မြင့်မားသောသန့်ရှင်းရေးဖိုက်ဖျားပျော့ခံစားခဲ့ရ

အပူလယ်ပြင် insulatorator ကို carbon ပစ္စည်းများလျှောက်လွှာနောက်ခံ

အပူလယ်ပြင် insulatorated carbon ပစ္စည်းများကိုအပူနယ်ပယ်လုပ်ငန်းအစိတ်အပိုင်းများနှင့်မီးဖိုချောင်သုံးအဖွဲ့များအတွင်းတွင်ပါ 0 င်သည်။ ကာဗွန်ဖိုင်ဘာတွင်အပူဓာတ်စီးစီးဆင်းမှုမြင့်မားသော်လည်းကာဗွန်ဖိုင်ဘာပစ္စည်းသည်ချောင်နှင့်ကာဗွန်ဖိုင်ဘာပိုလီမာဖြစ်သည်။ အမျှင်များသည် 0 မ်းနည်းသည့်ခန္ဓာကိုယ်၏ပုံသဏ္ဌာန်ကိုထိန်းသိမ်းရန်ပွတ်တိုက်အပေါ်မှီခိုနေရသည်။ အမျှင်များကိုအတူတူထပ်တူထပ်တူနေပြီးအစိုင်အခဲအပူ conduction လမ်းကြောင်းမှတဆင့်ပြောင်းရွှေ့မှုကိုများစွာလျော့နည်းစေသည်။ အထူးသဖြင့်အပူချိန်မြင့်သောအပူနယ်ပယ်များတွင် (ဥပမာ 800 ℃) အထက်တွင်ဖော်ပြထားသောဓါတ်ရောင်ခြည်ပြင်းထန်မှုတိုးပွားလာပြီးအပူဓာတ်သည်အပူလွှဲပြောင်းခြင်း၏အဓိကပုံစံဖြစ်လာသည်။ ဓါတ်ရောင်ခြည်လှိုင်းများသည်အမျှင်များအကြားအဆက်မပြတ်ရောင်ပြန်ဟပ်ပြီးခံစားခဲ့ရသောခန္ဓာကိုယ်အတွင်း၌ပျောက်ကွယ်သွားသည်။

အသုံးအများဆုံးအပူဓာတ်အစက်အပြောက်ပစ္စည်းသည်ကွဲပြားခြားနားသောပုံစံများဖြင့်ခံစားခဲ့ရသည့်မြင့်မားသောသန့်စင်ခြင်းဂရပ်ဖစ်ပျော့ပျောင်းသည်။ မြင့်မားသောသန့်ရှင်းရေးပ ပျော့ပျောင်းသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောဖိုက်ဖျားနူးညံ့သိမ်မွေ့သောခံစားချက်သည်အတော်လေးပါးလွှာသောစာရွက်များထဲသို့ယက် လုပ်. လိုချင်သောပုံသဏ် chip ာန်ကိုဖြတ်ပြီးကျိုးကြောင်းဆီလျော်သောအချင်းဝက်ထဲသို့တင်းတင်းကျပ်ကျပ်ထည့်လိုက်သည်။

မြင့်မားသောသန့်ရှင်းရေးပရဝပျော့ပျောင်းသော soft classification

အသုံးပြုသောကွဲပြားခြားနားသောကုန်ကြမ်းများအရသန့်ရှင်းသောသန့်ရှင်းရေးပရဝဲဖြားဖွယ်ကောင်းသောခံစားချက်များကိုအမျိုးအစားသုံးမျိုးခွဲခြားနိုင်သည်။ Pan-based, Viscose-based နှင့်ကတ်တရာ -based:

Pan-based နှင့်ကတ်တရာအခြေပြုပစ္စည်းများနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက Viscose-based carbon ပစ္စည်းများသည်အပူ insulation တွင်ပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသည်။ ထို့ကြောင့်, Viscose-based currity softite soft felt သည် Semiconductor နှင့် Photovoltaic termal field in insulation in insulation in insultults အတွက်အဓိကရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်။

pvt နည်းလမ်းအတွက်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောဖိုက်ဖြားပျော့၏လျှောက်လွှာ

PVT Method သည်များသောအားဖြင့်စက်မှုလုပ်ငန်းတွင်ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာလက်သာယာသော Crystal ကိုစိုက်ပျိုးလေ့ရှိသည်။ Sic Powder သည်ဖောင့်ခွံ၏အောက်ခြေနှင့်ပြည့်နှက်နေသည်။ Coc Gain Crystal သည် CONSE CRYSTAL သည် CASHTED CONSTAL တွင် CANGES CRACHION အဖုံးအတွင်းကပ်လျက်တည်ရှိပြီး, ပြင်ပသန့်စင်ခြင်းဂရင့်ဖြားကားဖုံဖောင်းပွမှုခံစားခဲ့ရသည့်အပူချိန်ကိုချိန်ညှိခြင်းအားဖြင့် Sic Raw ပစ္စည်းများသည်အပူချိန်ဇုန်တွင်ထားရှိပြီး Sic Geet Crystal သည်အပူချိန်ဇုန်တွင်ရှိသည်။

ဤလုပ်ငန်းစဉ်တွင် croucible နှင့်ပတ် 0 န်းကျင်အပူဓာတ်ငွေ့ insulator ဆိုင်ရာပစ္စည်းကိရိယာများဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသောအပူ fiod area ရိယာသည် Sic Sictal Crystal တိုးတက်မှုအတွက်အရေးအကြီးဆုံးနေရာဖြစ်သည်။ Crystal Communch Chamber သည်အလွန်မြင့်မားသောအပူချိန် (3000 ℃အထိ) သည်မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် Vetek Semiconductor မြင့်မားသောဖောင်းပွမှုသည်ထိုကဲ့သို့သောအပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည် ရှိ. မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားခြင်း,

Vetek Semiconductor မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောဖိုက်ဖျားနူးညံ့သိမ်မွေ့မှုသည် induction formaces များရှိမရှိမဖြစ်လိုအပ်သော insulation ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ အလုပ်လုပ်သည့်အခါ induction formaces များသည်အပူများများပြားစေပြီးသန့်စင်ခြင်းဂရပ်ဖစ်ပျော့ပျောင်းသောခံစားမှုသည်အပူချိန်အတွင်းရှိအပူချိန်၏အပူချိန်ကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီးအပူချိန်၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်သေချာစေသည့်အပူချိန်နည်းခြင်းနှင့်သတ်သတ်မှတ်မှတ်အပူနည်းပါးသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းရေးပွန်န်ဒူးပျော့ပျောင်းသောခံစားချက်များသည် induction farmace bodace body ကိုမီးဖိုထဲမှဖယ်ရှားခြင်းနှင့်ထုတ်ဖော်ပြောဆိုခြင်းတို့တွင်ပါ 0 င်သည်။

Vetek Semiconductuctor မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောပ charity current currite soft felt fere အတွက်ဒေတာစာရွက်

Vetek Semiconductor မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောဖိုက်ဖျားနူးညံ့သည့်ထုတ်ကုန်များ