CVD အထွက်နှုန်းကို 50% မှ 90% မြှင့်တင်ရန် SiC Coating Edge အဝါရောင်ကို ဖြေရှင်းခြင်း

ဒြပ်ပေါင်း semiconductors နှင့် တတိယမျိုးဆက် semiconductors များ၏ epitaxial ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ MOCVD စက်အတွင်းရှိ သန့်ရှင်းသော မြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက်ခံကူများနှင့် ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများသည် မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ပြင်းထန်သောဓာတုချေးများကို ခံနိုင်ရည်ရှိရမည်ဖြစ်ပြီး အကာအကွယ်အတွက် သိပ်သည်းသော CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အပေါ်ယံပိုင်းအပေါ် မှီခိုနေရမည်ဖြစ်ပါသည်။ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာ၏အစွန်းအထင်းအဝါရောင်နှင့် အပူချိန်မြင့်မားသောတုံ့ပြန်မှုအခန်းများအတွင်း ကပ်ငြိမှုကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် ဖောက်သည်၏စိန်ခေါ်မှုကိုဖြေရှင်းခြင်းဖြင့် VeTek Semiconductor သည် အစစ်ခံခြင်း kinetics ပြန်လည်တည်ဆောက်မှုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ကန့်သတ်ထိန်းချုပ်မှုမှတစ်ဆင့် အစွန်းအထင်းများကို ဖယ်ရှားပေးကာ ထုတ်ကုန်အချောထည်အထွက်နှုန်းကို 50% မှ 90% အထိ သိသိသာသာလျှော့ချပေးပါသည်။

1. Key Data Snapshot နှင့် Performance နှိုင်းယှဉ်ခြင်း။

 ပုံ 1- MOCVD Silicon Carbide Coated Graphite Susceptor

ဒြပ်ပေါင်း semiconductors များနှင့် တတိယမျိုးဆက် semiconductors များ၏ epitaxial ကြီးထွားမှုကာလအတွင်း၊ CVD silicon carbide coating ၏ အရည်အသွေးသည် graphite susceptors နှင့် thermal field အစိတ်အပိုင်းများတွင် wafer အရည်အသွေးနှင့် ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်သည်။ အောက်တွင် VeTek Semiconductor မှ လုပ်ငန်းစဉ် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင် မလုပ်ဆောင်မီနှင့် အပြီးတွင် အဓိက မက်ထရစ်များကို နှိုင်းယှဉ်ထားသည်-

2. ဖောက်သည်နောက်ခံနှင့် MOCVD Epitaxial အပလီကေးရှင်းအခြေအနေများ

ပုံ 2- MOCVD Reaction Chamber အတွင်းတွင် Graphite Susceptor နှင့် Wafer Tray ၏ အလုပ်လုပ်သည့် မြင်ကွင်း

ဤပရောဂျက်တွင် ပါတနာသည် တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ဒြပ်ပေါင်း epitaxial ချစ်ပ်များ ထုတ်လုပ်သည့် လုပ်ငန်းဖြစ်ပြီး သုတေသန၊ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် Gallium Nitride (GaN) နှင့် Silicon Carbide (SiC) epitaxial wafers များကို သုတေသန၊ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုအတွက် ရည်စူးထားသည်။ MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းတွင်၊ ဂရပ်ဖိုက်ခံပစ္စည်းများနှင့် ဆက်စပ်သော အပူစက်ကွင်းဆီလီကွန်ကာဗိုက် coated အစိတ်အပိုင်းများသည် wafers များကို တိုက်ရိုက်သယ်ဆောင်ပြီး 1000°C ထက် မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် လည်ပတ်သည့်အပြင် ပြင်းထန်စွာ အဆိပ်ဓာတ်ငွေ့များ စီးဆင်းမှုအောက်တွင် လည်ပတ်နိုင်သော ပင်မပစ္စည်းများဖြစ်သည်။

MOCVD တုံ့ပြန်မှုအခန်းထဲရှိ အလွန်ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်ကြောင့်၊ ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ၏အရည်အသွေးသည် အပူလျှပ်ကူးယူညီညွှတ်မှု၊ အမှုန်အမွှားညစ်ညမ်းမှုထိန်းချုပ်မှုနှင့် susceptor ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုက်ရိုက်ပေးသည်။ epitaxial wafer အရွယ်အစားများသည် 8 လက်မသို့ အဆင့်မြှင့်လာသည်နှင့်အမျှ သုံးစွဲသူသည် မျက်နှာပြင်တင်းကျပ်မှု၊ အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်နှင့် အပေါ်ယံပုံသဏ္ဍာန်ဆိုင်ရာ မျက်နှာပြင်ပုံသဏ္ဍာန်တို့အပေါ် အလွန်မြင့်မားသော သတ်မှတ်ချက်လိုအပ်ချက်များကို ချမှတ်ခဲ့သည်။

