Multi-Pocket Silicon Epitaxy Graphite Susceptors များတွင် မြင့်မားသောအိတ်ကပ်မှ အိတ်ကပ်ကွဲလွဲမှုကို မည်သို့ဖြေရှင်းနိုင်မည်နည်း။

ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ဖြေရှင်းချက်n High-Precision CVD SiC Coated Susceptors အတွက်

Multi-pocket silicon epitaxy graphite susceptors များတွင် အိတ်ကပ်မှ အိတ်ကပ်ကွဲလွဲမှု (1.4%) မြင့်မားခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ဖလင်အထူနှင့် တူညီမှုမရှိသော ပြဿနာကို ဖြေရှင်းရာတွင် VeTek Semiconductor သည် susceptor flatness ကို <0.08mm အထိ မြှင့်တင်ပေးပြီး pocket-to-pocket variation ကို 0.69% အထိ လျှော့ချပေးကာ CVD furnation မှတဆင့် သိသာထင်ရှားစွာ စီးဆင်းသွားပါသည်။ epitaxial wafer အထွက်နှုန်းကိုတိုးစေသည်။

Multi-Pocket Silicon Epitaxy Graphite Susceptors များသည် High-Precision CVD SiC Coating ပါ၀င်သည်။

I. အမှုဆောင်အကျဉ်းချုပ်

multi-pocket silicon epitaxy ထုတ်လုပ်စဉ်တွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ client ( semiconductor wafer foundry) သည် epitaxial အလွှာအထူ (မူရင်းဒေတာ- 1.4%) တွင် အိတ်ကပ်မှ အိတ်ကပ်ကွဲလွဲမှု မြင့်မားသော ကာလရှည်ကြာစွာ စိန်ခေါ်မှုများနှင့် ရင်ဆိုင်ခဲ့ရသည်။ ၎င်းသည် epitaxial wafer တစ်သမတ်တည်းနှင့် ရေအောက်ပိုင်း စက်၏ အထွက်နှုန်းကို ပြင်းထန်စွာ သက်ရောက်မှုရှိသည်။ 3D ကိန်းဂဏာန်းပုံတူခြင်းနှင့် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းဖြင့် CVD epitaxy မီးဖိုအတွင်းရှိ အတွင်းပိုင်းအရည်များ နှင့် အပူအကွက်များကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းဖြင့် ကိရိယာဖွဲ့စည်းပုံ ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း နှင့် တိကျမှုမြင့်မားသော Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide (CVD SiC) အပေါ်ယံပိုင်းနည်းပညာဖြင့် VeTek Semiconductor အဖွဲ့သည် < multi-pocket sugraphor 0mmliconite မှ မျက်နှာပြင်ညီညာမှုကို သိသိသာသာ တိုးတက်စေသည်။ <0.08mm ဤတိုးတက်မှုများအပြီးတွင်၊ ဖောက်သည်၏အိတ်ကပ်မှ အိတ်ကပ်ဖလင်အထူကွဲလွဲမှုသည် 0.69% သို့ သိသိသာသာကျဆင်းသွားကာ ဖလင်အထူတူညီမှုတွင် အရည်အသွေးကောင်းမွန်သော ခုန်ပျံကျော်လွှားမှုတစ်ခုရရှိခဲ့သည်။

အဓိက စွမ်းဆောင်ရည် မက်ထရစ် နှိုင်းယှဉ်မှု

II ဖောက်သည်နောက်ခံ- တစ်သမတ်တည်းမြင့်မားသော Epitaxial ထုတ်လုပ်မှုဖြေရှင်းချက်ရှာဖွေနေပါသည်။

Core Perspective- ကြီးမားသောအရွယ်အစား၊ အိတ်ဆောင်များစွာရှိ ဆီလီကွန် epitaxy ထုတ်လုပ်မှုတွင်၊ မိနစ်ပိုင်းဆက်ခံခြင်းပုံသဏ္ဍာန်များကိုပင် စျေးကြီးသော ချစ်ပ်အထွက်နှုန်းဆုံးရှုံးမှုများဖြင့် ချဲ့ထွင်ပါသည်။

ဤပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မှုရှိ client သည် ထိပ်တန်း 8-လက်မ/12-လက်မ ပါဝါစက်ပစ္စည်းနှင့် ဆီလီကွန် epitaxial wafer စက်ရုံဖြစ်ပြီး၊ အဓိကအားဖြင့် ဗို့အားမြင့် MOSFETs၊ IGBTs နှင့် မော်တော်ယာဥ်အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုသော အထူဖလင်ဆီလီကွန် epitaxial wafers ကို ထုတ်လုပ်ပါသည်။ အောက်ပိုင်းဖောက်သည်များသည် ချစ်ပ်လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ဘောင်များတွင် ပိုမိုတင်းကြပ်သော ညီညွတ်မှုကို တောင်းဆိုလာသည်နှင့်အမျှ epitaxial အလွှာအထူနှင့် ခံနိုင်ရည်တူညီမှုသည် epitaxial wafer အရည်အသွေးကို အကဲဖြတ်ရန်အတွက် အဓိက မက်ထရစ်များဖြစ်လာသည်။ ဖောက်သည်သည် လည်ပတ်မှုတစ်ခုတည်းတွင် များစွာသော ဆီလီကွန် wafers များကို တပြိုင်နက်တည်း လုပ်ဆောင်နိုင်သည့် multi-pocket CVD ဆီလီကွန် epitaxy ဓာတ်ပေါင်းဖိုများကို အသုံးပြုသည်။ သို့သော်၊ ကြာရှည်စွာ အပူချိန်မြင့်သော အပူစက်ဘီးစီးခြင်းနှင့် ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှု တိုက်စားမှုကြောင့် ၎င်းတို့၏ မူလဂရပ်ဖိုက်ခံပစ္စည်းများသည် အိတ်ကပ်မှ အိတ်ကပ်ကွဲခြင်းနှင့် ပြားချပ်ခြင်းဆိုင်ရာ မြင့်မားသောတိကျမှုလုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်တော့မည်မဟုတ်ပေ။

III စိန်ခေါ်မှုများနှင့် နာကျင်စရာအချက်များ- အိတ်ကပ်မှ အိတ်ကပ်ကွဲလွဲမှု မြင့်မားခြင်းကြောင့် ရုပ်ရှင်အထူသည် တစ်ပုံစံတည်းမဟုတ်ခြင်း

Core ရှုထောင့်- အလွန်အကျွံ ဂရပ်ဖိုက်ခံစုပ်သူ၏ ပျော့ပျောင်းမှု ခံနိုင်ရည်များသည် CVD မီးဖိုအတွင်းရှိ အပူကူးယူမှုနှင့် ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှု အကွက်ဖြန့်ဖြူးမှုကို တိုက်ရိုက် အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေကာ အိတ်ကပ်များကြားတွင် ပြင်းထန်သော အထူကွဲလွဲမှုများကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။

CVD ဆီလီကွန် epitaxial ကြီးထွားမှုအတွင်း၊ ရှေ့ပြေးဓာတ်ငွေ့များ (SiHCl3/SiH4 ကဲ့သို့) တစ်ခုတည်းသော သလင်းခဲ epitaxial အလွှာအဖြစ် wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ရောက်ရှိလာသည်။ graphite susceptor သည် carrier အဖြစ် လုပ်ဆောင်ရုံသာမက တူညီသော အပူစီးကူးခြင်းနှင့် flow field guidance တို့တွင်လည်း အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ ဖောက်သည် ရင်ဆိုင်နေရသော တိကျသော နည်းပညာဆိုင်ရာ ပိတ်ဆို့မှုများ ပါဝင်သည်-

1. Film Thickness Pocket-to-Pocket Variation သည် 1.4% အထိရောက်ရှိခဲ့ပြီး ယေဘုယျ Wafer Uniformity ကို ထိခိုက်စေသည်

တိုးချဲ့အသုံးပြုပြီးနောက် မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ မိုက်ခရိုပုံသဏ္ဍာန်ပြောင်းလဲမှုများကြောင့် သုံးစွဲသူ၏မူရင်းအိတ်ဆောင်အစုံလိုက် ဂရပ်ဖိုက်ခံကူကိရိယာများသည် အိတ်ဆောင်တစ်ခုချင်းစီ၏ အိတ်ကပ်အတွင်း အတိမ်အနက်နှင့် အပူဓာတ်ရောင်ခြည်ထိရောက်မှုတို့တွင် အနည်းငယ်ကွဲပြားမှုကို ပြသခဲ့သည်။ လက်တွေ့တိုင်းတာမှုများသည် အိတ်ကပ်မှ အိတ်ကပ်ကွဲလွဲမှုဒေတာ 1.4% အထိ မြင့်မားသည်ကို ပြသခဲ့သည်။ ဤကွာဟချက်သည် တူညီသောအသုတ်အတွင်း အိတ်ကပ်အမျိုးမျိုးတွင်ထည့်ထားသော ဆီလီကွန် wafer များတစ်လျှောက် မကိုက်ညီသော epitaxial အလွှာကြီးထွားနှုန်းကို တိုက်ရိုက်ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ဖလင်အထူအလွန်အကျွံသွေဖည်သွားစေသည်။

