သတင်း

CVD SIC သည်ဓာတုအခိုးအငွေ့စုပ်ယူမှုဖြင့်ထုတ်လုပ်သောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော silicon carbide ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်းကိုအဓိကအားဖြင့် semiconductor processing process တွင်အဓိကအစိတ်အပိုင်းများနှင့်ဖုံးအုပ်မှုများအတွက်အသုံးပြုသည်။ အောက်ပါအကြောင်းအရာသည် CVD SIC ၏အစိတ်အပိုင်းအမျိုးအစားနှင့်အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်များကိုမိတ်ဆက်ပေးခြင်းဖြစ်သည်

ဤဆောင်းပါးသည်အဓိကအားဖြင့် Semiconductor processing တွင် tac cumating တွင် TAC COTENating ၏အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်များနှင့်အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်များကိုမိတ်ဆက်ပေးသည်။

ဤဆောင်းပါးသည်အဓိကအားဖြင့် Semiconductor ပြုပြင်ထုတ်လုပ်မှုတွင် Mocvd Susceptor ၏ထုတ်ကုန်အမျိုးအစားများ, ထုတ်ကုန်လက္ခဏာများနှင့် Mocvd Susceptor ၏အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်များကိုမိတ်ဆက်ပေးသည်။

SiC ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှု မီးဖိုအတွင်း PVT အလုပ်လုပ်ပုံကို ရှာဖွေပါ။ WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd မှ sublimation၊ အစုလိုက်အပြုံလိုက် သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနှင့် ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုဆိုင်ရာ နည်းပညာပိုင်းခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း။

Porous Tantalum Carbide (TaC) Coated Graphite Ring သည် Physical Vapor Transport (PVT) SiC တစ်ခုတည်းသော သလင်းပြင်ကြီးထွားမှုအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် အထူးပြု အပူ-စက်ကွင်း အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ သိပ်သည်းသော CVD tantalum carbide coating ဖြင့် သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော မြင့်မားသော porous graphite ကို ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့်၊ ၎င်းသည် အပူချိန်မြင့်မားသော တည်ငြိမ်မှု၊ ချေးကာကွယ်မှု၊ ထိန်းချုပ်ထားသော အပူဖြန့်ဖြူးမှုနှင့် ညစ်ညမ်းမှု နည်းပါးမှုကို ပေးစွမ်းသည်။ ဤဆောင်းပါးတွင် ၎င်း၏ဖွဲ့စည်းပုံ၊ နည်းပညာဆိုင်ရာ အားသာချက်များ၊ အသုံးချမှုများ၊ သတ်မှတ်ချက်များနှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် SiC crystal-growth equipment အတွက် ရွေးချယ်မှု ထည့်သွင်းစဉ်းစားမှုများကို ရှင်းပြထားသည်။

GTMS/CTMS hermetic တံဆိပ်ခတ်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်များကို ပစ်မှတ်ထားပြီး VeTek သည် 0.01㎡ နှုန်းတွင် 1,500 သိပ်သည်းသော arrayed micro-holes ဖြင့် စိတ်ကြိုက် အထူးဂရပ်ဖိုက် fixture ဖြေရှင်းချက်များကို ဆောင်ရွက်ပေးပါသည်။ Kovar အလွိုင်း CTE ကို အတိအကျ လိုက်ဖက်ပြီး 10 လကျော် အပေါက် micromachining စိန်ခေါ်မှုကို ကျော်လွှားကာ micron အဆင့် သုည-ချို့ယွင်းချက် ထိန်းချုပ်မှုနှင့် တစ်နေရာတည်းတွင် အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ ပေးပို့မှုတို့ကို ရရှိစေပါသည်။