3. CVD Silicon Carbide Coating Edge အဝါရောင်ဖြစ်စေသော အကြောင်းရင်းများနှင့် ပုလင်းလည်ပင်းများကို အတွင်းကျကျ လေ့လာခြင်း

 VeTek Semiconductor လုပ်ငန်းစဉ် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင် လုပ်ဆောင်ရေးအဖွဲ့ကို ချိတ်ဆက်ခြင်းမပြုမီတွင် သုံးစွဲသူသည် ၎င်းတို့၏ အိမ်တွင်း သို့မဟုတ် ပြင်ပမှ အရင်းအမြစ်ဖြစ်သော CVD ဆီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာ ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းတွင် ပြင်းထန်သော အရည်အသွေးဆိုင်ရာ ပိတ်ဆို့မှုများနှင့် ကြုံတွေ့ခဲ့ရသည်-

· အပေါ်ယံအစွန်းများ အဝါရောင်ကွဲလွဲခြင်း-CVD တုံ့ပြန်မှုမီးဖိုတွင် အပ်နှံပြီးနောက်၊ မြင်သာသော အဝါဖျော့ဖျော့ သို့မဟုတ် အမဲစက် အရောင်ကွဲပြားမှုများသည် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဖြင့် ဖုံးလွှမ်းထားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ အစွန်းပိုင်းဧရိယာများတွင် မကြာခဏဆိုသလို မြင်တွေ့ရပြီး တင်းကျပ်သော semiconductor-grade QC စက်ရုံစစ်ဆေးမှုကို မအောင်မြင်ပါ။

· bonding interface တွင် microscopic stress ချို့ယွင်းချက်များ-မူလ မြင့်မားသော အပ်နှံမှုနှုန်း လုပ်ငန်းစဉ် (~25 μm/h) အောက်တွင်၊ အပေါ်ယံလွှာနှင့် ဂရက်ဖိုက် အလွှာကြားတွင် သိသိသာသာ စုစည်းနေသော အတွင်းပိုင်း အပူဖိစီးမှု အပြင် မတူညီသော အစစ်ခံအဆင့်များကြား အဏုကြည့်မျက်နှာပြင်များတွင် အလွန်မြန်သော ဓာတုအခိုးအငွေ့ များ ပုံဆောင်ခဲခြင်း အရှိန်ကြောင့် ဖြစ်သည်။

· အလွန်နိမ့်သော ထုတ်လုပ်မှု အထွက်နှုန်းနှင့် ကုန်ကျစရိတ် ဖိအား-အစွန်းများ အဝါရောင်ထွက်ခြင်းနှင့် အခွံခွာခြင်းအန္တရာယ်များကြောင့် အကာအရံပစ္စည်းများ၏ ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အထွက်နှုန်းသည် 50% နိမ့်သောအချိန်ကြာမြင့်စွာ တည်ရှိနေသောကြောင့် ထုတ်လုပ်မှုစရိတ်စကများ အမြဲမြင့်မားလာပြီး အောက်ပိုင်း MOCVD epitaxy သုံးစွဲသူများအတွက် တည်ငြိမ်သောထောက်ပံ့ရေးအချိန်ဇယားများကို အာမခံရန် ခက်ခဲစေသည်။

4. Silicon Carbide Coating Peeling နှင့် Stress Defects များကို ဖြေရှင်းနည်း

ပုံ 3- VeTek Semiconductor Advanced CVD SiC Coating Process & Technology Flowchart

အထက်ဖော်ပြပါ လုပ်ငန်းစဉ်နာကျင်မှုအချက်များအား ဖြေရှင်းရန်အတွက် VeTek Semiconductor နည်းပညာအဖွဲ့သည် စီးဆင်းမှုနယ်ပယ်ဖြန့်ဖြူးမှု၊ အပူချိန်ကွင်းဆင်းဖြန့်ဖြူးမှုနှင့် တုံ့ပြန်မှုဓာတ်ငွေ့ (SiC ရှေ့ပြေး) အပူပြိုကွဲခြင်းဆိုင်ရာ ကိန်းဂဏန်းများကို CVD တုံ့ပြန်မှုအခန်းအတွင်း စနစ်တကျ အသွင်ပြောင်းရေးအစီအစဉ်ကို ရေးဆွဲကာ နက်ရှိုင်းစွာ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခဲ့ပါသည်။

