက်အထားများ — အများအပြားအဆင့် သန့်ရှင်းမှု အစီရင်ခံစာများ၊ ချိတ်ဆက်မှုဒေတာနှင့် အမည်ရှိ စက်ကိရိယာပလပ်ဖောင်းများ — ဒေတာစာရွက်တစ်ခုတည်းတွင် ဘယ်သောအခါမှ အရည်အချင်းပြည့်မီပါ။

8 လက်မ susceptor သည် 6-inch အပိုင်းမဟုတ်ပေ။ ပိုကြီးသော coating area သည် စိန်ခေါ်မှုတိုင်းကို အထူတူညီမှု၊ တွယ်ငြိမှု၊ အပူဖိစီးမှု၊ warpage နှင့် particle release တို့ဖြင့် ချဲ့ထွင်သည်။ ပေးသွင်းသူတစ်ဦးထံ ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းတစ်ခု မအပ်မီ အချက်ငါးချက်ကို နှိပ်ပါ-

1. ကြီးမားသောပုံစံစွမ်းရည်ပရောဂျက်မဟုတ်ကြောင်း သက်သေပြခဲ့သည်။. မူအရမဟုတ်ဘဲ သူတို့ထုတ်လုပ်တဲ့ အင်္ကျီအချင်းဘယ်လောက်ရှိလဲ မေးပါ။ Ø 750 မီလီမီတာအထိ ဖုံးအုပ်ထားသည့် Facilities များသည် လုပ်ငန်းစဉ်ဝင်းဒိုးအတွင်း 8-လက်မ ဟာ့ဒ်ဝဲကို ကောင်းမွန်စွာ ထားရှိပါ။ ပေးသွင်းသူ၏ စွမ်းဆောင်ရည်အနားရှိ Ø200 မီလီမီတာ အစိတ်အပိုင်းများသည် နောက်ပိုင်းတွင် သင်ပေးချေရမည့် အန္တရာယ်တစ်ခုဖြစ်သည်။

2. သန့်ရှင်းမှုဒေတာကို သင် aud နိုင်ပါသည်။အဲဒါ. အမှန်တကယ် အများအပြားအတွက် GDMS နှင့် D-SIMS အစီရင်ခံစာများကို တောင်းဆိုပါ။ အတန်းထဲတွင် အကောင်းဆုံး CVD TaC သည် 99.99953% သန့်စင်မှုဖြင့် လုပ်ဆောင်ပြီး 1 ppm အောက်တွင် အကူးအပြောင်းဒြပ်စင်များ (Fe, Ni, Cu) တို့ပါဝင်သည်။

3. Adhesion engiစိတ်အားထက်သန်ခြင်း။. 3 MPa အထက်ရှိသော နှောင်ကြိုးခိုင်ခံ့မှုရှိသော Buffer-layer နည်းပညာနှင့် ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ကိုက်ညီသော CTE သည် ပတ်ဝန်းကျင်မှ 2,300°C လည်ပတ်ရာနှင့်ချီသော ပတ်ဝန်းကျင်မှ ရာနှင့်ချီသော delamination ကိုရပ်တန့်စေသည်။ Run 40 တွင် အခွံခွာသော coating သည် coating မရှိခြင်းထက် ပိုဆိုးသည်။

4. စစ်မှန်သောဂျီသြမေတြီများပေါ်တွင် လိုက်လျောညီထွေရှိသော လွှမ်းခြုံမှု. ယူနီဖောင်း 30-40 μm အလွှာသည် ဂြိုလ်ဆက်ခံမည့်သူများ၊ အဖုံးများ၊ လွှဲကွင်းများနှင့် လဝက်အပိုင်းများကို ဖြတ်ကျော်ထားရမည် — ပြားချပ်ချပ်စမ်းသပ်ကူပွန်များသာမက။

