သတင်း

Tantalum Carbide (TAC) ကိုကန့်သတ်ထားသော Semiconductor field များတွင်အဓိကအားဖြင့် Estitaxial Commonomal Commonents, Crystal Componoms ၏အစိတ်အပိုင်းများ, အပူချိန်မြင့်မားသောစက်မှုလုပ်ငန်းအစိတ်အပိုင်းများ,

SIC ofagaxial တိုးတက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း SIC COC COC COUCTEDING ဆိုင်းငံ့မှုပျက်ကွက်မှုဖြစ်နိုင်သည်။ ဤစာတမ်းသည်အဓိကအားဖြင့်အချက်နှစ်ချက်များပါ 0 င်သော SIC coable coagner လုပ်ရပ်၏ပျက်ကွက်မှုဖြစ်စဉ်ကိုတိကျခိုင်မာစွာခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းကိုပြုလုပ်ခဲ့သည်။

ဤဆောင်းပါးတွင် အဓိကအားဖြင့် Molecular Beam Epitaxy ဖြစ်စဉ်နှင့် သတ္တု-အော်ဂဲနစ် ဓာတုငွေ့ထုတ်လွှတ်မှုနည်းပညာများ၏ သက်ဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ် အားသာချက်များနှင့် ကွဲပြားမှုများကို ဆွေးနွေးထားသည်။

VeTek Semiconductor ၏ Porous Tantalum Carbide သည် SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုဆိုင်ရာပစ္စည်း မျိုးဆက်သစ်တစ်ခုအနေဖြင့် အလွန်ကောင်းမွန်သောထုတ်ကုန်ဂုဏ်သတ္တိများရှိပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ဆောင်ခြင်းနည်းပညာအမျိုးမျိုးတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်ပါသည်။

epitaxial furnace ၏လုပ်ဆောင်မှုနိယာမမှာ မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ဖိအားများအောက်တွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများကို အလွှာတစ်ခုပေါ်တွင် အပ်နှံရန်ဖြစ်သည်။ Silicon epitaxial ကြီးထွားမှုသည် အချို့သော crystal orientation ဖြင့် ဆီလီကွန်တစ်ခုတည်းသော crystal substrate ပေါ်တွင် တူညီသော crystal orientation ရှိသော crystal အလွှာကို ကြီးထွားစေရန်ဖြစ်သည်။ ဤဆောင်းပါးတွင် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန် epitaxial ကြီးထွားမှုနည်းလမ်းများ- အငွေ့အဆင့် epitaxy နှင့် liquid phase epitaxy တို့ကို မိတ်ဆက်ပေးသည်။

Sio2, Sinc အပါအ 0 င်ခန်းမများတွင်ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်ပစ္စည်းများတွင်ဓာတုအငွေ့စုဆောင်းမှု (CVD) တွင် Sio2, Sinc အပါအ 0 င်ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်ပစ္စည်းများထည့်သွင်းရန်အသုံးပြုသည်။ အပူချိန်, ဖိအားနှင့်တုံ့ပြန်မှုဓာတ်ငွေ့အမျိုးအစားကိုညှိခြင်းအားဖြင့် CVD သည်မတူညီသောဖြစ်ရပ်များလိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီရန်စင်ကြယ်ခြင်း, တူညီမှုနှင့်ကောင်းမွန်သောရုပ်ရှင်သတင်းများကိုရရှိစေသည်။

ဤဆောင်းပါးသည် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်ပစ္စည်းများ၏ ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုအလားအလာများကို ဖော်ပြသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်များတွင် လောင်ကျွမ်းစေသော အက်ကွဲကြောင်းများကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းနှင့် သက်ဆိုင်သော ဖြေရှင်းချက်များကိုလည်း အာရုံစိုက်ပါသည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် သတ္တုစပ်ခြင်းနည်းပညာသည် loading effect၊ micro-groove effect နှင့် charging effect ကဲ့သို့သော ပြဿနာများကို ကြုံတွေ့ရပြီး ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကို ထိခိုက်စေပါသည်။ တိုးတက်မှုဖြေရှင်းချက်များတွင် ပလာစမာသိပ်သည်းဆကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း၊ တုံ့ပြန်မှုဓာတ်ငွေ့ပါဝင်မှုကို ချိန်ညှိခြင်း၊ လေဟာနယ်စနစ်၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေခြင်း၊ ကျိုးကြောင်းဆီလျော်သော lithography အပြင်အဆင်ကို ဒီဇိုင်းထုတ်ခြင်းနှင့် သင့်လျော်သော etching mask ပစ္စည်းများနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများကို ရွေးချယ်ခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။