Core လုပ်ငန်းစဉ် ပြောင်းလဲခြင်း- အဆင့်မြှင့်တင်ထားသော Deposition Rate Control
မူလလုပ်ငန်းစဉ်သည် အစစ်ခံလည်ပတ်မှုတစ်ခုလုံးတွင် မြင့်မားသော အပ်နှံမှုနှုန်း 25 μm/h ကို အသုံးပြုခဲ့ပြီး အလွန်ပြင်းထန်သောပုံဆောင်ခဲနျူကလိယကြီးထွားမှု၊ stoichiometry မှလွဲ၍ သေးငယ်သောအညစ်အကြေးအဆင့်ခွဲခြားမှုနှင့် ရုပ်ပုံသဏ္ဍာန်အစွန်းများရှိ ဖိစီးမှုအာရုံစူးစိုက်မှုကို ဖြစ်စေသည်။ VeTek အဖွဲ့သည် ကနဦးအပ်နှံသည့်အဆင့်တွင် အပ်နှံမှုနှုန်းကို 12 μm/h သို့ အတိအကျ လျှော့ချခဲ့သည်။ နျူကလိယအမြန်နှုန်းကို နှေးကွေးစေခြင်းဖြင့်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲ နျူကလိယသည် ဂရပ်ဖိုက်အပေါက်များနှင့် မျက်နှာပြင်အတွင်း စနစ်တကျစီစဉ်ရန် အချိန်အလုံအလောက်ရကာ 'အပေါ်ယံပိုင်းနှင့် ဂရက်ဖိုက်အလွှာ' အကြား အက်တမ်အဆင့် တင်းကျပ်စွာ ချိတ်ဆက်မှုကို ရရှိစေသည့်အပြင် 'ကွဲပြားသော အစစ်ခံအလွှာများကြား' အကြားတွင် ရှိသည်။

CVD Chamber Flow Field နှင့် Thermal Field ကို ကောင်းစွာ ချိန်ညှိခြင်း။
ရှေ့ပြေးဓာတ်ငွေ့များ (ထိုကဲ့သို့သော MTS နှင့် H₂ ကဲ့သို့) ဝင်ဝင်နှုန်းအချိုးနှင့် ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုလမ်းညွှန်ထောင့်များကို ချိန်ညှိပြီး အစွန်းပိုင်းဒေသများရှိ နယ်နိမိတ်အလွှာအထူကို ပိုကောင်းအောင်ပြုလုပ်ထားသည်။ ရှုပ်ထွေးသောဂျီဩမေတြီအစိတ်အပိုင်းများ၏အနားရှိ ဆီလီကွန်နှင့် ကာဗွန်အက်တမ်များ၏ stoichiometric အချိုးသည် တင်းကြပ်စွာ 1:1 ကျန်ရှိနေကြောင်း၊ ဒေသအလိုက်ပြုလုပ်ထားသော ဆီလီကွန်/ကာဗွန်ဖြည့်တင်းမှုများကြောင့် အရောင်ကွဲခြင်းနှင့် အဝါရောင်များကို ဖယ်ရှားပေးကြောင်း သေချာစေပါသည်။

5. MOCVD ၏ High-Purity Graphite Susceptor Coating အထွက်နှုန်းကို မြှင့်တင်ခြင်း၏ လက်တွေ့နှင့် အောင်မြင်မှုများ

ပုံ 4- သန့်ရှင်းသပ်ရပ်သော CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော Graphite Susceptor သည် Uniform Surface Color နှင့် အပြစ်အနာအဆာမရှိပါ

အထက်ဖော်ပြပါ CVD လုပ်ငန်းစဉ်အပြောင်းအလဲများကို အကောင်အထည်ဖော်ခြင်းဖြင့် VeTek Semiconductor သည် သုံးစွဲသူအား သိသိသာသာ စီးပွားရေးအကျိုးခံစားခွင့်များနှင့် အရည်အသွေးမြှင့်တင်မှုများ ရရှိစေရန် ကူညီပေးခဲ့သည်-

· သိသိသာသာ အထွက်နှုန်း မြင့်တက်ခြင်း-ဆီလီကွန်ကာဗိုက် coated ထုတ်ကုန်များ၏ အချောထည်အရည်အသွေးနှုန်းသည် 50% မှ 90% အထိ မြင့်တက်လာပြီး အစွန်းအဝါရောင်ကြောင့် ဖြစ်ရသည့် ဖြုန်းတီးမှုပြဿနာများကို လုံးလုံးဖြေရှင်းပေးပါသည်။

