QR ကုဒ်

ကြှနျုပျတို့အကွောငျး
ထုတ်ကုန်များ
ကြှနျုပျတို့ကိုဆကျသှယျရနျ
ဖုန်း
ဖက်စ်
+86-579-87223657
အီးမေး
လိပ်စာ
Wangda လမ်း, Ziyang လမ်း, ဝမ်မြို့, ဂျီဟွာမြို့, ဂျီဟွာစီးတီး, Zhejiang ပြည်နယ်,
ကာဗွန်ခံစားခဲ့ရသည်အနိမ့်အပူစီးကူးခြင်း, ၎င်းကိုလေဟာနယ်သို့မဟုတ်အကာအကွယ်ပေးသည့်လေထုထဲတွင်အပူအလွယ်တကူပစ္စည်းကိရိယာများအဖြစ်အသုံးပြုလေ့ရှိပြီး Semiconductor Field တွင်ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုခဲ့သည်။ သို့သော် 450 ထက်မြင့်သောအပူချိန်ရှိသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်တွင်ကာဗွန်ကာဗွန်သည်လျင်မြန်စွာဓာတ်တိုးနိုင်သည်။ Semiconductors ၏အပြောင်းအလဲနဲ့ပတ် 0 န်းကျင်သည် 450 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ထက်ပိုမိုမြင့်မားသည်။ ထို့ကြောင့်ကာဗွန်၏ဓာတ်တိုးမှုကိုတိုးတက်စေရန်အထူးအရေးကြီးသည်။
Surface Coating သည်ကာဗွန်ဖိုင်ဘာထုတ်ကုန်များအတွက်အကောင်းဆုံး acti-oxidate နည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ကြွေပါးဖုံးအုပ်မှုများအရသတ္တုအုတ်ရိုးများ, ကြွေပြားများ, ကြွေပြားများ, ဖန်ထည်များ, SIC သည်အပူချိန်မြင့်မားသည့်အခါဓာတ်တိုးလာသောအခါ၎င်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်ဆူပူအုံကြွမှုများနှင့်အခြားချို့ယွင်းချက်များကို O2 ၏ထိုးဖောက်မှုဖြင့်ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပြီး Carbon Fiber Products Courtings တွင်အသုံးပြုသောအပေါ်ယံပိုင်းတွင်အသုံးပြုသည်။
CIC COUNE ကိုကာဗွန်မျက်နှာပြင်တွင်ကာဗွန်ဖိုက်ချာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိကာဗွန်ဖိုင်ဘာမျက်နှာပြင်တွင်ကာဗွန်ဖိုင်ဘာမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်ပြင်ဆင်ထားသည်။ ultrasonic သန့်ရှင်းရေးလုပ်ပြီးနောက်ပြင်ဆင်ထားသည့်ကာဗွန်ခံစားခဲ့ရသည်။ ကာဗွန်ခံစားခဲ့ရသည့်ကာဗွန်ခံစားခဲ့ရသည်။ AR သည်လေယာဉ်ဖုန်စက်နှင့် H2 နှင့်အတူဓာတ်ငွေ့နှင့် H2 နှင့်အတူလေယာဉ်တင်သင်္ဘောဓာတ်ငွေ့များအဖြစ်အပူဓာတ်ငွေ့များအဖြစ်အပူပေးပြီးအပူစက်များအနေဖြင့် bubbler method အားဖြင့်ခုတ်လှူဒါန်းခဲ့သည်။ အစစ်ခံနိူင်ငံရေးသည်အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည် -