Hot The Side Sideing SIC SIC ကြွေထည်များကိုပြင်ဆင်ရန်အတွက်အဓိကနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ပူပြင်းသည့်အချိန် Sintering ၏ဖြစ်စဉ်တွင် - မြင့်မားသောသန့်ရှင်းရေးအမှုန့်ကိုရွေးချယ်ခြင်း, ဤနည်းလမ်းဖြင့်ပြင်ဆင်သော SIC ကြွေထည်များသည်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်းနှင့်သိပ်သည်းဆမြင့်မားခြင်း၏အားသာချက်များရှိပြီးကျယ်ပြန့်သော discs များနှင့်အပူထုတ်ပေးပစ္စည်းကိရိယာများအတွက်ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုကြသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ၏ အဓိက တိုးတက်မှုနည်းလမ်းများတွင် PVT၊ TSSG နှင့် HTCVD တို့ပါဝင်သည်၊ တစ်ခုစီတွင် ထူးခြားသောအားသာချက်များနှင့် စိန်ခေါ်မှုများရှိသည်။ ကာဗွန်အခြေခံအပူဓာတ်အခြေခံပစ္စည်းများသည် SiC ၏တိကျသောဖန်တီးမှုနှင့်အသုံးချမှုအတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော တည်ငြိမ်မှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် သန့်ရှင်းမှုတို့ကို ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့် ကာဗွန်အခြေခံအပူကွက်များ၊

SiC သည် မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် သံချေးတက်မှုတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ၎င်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှုအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို ဓာတုအခိုးအငွေ့များ စုပုံခြင်းမှတစ်ဆင့် ဖန်တီးထားပြီး မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ ဓာတုတည်ငြိမ်မှုနှင့် epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် ကိုက်ညီသော ရာဇမတ်ကွက်များကို ပေးဆောင်သည်။ ၎င်း၏အနိမ့်အပူချဲ့ထွင်မှုနှင့် မာကျောမှုမြင့်မားမှုသည် တာရှည်ခံမှုနှင့် တိကျမှုကိုသေချာစေပြီး wafer carriers၊ preheating rings နှင့် အခြားအရာများကဲ့သို့ applications များတွင်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။ VeTek Semiconductor သည် မတူညီသော လုပ်ငန်းလိုအပ်ချက်များအတွက် စိတ်ကြိုက် SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို အထူးပြုပါသည်။

Silicon Carbide (SIC) သည်အပူချိန်မြင့်မားခြင်း, ချေးခြင်းခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း, ၎င်းတွင်ကြည်လင်သောအဆောက်အအုံ 200 ကျော်ရှိသည်။ 3c-Sic သည်၎င်း၏လျှပ်စစ်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားစီးဆင်းမှုအတွက်ထွက်ပေါ်လာပြီးအာဏာပိုင်များကမောရှေအတွက်အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်၎င်းသည် nanoelectronics, အပြာရောင် LEDs နှင့်အာရုံခံကိရိယာများတွင်ကြီးမားသောအလားအလာကိုပြသသည်။

အလားအလာရှိသော စတုတ္ထမျိုးဆက် "ultimate semiconductor" သည် ၎င်း၏ထူးခြားသော မာကျောမှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာများတွင် အာရုံစိုက်မှုရရှိနေသည်။ ၎င်း၏ မြင့်မားသောကုန်ကျစရိတ်နှင့် ထုတ်လုပ်မှုစိန်ခေါ်မှုများက ၎င်း၏အသုံးပြုမှုကို ကန့်သတ်ထားသော်လည်း CVD သည် ဦးစားပေးနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ မူးယစ်ဆေးဝါးနှင့် ကြီးမားသော ဧရိယာပုံဆောင်ခဲများကို စိန်ခေါ်နေသော်လည်း စိန်က ကတိပေးထားသည်။

Sic နှင့် Gan တို့သည် Silicon အတွက်အားသာချက်များရှိသော bandgap semiconductors များဖြစ်ပြီး, စွမ်းအင်စီးကူးခြင်းကြောင့်မြင့်မားသောဗို့အားမြင့်မားသောလျှပ်စစ်အက်ပလီကေးရှင်းများကပိုမိုကောင်းမွန်သောအီလက်ထရွန်ရွေ့လျားမှုကြောင့်အလွန်အမင်းကြိမ်နှုန်းဖြင့်အဆင့်မြင့်အပလီကေးရှင်းများကြောင့်ပိုမိုကောင်းမွန်သော voltage မြင့်မားသောအပလီကေးရှင်းများပိုမိုကောင်းမွန်သည်။

အီလက်ထရွန်အလင်းတန်းများ ရေငွေ့ပျံခြင်းသည် ခံနိုင်ရည်ရှိအပူပေးခြင်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အလွန်ထိရောက်ပြီး အသုံးများသော coating နည်းလမ်းဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် အငွေ့ပျံသည့်အရာအား အီလက်ထရွန်အလင်းတန်းဖြင့် အပူပေးကာ ပါးလွှာသော ဖလင်တစ်ခုအဖြစ် အငွေ့ပျံကာ ပေါင်းစည်းသွားစေသည်။