crucible cacucible tac

Semiconductor ရဲ့အပေးအယူCVD TAC coated crucbleများသောအားဖြင့် pvt method sice cystal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တွင်အောက်ပါသော့ချက်ကျသောအခန်းကဏ် play မှပါ 0 င်သည်။

PVT Mether သည် TAC coated crouped crouped crouped crouped crouped croupible နှင့် cic powder ကို Placing Sic Powder ကို CURUIGLE ၏အောက်ခြေတွင်ကုန်ကြမ်းအဖြစ်သတ်မှတ်ခြင်းကိုရည်ညွှန်းသည်။ မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့်ဖိအားနိမ့်သည့်တံခါးပိတ်ပတ် 0 န်းကျင်တွင်ပါဝင်မှုအမှုန့်များသည်အပူချိန် gradient နှင့်အာရုံစူးစိုက်မှုခြားနားချက်၏လုပ်ဆောင်မှုအောက်တွင်ရှိသည်SIC အမှုန့်မျိုးစေ့ကျောက်တုံး၏အနီးတစ်ဝိုက်သို့ပြောင်းရွှေ့ပြီး recrystallization ပြီးနောက် Supersatured ပြည်နယ်သို့ရောက်သည်။ ထို့ကြောင့် PVT နည်းလမ်းသည် Cystal အရွယ်အစားနှင့်တိကျသော Crystal Form ၏ထိန်းချုပ်မှုတိုးတက်မှုကိုရရှိနိုင်ပါသည်။

● Crystal တိုးတက်မှုနှုန်းတည်ငြိမ်မှု

Vetek Semiconductor TAC coates များသည်အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူတည်ငြိမ်မှု (2200 အောက်ရှိတည်ငြိမ်မှုရှိနိုင်သည်) ရှိသည်။ ဤရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာပိုင်ဆိုင်မှုသည် Crystal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်ကိုအတိအကျထိန်းချုပ်ရန် SIC coated coathite crucible ကိုဖန်တီးနိုင်ပြီးအလွန်အမင်းယူနီဖောင်းနှင့်အခမဲ့ crystals များဖြစ်ပေါ်စေသည်။

●အလွန်ကောင်းမွန်တဲ့ဓာတုအတားအဆီး

tac coated crucble များသည် tantalum carbide ကိုဖုံးအုပ်ထားသည့် tantalum carbide ကိုဖုံးအုပ်ထားသည့် cons ည့်ဓာတုပစ္စည်းများနှင့်အရည်ကြည်လင်သော Crystal ကြီးထွားမှုတွင်တွေ့ရလေ့ရှိသည်။ ဤပစ္စည်းဥစ်စာပိုင်ဆိုင်မှုသည်အရည်အသွေးမြင့်မားသော crystals များရရှိရန်အတွက်အလွန်အရေးကြီးသည်။

●တည်ငြိမ်သောကြီးထွားမှုပတ် 0 န်းကျင်အတွက်တုန်ခါမှုများကိုတုန်ခါစေခြင်း

TAC COAC COCEDEATE COCEDEAD SPACIZES VIBISTS VIBISTS နှင့်အပူပိုင်းချောင်းများသည်ပိုမိုကောင်းမွန်သော Crucable တွင်ပိုမိုကောင်းမွန်ပြီးထိန်းချုပ်သောကြည်လင်တိုးတက်မှုနှုန်းပတ် 0 န်းကျင်ကိုထပ်မံလှည့်စားသည်။ ဤအလားအလာရှိသောအရင်းအမြစ်များကိုလျှော့ချခြင်းအားဖြင့် TAC Coating သည်ပိုမိုကြီးမားသောချို့ယွင်းချက်များပိုမိုကြီးထွားလာပြီးအမြင့်ဆုံးချို့ယွင်းချက်များကိုလျှော့ချနိုင်ပြီးနောက်ဆုံးတွင်ကိရိယာအထွက်နှုန်းနှင့်ကိရိယာစွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်လာသည်။

●အလွန်ကောင်းမွန်တဲ့အပူရွေ့လျားစီးကူး

Veteksemicon ၏ coated crucbleon capates crucble များသည်အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူစီးကူးညှိနှိုင်းမှုရှိသည်။ ဤအချက်သည် Crystal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တစ်လျှောက်လုံးတွင်တိကျသောထိန်းချုပ်မှုကိုဆုံးဖြတ်ခြင်း, အပူ gradients ကြောင့်ဖြစ်သောကြည်လင်ပြတ်သားသောချို့ယွင်းချက်များကိုလျှော့ချပေးသည်။

MicroCopic Cross-section တွင် UNEANTALUS CARBIDE (TAC)

၏ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများTantalum carbide အပေါ်ယံ

Vetek Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုဆိုင်များ