အထူး c3Shick (G) → SIC (S) + 3HCL (ဆ)
Sic Naterbon Cason ၏ဖွဲ့စည်းမှုကိုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာရန် D8 Advance X-Ray နည်းသည် (XRD) ကိုအသုံးပြုခဲ့သည်။ Sic Naturing Carbon ၏ XRD Spectrum ခံစားခဲ့ရသည့် Xrd Spectrum မှပုံ 1 တွင်ပြထားတဲ့အတိုင်းသိသာထင်ရှားတဲ့ tirectraction at (220), (220), (220)), ကာဗွန်မျက်နှာပြင်ပေါ်၌ရှိသောအပေါ်ယံပိုင်းတွင်ဖွဲ့စည်းထားသောအပေါ်ယံပိုင်းတွင်ဖွဲ့စည်းထားသည့်အဖုံးသည်β-sic ဖြစ်သည်ကိုတွေ့မြင်နိုင်သည်။
ပုံ 1 xrd coatzan ကာဗွန်၏ xrd Spectrum ခံစားခဲ့ရသည်
အဏုကြည့်မှန်ပြောင်း၏ microbopic morphical ကိုကြည့်ရှုရန် MOGellan 400 စကင်ဖတ်ခြင်းအီလက်ထရောနစ်အဏုကြည့်မှန်ပြောင်း (SEM) ကိုအသုံးပြုခဲ့သည်။ ပုံ 2 မှတွေ့မြင်နိုင်သည့်အတိုင်းမူရင်းကာဗွန်အတွင်းရှိကာဗွန်အမျှင်များအနေဖြင့်အထူမျှမညီညွတ်မှု, ဗလံများနှင့်သိပ်သည်းဆအမြောက်အများရှိနေခြင်းသည်ကာဗွန်ဓာတ်ငွေ့ခံစားခဲ့ရသည့်အဓိကအကြောင်းရင်းများမှာအပူအလွယ်တကူထိခိုက်လွယ်သောအကြောင်းအရာအဖြစ်အသုံးပြုနိုင်သည်။ ဖိုင်ဘာ 0 င်ရိုးများတစ်လျှောက်တွင်မူလကာဗွန်၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိကာဗွန်အမျှင်များ၏မျက်နှာပြင်တွင် groove အမြောက်အများရှိသည်။
ကိန်းဂဏန်း 2 နှင့် 3 နှိုင်းယှဉ်ချက် မှစ. ဖုံးအုပ်ကာဗွန်ရှိကာဗွန်အမျှင်များခံစားခဲ့ရကြောင်းကိုတွေ့မြင်နိုင်သည်။ SIC အုတ်မြစ်များသည်သေးငယ်သောအမှုန်များကိုတင်းတင်းကျပ်ကျပ်ထည့်ထားပြီးအမွှေးအကြိုင်များကယူနီဖောင်းနှင့်သိပ်သည်းသည်။ ၎င်းတို့သည်ကာဗွန်ဖိုက်ဘာ matrix ကိုတင်းတင်းကျပ်ကျပ်ဆုပ်ကိုင်ထားပြီးသိသာထင်ရှားသည့်အခွံ, အက်ကွဲခြင်း,
ပုံ 2 ကာဗွန်၏ပုံသဏ် of ာန်နှင့်ကာဗွန်၏ပုံသဏ္ဌာန်နှင့်ကာဗွန်ဖိုင်တစ်ခုတည်းကိုအပြီးသတ်
ပုံ 3 ကာဗွန်၏ပုံသဏ် of ာန်နှင့်ကာဗွန်ပုံသဏ္ဌာန်နှင့်ကာဗွန်ဖိုင်တစ်ခုတည်းသောကာဗွန်ဖိုင်ဘာအဆုံး
သာမန်ကာဗွန်ခံစားခဲ့ရသည့် thermoGravimetric ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု (TG) ကိုပြုလုပ်ခဲ့ပြီး, အပူနှုန်းမှာ 10 ℃ / min နှင့်လေစီးဆင်းမှုနှုန်းမှာ 20 ML / Min ဖြစ်သည်။ ပုံ 4 သည်ကာဗွန်၏ TG Carbeb ၏ TG Carbeb သည် TG Carbon ၏ TG Carbon ၏ TG Carbeb Carbeb Bet of Sic NasciBon ℃ဇာပွန်သည် 600 ℃℃အောက်တွင်ဖော်ပြထားသော sig rom ုပ်ရောင်ဓာတ်တိုးများခံစားခဲ့ရသည်။ 790 ခန့်တွင်နမူနာ၏ကျန်နေသည့်အစုလိုက်အပြုံလိုက်အပိုင်းအစသည် 0 ဖြစ်သည်။ ဆိုလိုသည်မှာ၎င်းသည်လုံးဝဓာတ်တိုးပြီးဖြစ်သည်။