2. Susceptor Flatness အောက်တွင် <0.20mm ဖြစ်ပေါ်စေသော နယ်နိမိတ်အပူရှိန်နှင့် Flow Field Field Turbulence

မူရင်း susceptors များ၏ ချောမွေ့မှုကို <0.20mm အဆင့်တွင်သာ ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်။ 1100°C–1200°C ရှိသော အပူချိန်မြင့်သော ပတ်ဝန်းကျင်တွင်၊ မညီမညာသော မျက်နှာပြင်တစ်ခုသည် တုံ့ပြန်မှုဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုကို ဒေသအလိုက် eddies ပုံစံဖြစ်စေပြီး susceptor နှင့် induction heater အကြား တူညီသောကွာဟချက်များကို ဖန်တီးပေးသည်။ ယင်းသည် နောက်ပိုင်းတွင် မျက်နှာပြင်တစ်လျှောက် ပုံသဏ္ဍာန်မဟုတ်သော အပူစက်ကွင်းများကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ဖလင်အထူအတက်အကျများကို ပိုမိုဆိုးရွားစေသည်။

Pain Points နှင့် Technical Mechanism Analysis

IV VeTek စိတ်ကြိုက်ဖြေရှင်းချက်- CVD Flow Field Simulation နှင့် Ultra-High Precision Tooling Optimization

Core Perspective- ဂဏန်းပုံသဏ္ဍာန်အားဖြင့် စီးဆင်းမှုနှင့် အပူအကွက်များကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း၊ micron အဆင့်တိကျသော CNC စက်ဖြင့်ပြုလုပ်ခြင်းနှင့် သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသောသိပ်သည်းသော CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းဖြင့်ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် susceptor စွမ်းဆောင်ရည်ကို အခြေခံအားဖြင့် ပြန်လည်ပြုပြင်ပေးပါသည်။

ဖောက်သည်၏ အိတ်ကပ်မှ အိတ်ကပ်ကွဲလွဲမှုနှင့် ပြားချပ်ချပ် ပိတ်ဆို့မှုများကို ဖြေရှင်းရန်အတွက် VeTek Semiconductor အင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့သည် ဆိုက်တွင်း အကဲဖြတ်မှုများ ပြုလုပ်ကာ ဓာတ်ပေါင်းဖို၏ လည်ပတ်မှုဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များကို ထုတ်ယူကာ အပြည့်အဝ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ပြီး အဆုံးမှ အဆုံးအထိ ကောင်းမွန်အောင် လုပ်ဆောင်သည့် ဖြေရှင်းချက်ကို ဒီဇိုင်းထုတ်ခဲ့သည်-

VeTek Semiconductor သည် အဆင့်မြင့် တိကျသောစက်ချခြင်း၊ သန့်စင်ခန်းနှင့် အရည်အသွေးထိန်းချုပ်ရေး အထောက်အကူပြုပစ္စည်းများ

1. CVD Furnace အတွင်းပိုင်းစီးဆင်းမှုနှင့် အပူပိုင်းကွင်းဆင်းခြင်း သရုပ်သကန်

ANSYS Fluent ကိုအသုံးပြု၍ CVD ဓာတ်ပေါင်းဖိုအတွင်းတွင် ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုအလျင်၊ နယ်နိမိတ်အလွှာအထူနှင့် အပူဓာတ်ရောင်ခြည်အပူလွှဲပြောင်းမှုအတွက် 3D ကိန်းဂဏာန်းပုံများကို လုပ်ဆောင်ခဲ့သည်။ မော်ဒယ်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာချက်များအပေါ် အခြေခံ၍ အိတ်ကပ်အစွန်းအပြောင်းအရွှေ့အချင်းအချင်းနှင့် စုပ်ယူခံမျက်နှာပြင်ရှိ ဓာတ်ငွေ့လမ်းညွှန်သည့် groove တည်ဆောက်ပုံများကို ပြန်လည်ဒီဇိုင်းထုတ်ကာ အိတ်တစ်ခုစီ၏အထက်တွင် အလွန်တသမတ်တည်းရှိသော laminar စီးဆင်းမှုစနစ်အား ထိန်းသိမ်းရန်နှင့် ဓာတ်ပြုနိုင်သော ဓာတ်ငွေ့များကို အိတ်ဆောင်တစ်ခုစီတွင် ထားရှိကာ ဒေသအလိုက်ပြုလုပ်ထားသော vortices များကို ဖယ်ရှားပေးသည်။