· ပိုမိုကောင်းမွန်သော အင်တာဖေ့စ် ချည်နှောင်သိပ်သည်းဆ-ကနဦး အပ်နှံမှုနှုန်းကို 12 μm/h သို့ လျှော့ချပြီးနောက်၊ အပေါ်ယံနှင့် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာကြားရှိ အပူဖိစီးမှု ထွက်လာခြင်းသည် 40% ကျော် လျော့နည်းသွားပြီး အပူစက်ဝန်း သက်တမ်း 1.5 ဆ တိုးလာပါသည်။

· ပို့ဆောင်ချိန် တိုတောင်းသည်-ပြန်လည်ပြုပြင်ခြင်းနှင့် အပိုင်းအစနှုန်းများ သိသာစွာကျဆင်းသွားခြင်းကြောင့်၊ အစိတ်အပိုင်းများ၏ ပြည့်စုံထုတ်လုပ်မှုစက်ဝန်းသည် 35% ဖြင့် တိုသွားကာ ယူနစ် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် ကုန်ကျစရိတ်ကို 30% လျှော့ချခဲ့ပြီး အောက်ပိုင်း MOCVD epitaxy ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများအတွက် စဉ်ဆက်မပြတ် စွမ်းရည်တိုးချဲ့မှု လိုအပ်ချက်များကို အခိုင်အမာအာမခံပါသည်။

6. မေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ (FAQ)

ပုံ 5- VeTek Semiconductor စံနှုန်းမြင့် အလုပ်ရုံဆွေးနွေးပွဲနှင့် ထုတ်လုပ်မှုအခြေခံ

မေး- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ၏အစွန်းအဝါရောင်ထွက်ခြင်းသည် MOCVD epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်များကိုဖြစ်စေသည့် ကြီးမားသောအန္တရာယ်ဖြစ်စေသနည်း။

A- အနားသတ်အဝါရောင်သည် ပုံမှန်အားဖြင့် အဏုကြည့်ကွက်လပ်ချို့ယွင်းချက်များ၊ stoichiometric သွေဖည်မှုများ (ဥပမာ- ဆီလီကွန်အခမဲ့ သို့မဟုတ် အခမဲ့ကာဗွန်ကို ဒေသအလိုက် ဖြည့်တင်းပေးခြင်း) သို့မဟုတ် ထိုဒေသ၏ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာရှိ ကျန်ရှိသော အတွင်းစိတ်ဖိစီးမှုကို ဆိုလိုပါသည်။ မြင့်မားသောအပူချိန် (1000°C+) နှင့် ပြင်းထန်စွာအဆိပ်သင့်သောဓာတ်ငွေ့ပတ်ဝန်းကျင် (ဥပမာ၊ NH₃၊ HCl) တွင် epitaxial ကြီးထွားနေချိန်တွင် အဝါရောင်ရှိသောနေရာများသည် အပေါ်ယံအခွံခွာခြင်း၊ မိုက်ခရိုအက်ကွဲထွက်ခြင်း သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးဓာတ်ငွေ့များထုတ်လွှတ်ခြင်းတို့ကို ပို၍ခံရနိုင်ချေရှိသည်။ ၎င်းသည် epitaxial wafers များကိုတိုက်ရိုက်ညစ်ညမ်းစေပြီး epitaxial အလွှာရှိချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆကိုတိုးစေပြီးပြင်းထန်သောအခြေအနေများတွင်ဂရပ်ဖိုက်ခံနိုင်ရည်ကိုယ်နှိုက်ကိုပျက်စီးစေသည်။

မေး- ကနဦးအပ်နှံမှုနှုန်း (25 μm/h မှ 12 μm/h) ကို လျှော့ချခြင်းသည် ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို သိသိသာသာတိုးစေပါသလား။