ပုံ 4B တွင်ပြထားသည့်အတိုင်းဖုံးအုပ်ထားသောကာဗွန်သည်အခန်းအပူချိန်မှအပူချိန်အခန်းအပူချိန်မှ 280 အထိမြင့်တက်လာသောအခါနမူနာခံစားခဲ့ရသည်။ 280-345 at တွင်နမူနာသည်တဖြည်းဖြည်းတိုးလာသည်နှင့်ဓာတ်တိုးမှုနှုန်းသည်အတော်အတန်မြန်သည်။ 345-520 at မှာ, oxidation တိုးတက်မှုနှေးကွေး။ 760 ခန့်တွင်နမူနာ၏အစုလိုက်အပြုံလိုက်ဆုံးရှုံးမှုသည် 4% ခန့်ရှိသည်။ 760-1200 at တွင်အပူချိန်မြင့်တက်လာသည်နှင့်အမျှနမူနာ၏အလေးချိန်တိုးလာသည်။ ဆိုလိုသည်မှာကိုယ်အလေးချိန်တိုးလာသည်။ ဘာဖြစ်လို့လဲဆိုတော့ကာဗွန်ဖိုင်ဘာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ SIC ကို Sio 2 ကိုမြင့်မားတဲ့အပူချိန်မှာဖြစ်ပေါ်စေလို့ပါ။ ဤတုံ့ပြန်မှုသည်ကိုယ်အလေးချိန်တက်ခြင်းကိုတုန့်ပြန်ခြင်းဖြစ်သည်။
ပုံ 4A နှင့်ပုံ 4B ကိုနှိုင်းယှဉ်ခြင်း 790 at တွင်သာမန်ကာဗွန်၏ခံစားချက်သည်လုံးဝဓာတ်တိုးမှုလျော့နည်းသွားပြီးဓာတ်တိုးများအလေးချိန်ဆုံးရှုံးမှုကာဗွန်သည် 4% ခန့်ရှိသည်။ အပူချိန် 1200 ℃အထိမြင့်တက်လာသောအခါ Sio2 ၏မျိုးဆက်သစ်များကြောင့်အနည်းငယ်တိုးလာသည်မှာ Sio2 ၏မျိုးဆက်သစ်ကြောင့်အနည်းငယ်တိုးလာသည်ဟုဆိုသော SIO 2 သည်ကာဗွန်တပ်ဖွဲ့၏မြင့်မားသောဓါတ်တိုးများဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်ဟုဖော်ပြသည်။
ပုံ။ ကာဗွန်၏ 4 tg ကွေးခံစားခဲ့ရ
အပေြာင်းSIC အဖုံးဓာတုအခိုးအငွေ့အစုများကကာဗွန်အားဖြင့်ကာဗွန်အားအောင်မြင်စွာပြင်ဆင်နိုင်သည့်အညီအမျှဖြန့်ဝေခြင်း, SIC COATE ကိုသိသာထင်ရှားသည့်ကွက်လပ်မပါဘဲအလွှာနှင့်တင်းတင်းကျပ်ကျပ်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ၎င်းတွင်အလွန်ပြင်းထန်သောဓာတ်တိုးနိုင်စွမ်းရှိသောစွမ်းရည်ရှိသည်။
+86-579-87223657
Wangda လမ်း, Ziyang လမ်း, ဝမ်မြို့, ဂျီဟွာမြို့, ဂျီဟွာစီးတီး, Zhejiang ပြည်နယ်,
မူပိုင်ခွင့်© 2024 Vetek Semiconductor Technology Co. , Ltd. မူပိုင်ခွင့်များရယူထားသော။
Links | Sitemap | RSS | XML | Privacy Policy |