လျင်မြန်စွာ ပြောင်းလဲတိုးတက်နေသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင်၊ တိကျသောပစ္စည်းများသည် wafer လုပ်ငန်းစဉ်အရည်အသွေးနှင့် ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်သည်။ VETEK သည် ခေတ်မီသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် TEL ဖြေရှင်းချက်များအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် High Purity Quartz Wafer Boat ကို ပံ့ပိုးပေးထားပြီး၊ အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူတည်ငြိမ်မှု၊ ဓာတုဒဏ်ခံနိုင်မှုနှင့် ညစ်ညမ်းမှုထိန်းချုပ်မှုတို့ကို ပေးစွမ်းသည်။

Glassy Carbon Coated Graphite Crucible သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု၊ လေဟာနယ်အပူကုသခြင်းနှင့် အပူချိန်မြင့်သည့်ပစ္စည်းများ သုတေသနပြုခြင်းစသည့် လိုအပ်သောအသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် အဆင့်မြင့်အပူဆိုင်ရာလုပ်ဆောင်မှုအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤဆောင်းပါးသည် ၎င်း၏ဖွဲ့စည်းပုံ၊ အားသာချက်များ၊ အသုံးချမှုများနှင့် ရွေးချယ်မှုဆိုင်ရာ ထည့်သွင်းစဉ်းစားမှုများကို ရှင်းပြထားသည်။ VeTek Semiconductor သည် ခေတ်မီစက်မှုလုပ်ငန်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ပြည့်မီရန် ဖန်စီကာဗွန်အပေါ်ယံပိုင်းနည်းပညာနှင့် တိကျသောဂရပ်ဖိုက်ထုတ်လုပ်မှုနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသည့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် crucible solution များကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုသည် ပိုမိုအဆင့်မြင့်သော လုပ်ငန်းစဉ်များဆီသို့ ရွေ့လျားလာသည်နှင့်အမျှ ပစ္စည်း၏သန့်ရှင်းမှုနှင့် အပူတည်ငြိမ်မှုတို့သည် ယခင်ကထက် ပိုမိုအရေးကြီးလာသည်။ Hyperpure graphite တောင့်တင်းသော ခံစားမှုသည် ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု မီးဖိုများ၊ epitaxial ဓာတ်ပေါင်းဖိုများ၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ထုတ်လုပ်မှုစနစ်များနှင့် အခြားသော အပူချိန်မြင့်အသုံးချမှုများအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရဆုံးသော လျှပ်ကာပစ္စည်းများထဲမှ တစ်ခုအဖြစ် ပေါ်ထွက်လာပါသည်။

SiC Diffusion Furnace Tube သည် ၎င်း၏ထူးခြားသောအပူတည်ငြိမ်မှု၊ ဓာတုခံနိုင်ရည်နှင့် တာရှည်ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းတို့ကြောင့် ခေတ်မီတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုတွင် အရေးပါသောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်လာသည်။ ဤဆောင်းပါးတွင် VeTek သည် ပျံ့နှံ့နေသောမီးဖို၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုမြှင့်တင်ရန်၊ wafer အရည်အသွေးကိုမြှင့်တင်ရန်နှင့် အလုံးစုံထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကိုလျှော့ချနိုင်သည့် အဆင့်မြင့် SiC ဖြေရှင်းချက်များကို မည်ကဲ့သို့ပေးဆောင်သည်ကို ဤဆောင်းပါးတွင် စူးစမ်းလေ့လာထားသည်။ ၎င်း၏ဖွဲ့စည်းပုံ၊ အားသာချက်များ၊ အပလီကေးရှင်းများ၊ နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များနှင့် ၎င်းသည် ရိုးရာ quartz နှင့် alumina ပြွန်များကို အဘယ်ကြောင့် ပို၍ပို၍ အစားထိုးလာသည်ကို လေ့လာနိုင်မည်ဖြစ်သည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှုနည်းပညာနှင့် အဆင့်မြင့် ပစ္စည်း ပြုပြင်ခြင်းများ ဆက်လက် တိုးတက်နေသဖြင့် အလွန်သန့်ရှင်းပြီး အပူဓာတ် တည်ငြိမ်သော အစိတ်အပိုင်းများ လိုအပ်ချက် သိသိသာသာ တိုးလာပါသည်။ ဤအရေးပါသော အစိတ်အပိုင်းများထဲတွင် Glassy Carbon Coated Graphite Crucible သည် အပူချိန်မြင့်ပြီး သန့်စင်မြင့်မားသော ပတ်ဝန်းကျင်များအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရဆုံး ဖြေရှင်းချက်တစ်ခုအဖြစ် ပေါ်ထွက်လာပါသည်။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှုသည် ပိုမိုမြင့်မားသောတိကျမှု၊ သန့်ရှင်းမှုနှင့် အပူတည်ငြိမ်မှုဆီသို့ ဆက်လက်တိုးတက်နေသဖြင့် အဆင့်မြင့် coating ပစ္စည်းများသည် process equipment များတွင် အရေးပါသောအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်လာသည်။ ၎င်းတို့ထဲတွင် Tantalum Carbide Coating Ring သည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ ချေးစားမှု၊ ပလာစမာတိုက်စားမှုနှင့် အမှုန်အမွှားများ ညစ်ညမ်းမှုတို့ကို ထူးထူးခြားခြား ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ထင်ရှားသည်။