2. High-Precision Graphite Substrate Machining & Tooling Optimization

မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆ၊ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော isotropic isostatic ဂရပ်ဖိုက်အား အဆင့်မြှင့်တင်ထားသော 5-ဝင်ရိုး CNC တိကျသော စက်ကိရိယာတန်ဆာပလာများဖြင့် ပေါင်းစပ်ထည့်သွင်းထားသည်။ စီမံဆောင်ရွက်နေစဉ်အတွင်း ဖိအားထိန်းချုပ်မှုနှင့် ကိရိယာလမ်းကြောင်းလမ်းကြောင်းများကို သန့်စင်ပေးခြင်းဖြင့်၊ စက်လွန်ဆွဲခံကိရိယာပြားချပ်ရပ်မှုကို <0.20 မီလီမီတာမှ <0.15 မီလီမီတာမှ တင်းကြပ်စွာထိန်းချုပ်ထားကာ ထိပ်တန်းအဆင့်ခံဆက်ခံမျက်နှာပြင်များကို <0.08 မီလီမီတာအထိ ချောမွေ့စေသည်။

3. မူပိုင် မြင့်မားသော သန့်ရှင်းသိပ်သည်းသော CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းနည်းပညာ

ယူနီဖောင်းအထူပါသော အလွန်သိပ်သည်းသော α-SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို ဓာတုအငွေ့များ (CVD) မှတစ်ဆင့် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စိုက်ပျိုးခဲ့သည်။ အပေါ်ယံပိုင်းသည် 99.999% (5N-6N အဆင့်)၊ မြင့်မားသော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ပူပြင်းသော ဟိုက်ဒရိုဂျင်ကလိုရိုက် (HCl) ဓာတ်ငွေ့ချေးများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ၎င်းသည် လျင်မြန်သောအပူစက်ဘီးစီးနေစဉ်အတွင်း ဂရပ်ဖိုက်အလွှာ၏ အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှု (CTE) ကိန်းဂဏန်းနှင့် လုံးဝကိုက်ညီပြီး မိုက်ခရိုအက်ကွဲမှုများ သို့မဟုတ် ကွဲထွက်ခြင်းများကို သေချာစေပါသည်။

နည်းပညာပိုင်းဆိုင်ရာ ဖြေရှင်းချက်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည် အားသာချက်များ

အဓိက ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ၊ SEM အထူတူညီမှုနှင့် CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်း၏ အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှု ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း

V. ရလဒ်များနှင့် ဒေတာ- အချက်အလက်များနှင့် အရေအတွက်ဆိုင်ရာ မက်ထရစ်များဖြင့် ပြောဆိုခြင်း။

Core Perspective- တိုင်းတာထားသော အကွက်ဒေတာသည် ခံနိုင်ရည်ရှိမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် epitaxial film pocket-to-pocket ကွဲလွဲမှုတွင် သိသိသာသာ 50.7% လျော့ကျသွားကြောင်း တိုက်ရိုက်ဘာသာပြန်ဆိုထားသည်။

အစိတ်အပိုင်းဟောင်းများကို VeTek Semiconductor ၏ ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော multi-pocket silicon epitaxy graphite susceptors များဖြင့် အစားထိုးပြီးနောက်၊ client သည် ရက် 30 ကြာ ဆက်တိုက် ပမာဏမြင့်မားသော ထုတ်လုပ်မှု ခြေရာခံလေ့လာမှုကို ၎င်းတို့၏လိုင်းတွင် ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ စုဆောင်းထားသော စစ်မှန်သော အရည်အသွေး မြှင့်တင်မှုဒေတာ ပါဝင်သည်-

