အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ် (AlN) ကြွေထည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အချပ်

1.အားသာချက်များ

• ထိရောက်သောအပူလွှဲပြောင်းမှုနှင့် အပူချိန်တူညီမှုအတွက် ~180 W/m·K အထိအပူစီးကူးနိုင်သော သန့်စင်မှုမြင့်မားသော AlN ကြွေထည်

• 1-3 kV တွင် တည်ငြိမ်သော ကုပ်တွယ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးသည့် အားကောင်းသော လျှပ်စစ်ကာဗာနှင့် ထုထည်မြင့်မားသော ခုခံနိုင်စွမ်း (ပိုမိုမြင့်မားသော ဗို့အားများရရှိနိုင်သည်)

• စိတ်ကြိုက် dielectric အလွှာပစ္စည်းများနှင့် လျှပ်ကူးပစ္စည်း အပြင်အဆင်များ- Coulomb သို့မဟုတ် Johnsen-Rahbek (JR); တစ်ခုတည်း သို့မဟုတ် ဇုန်အစုံ

• ပုံမှန်အားဖြင့် 0.1 စက္ကန့်အောက် လျင်မြန်သောကုပ်နှင့် ကလစ်ဖြုတ်ခြင်း စွမ်းဆောင်ရည်

• မျက်နှာပြင်မှိန်ဖျော့သေးငယ်သောဖွဲ့စည်းပုံများသည် ~300 μm အချင်းအထိ၊ အဆက်အသွယ်ဧရိယာကို ~1% အထိလျှော့ချပေးသည်

• မြင့်မားသော flatness စွမ်းရည်; 300 မီလီမီတာ အတန်းအစား ပလပ်ဖောင်းများအတွက် 0.5-3 μm PV ၏ အစီအစဥ်တွင် ပုံမှန်ကမ္ဘာလုံးပြားပြား

• ရေစုပ်ယူမှု သုညနီးပါးနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ပတ်၀န်းကျင်အတွက် ကောင်းမွန်သော ဓာတုခံနိုင်ရည်ရှိသော သေးငယ်သောဖွဲ့စည်းမှု

2.ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ် Ceramic Electrostatic Chucks များကို လုံခြုံသော wafer ကိုင်ဆောင်မှုနှင့် ထိန်းချုပ်ထားသော အပူအငွေ့အသက် နှစ်မျိုးလုံး လိုအပ်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်အဆင့်များတွင် အသုံးပြုသည်-

• ခြောက်သွေ့သော ပလာစမာ etch (ICP/RIE) နှင့် ဆက်စပ်အခန်း လုပ်ငန်းစဉ်များ

• CVD၊ PEALD၊ အပူ ALD နှင့် အခြား ပါးလွှာသော ဖလင် အစစ်ခံခြင်း အဆင့်များ

• တူညီသော wafer အပူချိန်လိုအပ်သော အအေးခံခြင်းနှင့် အပူပေးသည့် လုပ်ငန်းစဉ် module များ

• အမှုန်အမွှားနည်းပါးပြီး တည်ငြိမ်သောကုပ်တွယ်မှုမှာ အရေးကြီးသော စစ်ဆေးခြင်း၊ တိုင်းတာခြင်း နှင့် တိကျသောအဆင့်များ

3.AlN ပစ္စည်းအဆင့်များ - ပုံမှန်ဂုဏ်သတ္တိများ

VeTek သည် အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ်အဆင့်များစွာကို အပူစီးကူးမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအားနှင့် ESC ဒီဇိုင်းများအတွက် ကုန်ကျစရိတ်ကို မျှတစေရန် ပံ့ပိုးပေးသည်-

ယူနစ်များ- W/(m·K); dielectric ခွန်အား kV/mm; ထုထည်ခုခံနိုင်စွမ်း Ω·စင်တီမီတာ (25°C); 1 MHz တွင် dielectric ကိန်းသေ။ တန်ဖိုးများသည် ပုံမှန်ဖြစ်ပြီး လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် အစိတ်အပိုင်း ဂျီသြမေတြီတို့နှင့်အတူ ကွဲပြားနိုင်သည်။

4.ပုံမှန် ESC ဒီဇိုင်း ကန့်သတ်ချက်များ

5.Choo ဘာကြောင့်လဲ။VeTek AlN Electrostatic Chucks များလား။

VeTek Semiconductor သည် အပူစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော ကုပ်ကြိုးနှစ်ခုစလုံးကို လိုအပ်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖောက်သည်များအတွက် တိကျသော ESC ထုတ်လုပ်မှုနှင့် အဆင့်မြင့် AlN ကြွေထည်များကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။

• လုပ်ငန်းစဉ်အပူဘတ်ဂျက်များနှင့်ကိုက်ညီရန် ~ 90 မှ ~ 180 W/m·K မှအပူစီးကူးနိုင်သော AlN အဆင့်များစွာ

• Coulomb သို့မဟုတ် JR ကုပ်ခြင်းအပြုအမူအတွက် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော အီလက်ထရောနစ်နှင့် ဒိုင်လျှပ်ထရစ်ဒီဇိုင်း

• ပြားချပ်ချပ်၊ မျက်နှာပြင်အသေးစားဖွဲ့စည်းပုံနှင့် လျှပ်စစ်လျှပ်ကာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို တင်းကျပ်စွာ ထိန်းချုပ်ခြင်း။

• ဘဝသံသရာ အပြည့်အဝပံ့ပိုးမှု- ဒီဇိုင်း၊ တည်ဆောက်မှုအသစ်နှင့် အဆင့်ပေါင်းများစွာ ပြန်လည်မွမ်းမံခြင်း။

တူညီသော wafer အပူချိန်နှင့် သန့်ရှင်းပြီး ထပ်ခါတလဲလဲ ကုပ်ခြင်းအပေါ် မူတည်သော ထုထည်၊ ထုတ်ယူခြင်းနှင့် အပူပေးကိရိယာများအတွက် VeTek အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် ကြွေထည်လျှပ်စစ်စတီကျိတ်ချပ်များသည် အက်ပလီကေးရှင်းကို အာရုံစိုက်သည့် အင်ဂျင်နီယာပံ့ပိုးမှုဖြင့် ကျောထောက်နောက်ခံပြုထားသော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ကြွေထည်ပလပ်ဖောင်းကို ပေးပါသည်။