ရရှိနိုင်သောနည်းပညာများထဲတွင် အရွယ်အစားကြီးမားသော ခုခံမှုအပူပေးသည့် SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုမီးဖိုသည် ကြီးမားသောအချင်း၊ ချွတ်ယွင်းမှုနည်းပါးသော SiC ပုံဆောင်ခဲများကို ပိုမိုကောင်းမွန်သော လိုက်လျောညီထွေရှိပြီး ထိရောက်မှုဖြင့် ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အရေးကြီးသောဖြေရှင်းချက်တစ်ခုအဖြစ် ပေါ်ထွက်လာပါသည်။ ဤဆောင်းပါးသည် ဤနည်းပညာအလုပ်လုပ်ပုံ၊ ၎င်း၏အားသာချက်များ၊ အသုံးချပရိုဂရမ်များနှင့် လုပ်ငန်းခေါင်းဆောင်များသည် Veteksemi မှ ဆန်းသစ်သောဖြေရှင်းချက်များကို အဘယ်ကြောင့်ယုံကြည်ရကြောင်း စူးစမ်းလေ့လာထားသည်။

ASM အတွက် SiC coated graphite susceptor သည် epitaxy စနစ်အတွင်းရှိ အစားထိုးအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုမျှသာမဟုတ်ပါ။ ၎င်းသည် အပူပိုင်းတူညီမှု၊ wafer သန့်ရှင်းမှု၊ အပေါ်ယံပိုင်း တာရှည်ခံမှု၊ အခန်းတွင်း တည်ငြိမ်မှုနှင့် ရေရှည်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်တို့ကို လွှမ်းမိုးသည့် လုပ်ငန်းစဉ်-အရေးပါသော သယ်ဆောင်သူဖြစ်သည်။

CVD TaC Coating Cover သည် အကာအကွယ်အဖုံး သို့မဟုတ် ဂရပ်ဖိုက် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုမျှသာ မဟုတ်ပါ။ အပူချိန်မြင့်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ၎င်းသည် အခန်းတွင်း သန့်ရှင်းမှု၊ အပူတည်ငြိမ်မှု၊ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်း သက်တမ်းနှင့် လုပ်ငန်းစဉ် ညီညွတ်မှုကို လွှမ်းမိုးနိုင်သည်။

PECVD ထုတ်လုပ်မှုတွင် ပလာစမာပါဝါ သို့မဟုတ် ဓာတ်ငွေ့ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ပြသာနာများစွာဖြင့် မစတင်ပါ။ သူတို့သည် wafers များကိုကိုင်ဆောင်သော carrier မှစတင်သည်။