1. ဖလင်အထူ အိတ်ကပ်မှ အိတ်ကပ် ကွဲလွဲမှုကို 0.69% သို့ လျှော့ချသည်

ဖောက်သည်၏ တိုင်းတာသည့် ထုတ်လုပ်မှုဒေတာတွင် အိတ်ကပ်မှ အိတ်ကပ်ကွဲလွဲမှုသည် 1.4% မှ 0.69% သို့ သိသိသာသာ ကျဆင်းသွားသည်ကို 50.7% မှ အလုံးစုံ လျှော့ချနိုင်ခဲ့ကြောင်း ပြသခဲ့သည်။ ၎င်းသည် မတူညီသောအိတ်ကပ်များအတွင်း တိုးတက်မှုနှုန်းကွာဟချက်ကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးသည်။

2. Susceptor Surface Flatness Breakthrough သို့ <0.08mm

flow field optimization နှင့် high-precision tooling အားဖြင့်၊ mass-produced susceptors များသည် <0.15mm အတွင်း အပြားလိုက် အဆက်မပြတ်ရရှိပြီး၊ ထိပ်တန်း susceptors များသည် <0.08mm ထိ တည်ငြိမ်စွာဖြင့်၊ စံစက်မှုဆိုင်ရာ စံနှုန်းများထက် များစွာကျော်လွန်ပါသည်။

3. ရုပ်ရှင်အထူတူညီမှုနှင့် ယေဘုယျအထွက်နှုန်းတွင် သိသိသာသာ တိုးတက်မှုများ

အလွန်တည်ငြိမ်သော အပူနှင့် စီးဆင်းမှုနယ်ပယ်များကြောင့်၊ epitaxial အလွှာ၏ ခံနိုင်ရည်နှင့် အထူတူညီမှု မက်ထရစ်များသည် ပရီမီယံအရည်အသွေး အပိုင်းအခြားများသို့ ဝင်ရောက်လာသည်။ စက်ရုံ၏ Grade-A wafer အထွက်နှုန်းသည် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 3.5% တိုးလာပြီး ဖျက်သိမ်းထားသော wafer ကုန်ကျစရိတ်အတွက် နှစ်စဉ် ယွမ်ထောင်နှင့်ချီ၍ သက်သာစေပါသည်။

VI ။ အမေးများသောမေးခွန်းများ (FAQ)

Q1: Multi-pocket silicon epitaxy graphite susceptor ၏ flatness သည် အဘယ်ကြောင့် film thickness တူညီမှုအပေါ် ကြီးမားသောသက်ရောက်မှုရှိသနည်း။

အဖြေ-မြင့်မားသော အပူချိန် CVD လုပ်ငန်းစဉ်များတွင်၊ ဆီလီကွန် wafers များကို အပူကူးယူခြင်းနှင့် susceptor မှ အပူဓာတ်ရောင်ခြည်များဖြင့် အဓိကအားဖြင့် အပူပေးသည်။ susceptor flatness ညံ့နေပါက (ဥပမာ၊ >0.20mm)၊ ၎င်းသည် susceptor နှင့် အောက်ခံအပူပေးစက်ကြားတွင် မညီမညာကွာဟမှုကို ဖန်တီးပေးကာ ဒေသအလိုက် အပူချိန်ကွဲပြားမှုများကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ တစ်ချိန်တည်းတွင်၊ မညီညာသောမျက်နှာပြင်သည် ဓာတ်ပြုနိုင်သောဓာတ်ငွေ့များ၏ laminar စီးဆင်းမှုကို နှောင့်ယှက်စေပြီး၊ အိတ်ကပ်မှအိတ်ကပ်ဖလင်အထူကွဲပြားမှုများအဖြစ် တိုက်ရိုက်ထင်ရှားသည့် ဒေသအလိုက် ဓာတ်ငွေ့ပြင်းအားနှင့် အလျင်အတက်အကျများကို ဖြစ်စေသည်။

Q2- VeTek ၏ CVD SiC coated graphite susceptors များ၏ လုပ်ငန်းလည်ပတ်မှုသက်တမ်းသည် အဘယ်နည်း။

အဖြေ-VeTek သည် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့် တိကျသော CTE ကိုက်ညီမှုဖြင့် ပြုပြင်ထားသော အလွန်သန့်ရှင်းသော CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများကို အသုံးပြုသည်။ 1200°C မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် H2/HCl အဆိပ်သင့်သောလေထုအောက်တွင်၊ ၎င်းသည် ထူးခြားသောအပူရှော့ခ်ကိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာအားနည်းမှုကိုပြသသည်၊ ပုံမှန်အားဖြင့် စံစက်မှုလုပ်ငန်းဖြင့်ဖုံးလွှမ်းထားသော susceptors များနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက 30% မှ 50% အထိ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးပါသည်။

