ထုတ်ကုန်များ
ထုတ်ကုန်များ
SiC Crystal Growth အတွက် High Purity SiC Powder
  • SiC Crystal Growth အတွက် High Purity SiC PowderSiC Crystal Growth အတွက် High Purity SiC Powder
  • SiC Crystal Growth အတွက် High Purity SiC PowderSiC Crystal Growth အတွက် High Purity SiC Powder

SiC Crystal Growth အတွက် High Purity SiC Powder

VeTek Semiconductor သည် အထွက်နှုန်းမြင့်မားသော SiC Crystal Growth (PVT လုပ်ငန်းစဉ်)၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အလွှာထုတ်လုပ်မှုနှင့် အဆင့်မြင့် လုပ်ဆောင်နိုင်သော ကြွေထည်များအတွက် အထူးပြုလုပ်ထားသော ပရီမီယံအဆင့် High Purity Silicon Carbide (SiC) Powder ကို ပေးဆောင်ပါသည်။ အလွန်သန့်ရှင်းသော သန့်စင်မှုနည်းပညာဖြင့် စီမံဆောင်ရွက်ထားသော ကျွန်ုပ်တို့၏ မြင့်မားသော သန့်စင်သော SiC ကုန်ကြမ်းသည် လွန်စွာနိမ့်သော ခြေရာခံသတ္တုအဆင့်များ၊ မျိုးပွားနိုင်သော sublimation စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် တင်းကျပ်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ခြင်းဆိုင်ရာ လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန် အလွန်တသမတ်တည်း လိုက်လျောညီထွေရှိသော တစ်ပိုင်းမှတစ်သုတ် အရည်အသွေးကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
အဆင့်သတ်မှတ်ချက်: 5.0
(အဆင့်သတ်မှတ်ချက် Count: 1)

1. အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

· မြင့်မားသော သန့်စင်မှုအဆင့်များသန့်စင်မှုစွမ်းရည်သည် 99.9999% (6N အဆင့်) အထိ ရောက်ရှိသည်။

· အလွန်နည်းသော သတ္တုညစ်ညမ်းမှုများ-SiC ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှုအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသော ခြေရာခံ သတ္တုညစ်ညမ်းမှု အနည်းဆုံး။

· အပြည့်အဝ ပွင့်လင်းမြင်သာမှု-အသုတ်တိုင်းအတွက် ရနိုင်သော GDMS (Glow Discharge Mass Spectrometry) စမ်းသပ်ဒေတာ။

· တည်ငြိမ်သော အပူစွမ်းအင် စွမ်းဆောင်ရည်-PVT ကြီးထွားမှုအစီအစဥ်အတွင်း လွန်စွာကြိုတင်ခန့်မှန်းနိုင်သောနှင့် တူညီသော sublimation အပြုအမူ။

· ထိန်းချုပ်ထားသော အမှုန်အမွှားအရွယ်အစား ဖြန့်ဝေမှု-တသမတ်တည်းထုပ်ပိုးမှုသိပ်သည်းဆကိုထိန်းသိမ်းရန် Granulometry ဂရုတစိုက်စောင့်ကြည့်။

· အံဝင်ခွင်ကျ ဖော်မြူလာများ-စိတ်ကြိုက်အမှုန်အမွှားအရွယ်အစားများနှင့် ဖြန့်ဖြူးမှုမျဉ်းကွေးများကို တောင်းဆိုချက်အရ ရနိုင်ပါသည်။

· တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အရည်အသွေး စံနှုန်း-ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအဆင့် အရည်အသွေး စီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များအောက်တွင် တင်းကျပ်စွာ ထုတ်လုပ်ထားသည်။

       


2. ထုတ်ကုန်ပုံရိပ်များ


3. နည်းပညာဆိုင်ရာသတ်မှတ်ချက်များ

ပစ္စည်းဥစ္စာ
ရိုးရိုးတန်ဖိုး
ပစ္စည်း
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC)
သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်း။
99.99% – 99.9999%
သန့်ရှင်းမှုအဆင့်
4N – 6N+
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ
α-SiC
အမှုန်အရွယ်အစား
စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည် (ဥပမာ၊ မိုက်ခရိုမှ အကြမ်းကွက်)
ညစ်ညမ်းမှု ဆန်းစစ်ခြင်း။
GDMS အစီရင်ခံစာ အပြည့်အစုံကို ပေးထားသည်။

4. အသုံးချမှုများ

· PVT SiC Crystal ကြီးထွားမှု-လျှပ်ကူးမှုနှင့် Semi-Insulating SiC ပါဝင်ပစ္စည်းများ။

· Semiconductor အလွှာများ-Wafer substrate နှင့် epitaxial processing ကုန်ကြမ်း။

· High-end အပူဓာတ် အစိတ်အပိုင်းများ-အဆင့်မြင့်ကြွေထည်အစိတ်အပိုင်းများနှင့် susceptor အပေါ်ယံပိုင်း။

· R&D အက်ပ်များ-မျိုးဆက်သစ် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ် သုတေသနနှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် ကိရိယာများ။


5. အဘယ်ကြောင့် VeTek Semiconductor ကိုရွေးချယ်သနည်း။

· တစ်ဦးတည်း သန့်စင်ခြင်း-တစ်ခုတည်းသော Crystal ကြီးထွားမှုအတွက် 6N သန့်စင်မှုအထိ ပေးစွမ်းနိုင်သော အဆင့်မြင့်သန့်စင်မှုနည်းပညာများ။

· တင်းကျပ်သော အရည်အသွေးထိန်းချုပ်မှု-တင်းကျပ်သော semiconductor-grade ညစ်ညမ်းမှုထိန်းချုပ်မှုဖြင့် သီးသန့်အရည်အသွေး အာမခံချက်။

· စိတ်ကြိုက်ပြောင်းလဲနိုင်မှု-မတူညီသော PVT မီးဖို crucible သတ်မှတ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီရန် လိုက်လျောညီထွေရှိသော စိတ်ကြိုက်အမှုန်အမွှားအရွယ်အစား။

· တည်ငြိမ်သော ထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်-တည်ငြိမ်သောရေရှည်အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုပေးပို့မှုကို အာမခံနိုင်သော ယုံကြည်စိတ်ချရသော ထောက်ပံ့ရေးစွမ်းရည်။

· နည်းပညာဆိုင်ရာ ကျွမ်းကျင်မှု-သင်၏ တိကျသော ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှု လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေသော နည်းပညာဆိုင်ရာ ပံ့ပိုးမှု အပြည့်အစုံ။


စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။
ဆက်သွယ်ရန်အချက်အလက်
  • လိပ်စာ

    Wangda လမ်း၊ Ziyang လမ်း၊ Wuyi ကောင်တီ၊ Jinhua မြို့၊ Zhejiang ပြည်နယ်၊ တရုတ်နိုင်ငံ

  • အီးမေးလ်

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
အဆင့်သတ်မှတ်ချက်:
5.0
X
သင့်အား ပိုမိုကောင်းမွန်သောကြည့်ရှုမှုအတွေ့အကြုံကို ပေးဆောင်ရန်၊ ဆိုက်အသွားအလာကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာပြီး အကြောင်းအရာကို ပုဂ္ဂိုလ်ရေးသီးသန့်ပြုလုပ်ရန် ကျွန်ုပ်တို့သည် ကွတ်ကီးများကို အသုံးပြုပါသည်။ ဤဆိုက်ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ cookies အသုံးပြုမှုကို သင်သဘောတူပါသည်။ ကိုယ်ရေးအချက်အလက်မူဝါဒ
ငြင်းပယ်ပါ။လက်ခံပါတယ်။