TaC coating သည် ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို မည်သို့တိုးတက်စေသနည်း။ - VeTek Semiconductor

CVD Tantalum Carbide အပေါ်ယံပိုင်းVetek Semiconductor ၏စီးပွားဖြစ်အငွေ့အစ်ဆိုင် (CVD) လုပ်ငန်းစဉ် (CVD) ဖြစ်စဉ်ကို သုံး. မြင့်မားသောသန့်စင်ပင့်ဖြားစ်၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ Tantalum Carbide (TAC) ၏ကြီးမားသောအငွေ့ carbide (TAC) မှထုတ်လုပ်သည်။

Tantalum carbide (TaC) coatings များသည် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သိသိသာသာ တိုးတက်စေသည်။ပုန်းအောင်းအထူးသဖြင့်အပူချိန်မြင့်မားသောယန္တရားများ, အထူးသဖြင့်အပူချိန်မြင့်မားစွာဖြင့် semiconductor ကုန်ထုတ်လုပ်မှုနှင့်ကြည်လင်တိုးတက်မှုနှုန်းကဲ့သို့သောအထူးသဖြင့်တဖြည်းဖြည်းတိုးပွားသောပတ်ဝန်းကျင်။ 

ဤသည်မှာ အဘယ်ကြောင့်နည်းtac အင်္ကျီဂရပ်ဖိုက် အစိတ်အပိုင်းများ၏ ကြာရှည်ခံမှုကို မြှင့်တင်ရန်။

●  မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိအောင် မြှင့်တင်ထားသည်။

အလွန်မြင့်မားသောအပူတည်ငြိမ်မှု - TAC အင်္ကျီသည် 2000 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ထက်အလွန်မြင့်သောအပူချိန်များ၌မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်တည်ငြိမ်နေပြီး 2000 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင်ပင်အသုံးပြုနိုင်သည်။ ဤမြင့်မားသောအပူချိန်သည်းခံစိတ်ကိုဆီး 0 န်ဒ်ရေးဆွဲခြင်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်သွန်းသောသတ္တုနှင့်ဓာတုဓာတ်ငွေ့များကိုတိုက်စားခြင်းကိုခံနိုင်ရည်ရှိစေသည်။

●အလွန်ကောင်းမွန်တဲ့ corrosion resistance

ဓာတုတိုက်စားမှုခံနေရခြင်း - TAC အင်္ကျီများသည်ဟိုက်ဒရိုဂျင်, အမိုးနီးယားနှင့်ဆီလီကွန်ငွေ့ကဲ့သို့သောရောင်ရမ်းခြင်းများကိုခုခံနိုင်သည့်ဓာတ်ငွေ့များကိုထိထိရောက်ရောက်ကာကွယ်နိုင်ပြီးကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ဖိုက်သောအစိတ်အပိုင်းများကိုထိခိုက်စေနိုင်သည့်အန္တရာယ်များကိုထိထိရောက်ရောက်ကာကွယ်နိုင်သည်။ ဆိုလိုသည်မှာ Crystal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တွင်အဘယ်ကန့်သတ်ချက်သည်အညစ်အကြေးရွှေ့ပြောင်းခြင်းကိုတားဆီးနိုင်ပြီး Crystal အရည်အသွေးနှင့်အထွက်နှုန်းကိုတိုးတက်စေသည်။

●  အဆင့်မြှင့်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ

ကောင်းမွန်သောကော်နှင့်အပူလွန်ကဲမှုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း - TAC အင်္ကျီများသည် chac appings များ၌ခိုင်မာသောကော်လျုပ်ပြုမှုများတွင်မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်အခွံခွာသွားစေနိုင်သည်။ ထို့အပြင်၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူချိန်မြင့်တက်မှုသည်ထစ်၏ 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းကိုထပ်မံတိုးပွားစေခြင်းမရှိဘဲလျင်မြန်စွာအပူချိန်ကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

●  ညစ်ညမ်းညစ်ညမ်းမှုကို လျှော့ချပါ။

အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှု- TaC အပေါ်ယံပိုင်း တွင် အလွန်နည်းသော အညစ်အကြေး ပါဝင်မှု ရှိပြီး မြင့်မားသော အပူချိန် အခြေအနေအောက်တွင် ဖြစ်ပေါ်နိုင်သည့် ညစ်ညမ်းမှု ပြဿနာများကို လျှော့ချပေးသည်။ မလိုလားအပ်သော အညစ်အကြေးများကို epitaxial အလွှာသို့ ရွှေ့ပြောင်းခြင်းမှ တားဆီးခြင်းဖြင့်၊ TaC အပေါ်ယံပိုင်းသည် crystal ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်၏ သန့်ရှင်းမှုနှင့် အရည်အသွေးကို သိသိသာသာ တိုးတက်စေသည်။

●အပူစီမံခန့်ခွဲမှုများကိုအကောင်းမြင်ပါ

စွမ်းအင်စီးစီးဆင်းမှုကိုတိုးတက်စေရန်အတွက် TAC အုတ်မြစ်များသည်အပူပေးစက်များနှင့်အခြားအပူစွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုးတက်စေရန်စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကိုလျော့နည်းစေသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည်လည်ပတ်မှုစွမ်းဆောင်နိုင်မှုကိုတိုးတက်စေသည်သာမကအပူလွန်ကဲခြင်းကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသောပစ္စည်းပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုနှင့်ပျက်စီးမှုကိုလျော့နည်းစေသည်။