CVD TAC Coating ကိုဘယ်လိုပြင်ဆင်ရမလဲ။ - Veteksemicon

CVD TAC Coating ဆိုတာဘာလဲ။

CVD TAC Coatingမြင့်မားသောခွန်အား, ၎င်း၏အရည်ပျော်မှတ်သည် 3880 ℃ကဲ့သို့မြင့်မားပြီး၎င်းသည်အပူချိန်ကင်းဆုံးသောဒြပ်ပေါင်းများအနက်မှတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည်အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူချိန်မြင့်မားသောစက်မှုဂုဏ်သတ္တိများ, မြန်နှုန်းမြင့်လေစီးတိုက်စားမှုတိုက်ဖျက်မှု,

ထို့ကြောင့်အတွက်MOCVD EGATAXAXIAL လုပ်ငန်းစဉ်Gan Leds နှင့် Sic Power Devices များ,CVD TAC CoatingGraphite Matrix ပစ္စည်းများကိုလုံးဝကာကွယ်နိုင်ပြီးကြီးထွားမှုကိုအကာအကွယ်ပေးနိုင်သည့် H2, HC1 နှင့် NH3 တို့တွင်အလွန်ကောင်းမွန်သောအက်စစ်နှင့်အယ်ကာလီကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

CVD TAC Coating သည် 2000 ပြည့်နှစ်တွင်တည်ငြိမ်နေဆဲဖြစ်ပြီး CVD TAC COCANES သည် 1200-1400 ℃တွင်ပြိုကွဲသွားသည်။ ကြီးမားသောအဖွဲ့အစည်းများအားလုံးသည် CVD TAC ကို CVD TAC ကို အသုံးပြု. CVD TAC ကိုပြင်ဆင်ရန်နှင့် CVD TAC တို့တွင်ထုတ်လုပ်မှုထုတ်လုပ်နိုင်မှုနှင့် Ganleds of Sic Power Devices ၏လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန်နောက်ထပ်ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကိုပိုမိုမြှင့်တင်ပေးလိမ့်မည်။

CVD Tantalum carbide အပေါ်ယံပိုင်း၏ပြင်ဆင်မှုအခြေအနေများ

CVD TAC COCating ၏ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည်ယေဘုယျအားဖြင့်မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆဖိုက်ဖလုံကိုအလွှာပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြု. ချို့ယွင်းချက်ရှိသောCVD TAC CoatingCVD နည်းလမ်းအားဖြင့်ဖိုက်မျက်နှာပြင်ပေါ်မှာ။

CVD TAC coating ကိုပြင်ဆင်ရန် CVD နည်းလမ်း၏သဘောပေါက်ခြင်းမှာအောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည် - အငွေ့ပြောင်းသည့်အခန်းထဲတွင်ရှိသောအစိုင်အခဲ Tantalum အရင်းအမြစ်သည်အပူချိန်အငွေ့ပျံသည့်အခန်းထဲတွင်ဓာတ်ငွေ့ထဲသို့သွင်းထားပြီးအငွေ့ပျံသည့်အခန်းထဲကဓာတ်ငွေ့ပိုက်လိုင်းမှထွက်လာသည်။ အပူချိန်တစ်ချိန်ချိန်တွင်ကြီးမားသော Tantalum အရင်းအမြစ်သည်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးတုံ့ပြန်မှုခံယူရန်ဟိုက်ဒရိုဂျင်နှင့်ပေါင်းစည်းသည်။ နောက်ဆုံးအနေဖြင့် Tantalum element ကိုငွေစက္ကူများကို chosition chamber ရှိ chosition charstrate ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်အပ်နှံထားပြီးအချို့သောအပူချိန်တွင်ကာဗွန်ဓာတ်တုံ့ပြန်မှုဖြစ်ပေါ်လာသည်။

CVD TAC နှင့် CVD အပေါ်ယံပိုင်းတွင်အငွေ့ပျံခြင်းအပူချိန်, သဘာဝဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှုန်းနှင့်အစစ်ခံအပူချိန်စသည့်လုပ်ငန်းစဉ် parameters များကိုဖွဲ့စည်းခြင်းတွင်အလွန်အရေးကြီးသောအခန်းကဏ် play မှပါ 0 င်သည်CVD TAC Coating။ နှင့်ရောနှောသောတိမ်းညွတ်မှုနှင့်အတူ CVD TAC ကိုရောနှောထားသော oriented orientsion suptosition က 1800 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် အသုံးပြု. 1800 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အသုံးပြုသည်။

CVD TAC အပေါ်ယံပိုင်းကိုပြင်ဆင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်

ပုံ 1 တွင်ဓာတုအငွေ့အစုအစုံ (CVD) ဓာတ်ပေါင်းဖို (CVD) ဓာတ်ပေါင်းဖိုနှင့် tac suptosition အတွက်ဆက်စပ်သည့်ဓာတ်ငွေ့လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြန့်ဖြူးရေးစနစ်၏ configuration ကိုပြသသည်။

ပုံ (2) သည် CVD TAC ၏မျက်နှာပြင် shape သုက်ပိုးပုံသဏ္ဌာန်ကိုကွဲပြားခြားနားသောအစုလိုက်အပြုံလိုက်နှင့်အစေ့တို့၏သိပ်သည်းဆကိုပြသသည်။

ပုံ 3 တွင် CVD TAC ၏မျက်နှာပြင်အပြီးမျက်နှာပြင်အောက်ပိုင်းတွင်မျက်နှာပြင်အပြီးမျက်နှာပြင်တွင်မျက်နှာပြင်အပြီးမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ Breads နယ်နိမိတ်များနှင့်အရည်သုပ်သွန်းသောဆီအိတ်များအပါအ 0 င်မျက်နှာပြင်တွင်ရှုထောင့်ဖြင့်ရှုထောင့်ပြသသည်။

ပုံ 4 တွင် CVD TAC ၏ XRD ပုံစံများကို ablation ပြီးနောက်ကွဲပြားခြားနားသောဒေသများတွင်ဖုံးအုပ်ထားသည့် areas ရိယာများတွင်ဖုံးအုပ်ထားသည့် ablation ထုတ်ကုန်များ၌ပါ 0 င်သော ablation ထုတ်ကုန်များ၏ဖွဲ့စည်းမှုကိုဆန်းစစ်ခြင်းသည်အဓိကအားဖြင့်β-ta2o5 နှင့်α-ta2o5 ဖြစ်သည်။