သတင်း
ထုတ်ကုန်များ

Tantalum Carbide (TaC) Coating ဆိုတာ ဘာလဲ ပိုင်ဆိုင်မှု၊ CVD နှင့် အသုံးချမှုများ

Tantalum carbide (TaC) ဆိုတာဘာလဲ။


Tantalum carbide (TaC) coating သည် ဂရပ်ဖိုက် နှင့် ရွေးချယ်ထားသော ကာဗွန်အခြေခံ အစိတ်အပိုင်းများတွင် အသုံးပြုသည့် အပူချိန်မြင့်သော ကြွေထည်အကာအကွယ် အလွှာဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်၊ CVD TaC အပေါ်ယံအလွှာများကို SiC တစ်ခုတည်း-သလင်းခဲကြီးထွားမှုနှင့် epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်များအပါအဝင် တောင်းဆိုသောအပလီကေးရှင်းများတွင် အရေးကြီးသောမီးဖိုနှင့် ဓာတ်ပေါင်းဖိုအစိတ်အပိုင်းများကို ကာကွယ်ရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ အလွှာ၏စွမ်းဆောင်ရည်သည် ၎င်း၏အသေးစားဖွဲ့စည်းပုံ၊ သန့်ရှင်းမှု၊ အထူ၊ တွယ်ဆက်မှုနှင့် လည်ပတ်မှုပတ်ဝန်းကျင်နှင့် လိုက်ဖက်မှုအပေါ် မူတည်သည်။


TaC coating ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ
သိပ်သည်းမှု
14.3 (g/cm³)
တိကျသောထုတ်လွှတ်မှု
0.3
အပူချဲ့ကိန်း
6.3*10စာ-၆/K
မာကျောမှု (HK)
2000 HK
ခုခံမှု
1×10-5 Ohm*cm
အပူတည်ငြိမ်မှု
<2500 ℃
Graphite အရွယ်အစား ပြောင်းလဲခြင်း။
-10~20um
အပေါ်ယံအထူ
≥20um ပုံမှန်တန်ဖိုး (35um±10um)
အပူစီးကူးမှု
9-22(W/m·K)

ဇယား 1. TaC အပေါ်ယံပိုင်း၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ


တန်တလမ်ကာဗိုက်အလွှာကြမ်းတမ်းသောအသုံးပြုမှုပတ်ဝန်းကျင်တွင် ပူပြင်းသောအမိုးနီးယား၊ ဟိုက်ဒရိုဂျင်၊ ဆီလီကွန်အခိုးအငွေ့နှင့် သွန်းသောသတ္တုတို့၏အကျိုးသက်ရောက်မှုမှ ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများကို ထိရောက်စွာကာကွယ်နိုင်ပြီး ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ၏ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သိသိသာသာတိုးမြင့်စေပြီး ဂရပ်ဖိုက်တွင် အညစ်အကြေးများ ရွှေ့ပြောင်းခြင်းကို တားဆီးပေးကာ အရည်အသွေးကိုသေချာစေပါသည်။epitaxialနှင့်crystal ကြီးထွားမှု.


Common Tantalum Carbide Coated Components

ပုံ 1. အသုံးများသော Tantalum Carbide Coated Components



CVD လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် TaC coating ကိုပြင်ဆင်ခြင်း။


Chemical vapor deposition (CVD) သည် ဂရပ်ဖိုက်မျက်နှာပြင်များပေါ်တွင် TaC coatings ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အရင့်ကျက်ဆုံးနှင့် အကောင်းဆုံးနည်းလမ်းဖြစ်သည်။