Q3- ကျွန်ုပ်တို့တွင် စိတ်ကြိုက် CVD epitaxy ဓာတ်ပေါင်းဖို မော်ဒယ်များရှိပါက VeTek သည် စိတ်ကြိုက်အင်ဂျင်နီယာ ပံ့ပိုးပေးနိုင်မလား။

အဖြေ-ဟုတ်ကဲ့။ VeTek တွင် ပြီးပြည့်စုံသော CVD စီးဆင်းမှု/အပူစက်ကွင်း သရုပ်ဖော်နိုင်စွမ်းနှင့် တိကျသော CNC လုပ်ဆောင်မှုကွင်းဆက်တစ်ခု ပိုင်ဆိုင်ပါသည်။ ဖောက်သည်ပေးသော မီးဖိုအရွယ်အစား၊ လေစီးဆင်းမှု ကန့်သတ်ချက်များ သို့မဟုတ် အမွေဆက်ခံကိရိယာပုံများပေါ်တွင် အခြေခံ၍ 1:1 ပြောင်းပြန် အင်ဂျင်နီယာ သို့မဟုတ် ဖွဲ့စည်းပုံ ပိုမိုကောင်းမွန်အောင် လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။

Q4- သင်္ဘောပို့ဆောင်စဉ်အတွင်း သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးတွင် ဖြတ်သန်းထိခိုက်မှုမှ တိကျသောခံနိုင်ရည်ရှိမှုကို မည်သို့ကာကွယ်နိုင်သနည်း။

အဖြေ-စုပ်ယူခံထုတ်ကုန်အားလုံးသည် Class 1000 သန့်စင်ခန်းအတွင်း၌ ultrasonic သန့်ရှင်းရေးနှင့် static vacuum ထုပ်ပိုးမှုတို့ကို လုပ်ဆောင်သည်။ အတွင်းပိုင်းအား စိတ်ကြိုက်သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော EVA ရှော့ခ်-စုပ်ယူမှု မော်ဂျူးများကို အသုံးပြု၍ လုံခြုံစွာ အကာအကွယ်ပေးထားပြီး အပြင်ပိုင်းကို ပို့ကုန်အဆင့်ရှိ သစ်သားသေတ္တာများဖြင့် ထုပ်ပိုးထားသောကြောင့် ထိခိုက်မှုလုံးဝကင်းစင်ကြောင်း အာမခံပါသည်။

တင်ပြလာတဲ့ နိဂုံး

Core ရှုထောင့်- အရည်အသွေးမြင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် အပူချိန် ထိန်းညှိကိရိယာ အစိတ်အပိုင်းများသည် ဖောင်ဒေးရှင်း၏ ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းကို မြှင့်တင်ရာတွင် တိုက်ရိုက်ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုကို ကိုယ်စားပြုသည်။

Multi-pocket silicon epitaxy graphite susceptors များတွင် CVD flow field simulation၊ တိကျသော tooling control နှင့် CVD SiC coating optimization ကို အကောင်အထည်ဖော်ခြင်းဖြင့် VeTek Semiconductor သည် သုံးစွဲသူအား ဖလင်အထူ၏ အိတ်ကပ်မှ အိတ်ကပ်ကွဲလွဲမှုကို 1.4% မှ 0.69% အထိ လျှော့ချနိုင်ခဲ့ပါသည်။ ကြာရှည်စွာတည်မြဲမှုမရှိသော ဖလင်အထူကို ကောင်းစွာဖြေရှင်းနိုင်ခဲ့ပါသည်။

အကယ်၍ သင်သည် epitaxial အလွှာပုံသဏ္ဍာန်မဟုတ်သော၊ ဂရပ်ဖိုက်ခံနိုင်ရည်ပုံပျက်ခြင်း၊ အိတ်ကပ်မှ အိတ်ကပ်ကွဲခြင်း သို့မဟုတ် CVD အပေါ်ယံအလွှာလိုက်ခြင်းစသည့် နည်းပညာဆိုင်ရာနာကျင်မှုအချက်များ ကြုံတွေ့နေရပါက အခမဲ့စီးဆင်းမှုနယ်ပယ်အကဲဖြတ်ခြင်းနှင့် စိတ်ကြိုက်ပြုပြင်ခြင်းအစီအစဉ်ကို ရယူရန် VeTek Semiconductor နည်းပညာကျွမ်းကျင်သူအဖွဲ့ထံ လွတ်လပ်စွာဆက်သွယ်ပါ။