A- ကနဦး အပ်နှံမှုနှုန်းကို လျှော့ချခြင်းသည် ပထမအဆင့်၏ ကြာချိန်ကို အနည်းငယ် တိုးစေသော်လည်း၊ ကနဦး မျက်နှာပြင် ကြီးထွားမှု အဆင့် (ပထမ အနည်းငယ် မိုက်ခရိုမီတာ) အတွင်း နူးညံ့သိမ်မွေ့သော 12 μm/h နှုန်းကို ကျွန်ုပ်တို့ ကျင့်သုံးပါသည်။ တင်းကျပ်သော အင်တာဖေ့စ်နှောင်ကြိုးကို ထူထောင်ပြီးသည်နှင့်၊ စံနှုန်းမြင့်မားသော ထုတ်ယူမှု ပြန်လည်စတင်သည်။ ထို့ထက် ပိုအရေးကြီးသည်မှာ အထွက်နှုန်းသည် ၅၀% မှ ၉၀% အထိခုန်တက်သွားကာ အပိုင်းအစများနှင့် ကုန်ကြမ်းစွန့်ပစ်ပစ္စည်းများကို လျှော့ချပေးသည်၊၊ ၎င်းသည် လုပ်အားနာရီများအတွင်း အနည်းငယ်တိုးလာမှုထက် အဆမတန်များပြားကာ နောက်ဆုံးတွင် စုစုပေါင်းယူနစ်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို ခန့်မှန်းခြေ 30% လျှော့ချပေးသည်။

မေး- VeTek Semiconductor သည် စိတ်ကြိုက်ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများအတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာဆိုင်ရာ ဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးနိုင်ပါသလား။

A: ဟုတ်ပါတယ်။ VeTek သည် CVD ဆီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာများနှင့် CVD တန်တလမ်ကာဘိုင် (TaC) အပေါ်ယံအလွှာများအထိ သန့်ရှင်းသပ်ရပ်သော ဂရပ်ဖိုက်အလွှာများ ( micropores ၊ ရှုပ်ထွေးသောစီးဆင်းလမ်းကြောင်းများ၊ စိတ်ကြိုက်ပုံသဏ္ဍာန်ဆက်ခံသူများ) မှ ကွင်းဆက်စိတ်ကြိုက်ပြုပြင်ခြင်းဝန်ဆောင်မှုများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ဖောက်သည်တုံ့ပြန်မှုမီးဖိုများ၏ သီးခြားအပူစက်ကွင်းဖြန့်ဖြူးမှုနှင့်အညီ အပ်နှံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များကို ချိန်ညှိနိုင်သည်။

7. အကျဉ်းချုပ်နှင့် အင်ဂျင်နီယာ ပံ့ပိုးမှု ဝန်ဆောင်မှုများ

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် အစိတ်အပိုင်းများတွင် သေးငယ်သော လုပ်ငန်းစဉ်များကို ချိန်ညှိမှုများသည် downstream ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်း၏ အထွက်နှုန်းနှင့် ကုန်ကျစရိတ်အောင်မြင်မှုကို ညွှန်ပြလေ့ရှိသည်။ CVD ဆီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာများ၊ သန့်ရှင်းသောဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများနှင့် တတိယမျိုးဆက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအပူကွက်များ နှင့် VeTek Semiconductor သည် အလွှာလိုက်အဝါရောင်၏စက်မှုလုပ်ငန်းစိန်ခေါ်မှုကို အောင်မြင်စွာဖြေရှင်းနိုင်ခဲ့ပြီး သုံးစွဲသူများအား 90% အလွန်မြင့်မားသောအထွက်နှုန်းနှင့် သာလွန်ကောင်းမွန်သောအစိတ်အပိုင်းများကို အသက်ရှည်စေရန် ကူညီပေးခဲ့ပါသည်။

MOCVD ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းအပေါ်ယံပိုင်းအခွံခွာခြင်း၊ အစွန်းအဝါရောင်ထွက်ခြင်း၊ အပူရှော့အက်ကွဲအက်ခြင်း သို့မဟုတ် စိတ်ကြိုက်အစိတ်အပိုင်းစက်ပြုလုပ်ခြင်းတို့ဖြင့်လည်း စိန်ခေါ်မှုများနှင့်ရင်ဆိုင်နေရပါက ကျွန်ုပ်တို့၏စူးစမ်းလေ့လာရန် ကြိုဆိုပါသည်။CVD Silicon Carbide Coated Graphite Susceptor အသေးစိတ် စာမျက်နှာ နှင့်High-Purity Semiconductor Graphite Parts Customization ဝန်ဆောင်မှုများသို့မဟုတ် VeTek Semiconductor ရှိ ကျွမ်းကျင်သူ နည်းပညာအဖွဲ့ကို ဆက်သွယ်ပါ။ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင့်အား အခမဲ့ လုပ်ငန်းစဉ်ဆိုင်ရာ ရောဂါရှာဖွေခြင်းနှင့် နမူနာစမ်းသပ်ခြင်းဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးဆောင်ပါမည်။

ပုံ 6- VeTek Semiconductor R&D နှင့် ထုတ်လုပ်ရေးပန်းခြံ၏ မြင်ကွင်းကျယ်မြင်ကွင်း