TaCl5 နှင့် Propylene ကို ကာဗွန်နှင့် တန်တလမ်ရင်းမြစ်များအဖြစ် အသီးသီးအသုံးပြုကာ သယ်ဆောင်သည့်ဓာတ်ငွေ့အဖြစ် အာဂွန်ကို အသုံးပြု၍ အပူချိန်မြင့်သော အငွေ့ပြန်ထားသော TaCl5 အငွေ့ကို တုံ့ပြန်မှုခန်းထဲသို့ မိတ်ဆက်ပေးသည်။ ပစ်မှတ် အပူချိန်နှင့် ဖိအားတွင်၊ ရှေ့ပြေးပစ္စည်းမှ အငွေ့သည် ဂရပ်ဖိုက်၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပ်ယူနိုင်ပြီး ကွဲအက်ခြင်းနှင့် ကာဗွန်နှင့် တန်တလမ်ရင်းမြစ်များ ပေါင်းစပ်ခြင်းကဲ့သို့သော ရှုပ်ထွေးသော ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများနှင့် ရှေ့ပြေးဆာ၏ ပျံ့နှံ့ခြင်းနှင့် စုပ်ယူခြင်းကဲ့သို့သော မျက်နှာပြင်တုံ့ပြန်မှု စီးရီးများဖြစ်သည်။ နောက်ဆုံးတွင်၊ လွန်ကဲသောပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေများအောက်တွင် တည်ငြိမ်သောတည်ရှိမှုမှကာကွယ်ပေးသည့်ဂရပ်ဖိုက်၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်သိပ်သည်းသောအကာအကွယ်အလွှာကိုဖွဲ့စည်းပြီးဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းများ၏အသုံးချမှုအခြေအနေများကိုသိသိသာသာချဲ့ထွင်စေသည်။


Chemical vapor deposition (CVD) process principle

ပုံ ၂။Chemical vapor deposition (CVD) လုပ်ငန်းစဉ်နိယာမ


CVD TaC coating ပြင်ဆင်ခြင်း၏ အခြေခံမူများနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များအကြောင်း နောက်ထပ်အချက်အလက်များအတွက် ဆောင်းပါးကို ဖတ်ရှုပါ။CVD TaC coating ကို ဘယ်လိုပြင်ဆင်မလဲ။


အဘယ်ကြောင့် Veteksemicon ကိုရွေးချယ်သနည်း။


Veteksemicontantalum carbide ထုတ်ကုန်များကို အဓိကအားဖြင့် ထောက်ပံ့ပေးသည်- TaC လမ်းညွှန်လက်စွပ်၊ TaC coated ပွင့်ချပ်သုံးလက်စွပ်၊TaC coating crucible၊TaC coating porous graphite ကို အသုံးများတာကတော့ SiC crystal growth process; TaC ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော Porous Graphite၊ TaC Coated Guide Ring၊TaC Coated Graphite Wafer CarrierTaC coating susceptors၊ဂြိုလ်ဆက်ခံသူ, နှင့်ဤ tantalum carbide အပေါ်ယံပိုင်းထုတ်ကုန်များတွင်ကျယ်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။SiC epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်နှင့်SiC Single Crystal Growth လုပ်ငန်းစဉ်.


Veteksemicon Most Popular Tantalum Carbide Coating Products

ပုံ ၃။VeTek Semiconductor ၏ လူကြိုက်အများဆုံး Tantalum Carbide Coating ထုတ်ကုန်များ



TaC Coating အကြောင်း FAQs


1. TaC coating ကို ဘာအတွက်အသုံးပြုတာလဲ။

အပူနှင့် ဓာတုပတ်ဝန်း ကျင်တွင် တောင်းဆိုနေသော ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ရွေးချယ်ထားသော ကာဗွန်အခြေခံ အစိတ်အပိုင်းများကို ကာကွယ်ရန် TaC အပေါ်ယံပိုင်းကို အသုံးပြုသည်။ အရေးကြီးသော အပလီကေးရှင်းများတွင် SiC crystal-growth equipment နှင့် အချို့သော semiconductor epitaxial-processing အစိတ်အပိုင်းများ ပါဝင်သည်။


2. TaC နှင့် SiC အပေါ်ယံပိုင်း ကွာခြားချက်ကား အဘယ်နည်း။

TaC နှင့် SiC တို့သည် ကွဲပြားသော အပူ၊ ဓာတုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများဖြင့် ကွဲပြားသော ကာဗိုက်ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ CVD SiC ကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ဓာတ်ပေါင်းဖို အစိတ်အပိုင်းများတွင် တွင်ကျယ်စွာ တပ်ဆင်ထားသော်လည်း TaC သည် ပြင်းထန်သော အပူချိန် ပုံဆောင်ခဲ-ကြီးထွားမှု ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးဝင်သည်။ ရွေးချယ်မှုလျှောက်လွှာအပေါ် မူတည်.