5. ထုတ်လုပ်မှုသမိုင်းy အပေါ်သင်၏ကိရိယာများ. AIXTRON G5/G10၊ LPE၊ ASM နှင့် 3 μm-class machining နှင့် in-house GDMS၊ SEM၊ XRD နှင့် scratch testing တို့က ကျောထောက်နောက်ခံပြုထားသော ဦးဆောင် PVT ပလပ်ဖောင်းများတွင် ကွင်းဆင်းအတွေ့အကြုံသည် ပေးသွင်းသူသည် သင်တွေ့ကြုံရမည့် ပြဿနာများကို ဖြေရှင်းပြီးဖြစ်ကြောင်း ပြောပြသည်။

ကောက်ချက်

8 လက်မအကူးအပြောင်းသည် အပူ-စက်ကွင်းပစ္စည်းများကို ဗျူဟာမြောက်အဖြစ် ဆက်ဆံသည့်ကုမ္ပဏီများကို ဆုချသည်။ အထွက်နှုန်းကို အစီရင်ခံတင်ပြသော အစေ့အဆန်ထုတ်လုပ်သူများသည် ပူပြင်းသောဇုန်များ နာရီရာနှင့်ချီ၍ တည်ငြိမ်နေသူများဖြစ်သည်။ ဝယ်ယူသည့်လိုင်းပစ္စည်းအဖြစ် coated hardware များကို ကုသပေးသူများသည် အစွန်း-ချို့ယွင်းချက်မြေပုံများကို ကြည့်နေသူများဖြစ်သည်။

VeTek Semiconductor တွင် ကျွန်ုပ်တို့ ထုတ်လုပ်ပါသည်။CVD TaC-coated ဂရပ်ဖိုက် အစိတ်အပိုင်းများ- ဂြိုလ်နှင့် wafer susceptors၊ susceptor အဖုံးများ၊ crucibles နှင့် sublimation ထိန်းချုပ်မှုအတွက် porous TaC — 99.99953% coating purity၊ >3 MPa bonding strength၊ 30-40 μm conformal coverage နှင့် coating capability Ø750 mm အထိ။ ကျွန်ုပ်တို့၏အစိတ်အပိုင်းများသည် AIXTRON၊ LPE နှင့် ASM ပလပ်ဖောင်းများတွင် ထုတ်လုပ်ထားပြီး Rohm Group အလွှာကုမ္ပဏီမှ မြင့်မားသော သံချေးတက်သည့် PVT ဝန်ဆောင်မှုတွင် နာရီ 200 ကြာ ပြန်သုံးရန် ပို့ဆောင်ပေးပါသည်။ အစိတ်အပိုင်းတိုင်းသည် R&D ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုနှစ်စဉ်ဝင်ငွေ၏ 30% ထက်ကျော်လွန်သည့် R&D စင်တာနှစ်ခုမှ GDMS/D-SIMS ခြေရာခံနိုင်မှုဖြင့် ပို့ဆောင်ပါသည်။

8 လက်မ ချဉ်းကပ်လမ်းအတွက် အရည်အချင်းပြည့်မီသော အစိတ်အပိုင်းများ၊ သို့မဟုတ် သင်၏ hot-zone ထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်ကို အန္တရာယ်ဖြစ်စေမည့် ဒုတိယအရင်းအမြစ်ကို ရှာဖွေနေပါသလား။ကျွန်ုပ်တို့၏အင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့ကို ဆက်သွယ်ပါ။သင့်မီးဖိုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ဘောင်များတွင် နမူနာအကဲဖြတ်မှုတစ်ခုအတွက်။ Standard အစိတ်အပိုင်းများကို စတော့မှ တင်ပို့သည်။ ပုံမှန်အားဖြင့် 3-6 ပတ်အတွင်း စိတ်ကြိုက်အစိတ်အပိုင်းများကို ပို့ဆောင်ပေးပါသည်။

အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

Q1-TaC coating သည် မည်သည့်အပူချိန်ကို ခံနိုင်မည်နည်း။

တန်တလမ်ကာဗိုက်သည် အကြမ်းဖျင်း 3,880 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် အရည်ပျော်သည် — binary carbides အားလုံး၏အမြင့်ဆုံးဖြစ်သည်။ ထုတ်လုပ်မှုတွင်၊ TaC-coated ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများသည် အဆိပ်သင့်သော H₂ နှင့် NH₃ လေထုတွင် 2,300–2,600°C တွင် စဉ်ဆက်မပြတ်ဆောင်ရွက်ပေးသည်။

Q2-HTaC-coated graphite crucible သည် PVT ကြီးထွားမှုတွင် ကြာရှည်ခံပါသလား။

မှတ်တမ်းတင်ထားသော ကွင်းဆင်းရလဒ်များသည် အပူချိန်မြင့်မားသော ကိုယ်အလေးချိန်ကို သုညဖြင့် ပြန်လည်အသုံးပြုမှု နာရီ 200 ရှိလာပြီး ထိပ်တန်းပရိုဂရမ်များသည် အပေါ်ယံပိုင်းဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း၏ နာရီ 600 ကျော်လွန်သွားပါသည်။ ပုံမှန်အစားထိုးကာလများသည် လုပ်ငန်းစဉ်ပေါ် မူတည်၍ ကြီးထွားမှုသံသရာ 50-200 လည်ပတ်သည်။

Q3-SiC coating ထက် TaC ကို ဘယ်အချိန်မှာ ရွေးရမလဲ။

~1,600°C အောက်တွင် SiC coating သည် အသံကောင်း၊ ချွေတာသော ရွေးချယ်မှုတစ်ခုအဖြစ် ကျန်ရှိနေပါသည်။ ဟိုက်ဒရိုဂျင်နှင့် အမိုးနီးယားတို့သည် တပ်ဆင်အား တိုက်ခိုက်သည့် SiC PVT ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှုနှင့် အပူချိန်မြင့်သော MOCVD epitaxy အတွက် - TaC ၏ 6–10× ချေးမှုနှုန်း နည်းပါးပြီး အပူ-စက်ဘီးစီးသည့် သက်တမ်း ပိုကြာအောင် ၎င်းကို ပိုမိုလုံခြုံသော အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ ဆုံးဖြတ်ချက် ဖြစ်စေသည်။

ကိုးကား:

1. Wolfspeed။ "2025 ဘဏ္ဍာနှစ်အစီရင်ခံစာ - တရုတ်စျေးကွက် 8-လက်မစက်ပစ္စည်း၏ဝင်ငွေတိုးတက်မှု။" ၂၀၂၅။

2. TrendForce။ "ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ SiC ပါဝါစက်ပစ္စည်းစျေးကွက် ဆန်းစစ်ခြင်းအစီရင်ခံစာ 2026" အစီရင်ခံစာအမှတ် RP260401AC၊ 2026။

3. Momentive နည်းပညာများ။ "အပူချိန်မြင့်သော Semiconductor Applications များအတွက် TaC Coatings" နည်းပညာဒေတာစာရွက်၊ 2025။

အင်ဂျင်နီယာ Nickwu သည် CVD အပေါ်ယံပိုင်းနှင့် ကာဗွန်အခြေခံ အပူပိုင်းဇုန်ပစ္စည်းများ၏ R&D တွင် 15 နှစ်အတွေ့အကြုံရှိသည်။ ၈ လက်မ SiC epitaxy တွင်အသုံးပြုသည့် တရုတ်နိုင်ငံ၏ပထမဆုံး TaC-coated ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများအတွက် အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုကို မိတ်ဆက်ရန် ပရောဂျက်ကို ဦးဆောင်ခဲ့သည်။ သူသည် SiC crystal ကြီးထွားမှုအတွက် hot-zone ဒီဇိုင်းနှင့် ကျရှုံးမှုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းပရောဂျက်များတွင် ပါဝင်ခဲ့ပြီး hot-zone ပစ္စည်းများနှင့်ပတ်သက်သည့် တီထွင်မှုမူပိုင်ခွင့်ခုနစ်ခုကို ရရှိထားသည်။