3. SiC crystal ကြီးထွားမှုတွင် TaC ကို အဘယ်ကြောင့်အသုံးပြုသနည်း။

TaC coatings များသည် SiC PVT လုပ်ငန်းစဉ်ပတ်ဝန်းကျင်များမှ ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများကို ကာကွယ်ပေးနိုင်သည်။ သင့်လျော်စွာ အရည်အချင်းပြည့်မီသော အပေါ်ယံဒီဇိုင်းများသည် အလွှာများ ပျက်စီးခြင်းနှင့် ဆက်စပ်ညစ်ညမ်းမှုအန္တရာယ်များကို လျှော့ချနိုင်ပါသည်။


4. TaC coating ကွဲအက်ခြင်း သို့မဟုတ် ကွဲအက်ခြင်းများကို အဘယ်အရာက ဖြစ်စေသနည်း။

ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော အကြောင်းရင်းများတွင် ကျန်ရှိသောစိတ်ဖိစီးမှု၊ အပူချိန်အရောင်ပြောင်းမှုများ၊ အလွှာချွတ်ယွင်းချက်များ၊ သဟဇာတမဖြစ်သော အပူစက်ဘီးစီးခြင်းနှင့် အပေါ်ယံမျက်နှာပြင် ပြိုကွဲခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။ အမှန်တကယ် အကြောင်းရင်းကို ဖော်ထုတ်ရန် ပျက်ကွက်မှုကို အသေးစိတ် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာရန် လိုအပ်ပါသည်။


5. TaC coating သည် tantalum metal coating သို့မဟုတ် ta-C coating နှင့် တူညီပါသလား။

နံပါတ် TaC သည် တန်တလမ်ကာဗိုက်ဖြစ်ပြီး၊ တန့်တလမ်နှင့် ကာဗွန်တို့၏ ကြွေထည်ဒြပ်ပေါင်းဖြစ်သည်။ Tantalum metal coating သည် မတူညီသော ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး ta-C သည် စိန်နှင့်တူသော ကာဗွန်အပေါ်ယံလွှာဖြစ်သော tetrahedral amorphous carbon ကို ရည်ညွှန်းသည်။


6. TaC-coated graphite အစိတ်အပိုင်းများကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပါသလား။

အစိတ်အပိုင်း ဂျီသြမေတြီ၊ ဂရပ်ဖိုက်အဆင့်၊ အပေါ်ယံပိုင်း လိုအပ်ချက်များနှင့် စစ်ဆေးရေး စံနှုန်းများကို အင်ဂျင်နီယာ ပြန်လည်သုံးသပ်ရန်အတွက် သတ်မှတ်နိုင်ပါသည်။ လျှောက်လွှာနှင့် အတည်ပြုထားသော ရေးဆွဲမှုများနှင့် စပ်လျဉ်း၍ ထုတ်လုပ်မှုဖြစ်နိုင်ခြေနှင့် ရရှိနိုင်သော သည်းခံမှုများကို အတည်ပြုသင့်သည်။


ဆက်စပ်သတင်း
ငါ့ကို မက်ဆေ့ချ် ထားခဲ့ပါ။
သတင်းအကြံပြုချက်များ
X
သင့်အား ပိုမိုကောင်းမွန်သောကြည့်ရှုမှုအတွေ့အကြုံကို ပေးဆောင်ရန်၊ ဆိုက်အသွားအလာကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာပြီး အကြောင်းအရာကို ပုဂ္ဂိုလ်ရေးသီးသန့်ပြုလုပ်ရန် ကျွန်ုပ်တို့သည် ကွတ်ကီးများကို အသုံးပြုပါသည်။ ဤဆိုက်ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ cookies အသုံးပြုမှုကို သင်သဘောတူပါသည်။ ကိုယ်ရေးအချက်အလက်မူဝါဒ
ငြင်းပယ်ပါ။လက်ခံပါတယ်။