Diamond - Semiconductors ၏အနာဂတ်ကြယ်ပွင့်

သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာများ လျင်မြန်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်ပစ္စည်းများအတွက် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ၀ယ်လိုအားနှင့်အတူ၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ငန်းကွင်းဆက်ရှိ အဓိကနည်းပညာဆိုင်ရာ ချိတ်ဆက်မှုတစ်ခုအနေဖြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းနယ်ပယ်တွင် အရေးပါလာပါသည်။ ၎င်းတို့ထဲတွင် စိန်သည် အလားအလာရှိသော စတုတ္ထမျိုးဆက် "ultimate semiconductor" ပစ္စည်းအဖြစ် တဖြည်းဖြည်း သုတေသန ဟော့စပေါ့ ဖြစ်လာပြီး ၎င်း၏ လွန်ကဲသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ အလွှာပစ္စည်းများ၏ စျေးကွက်တွင် အကြိုက်တွေ့စေပါသည်။

စိန်၏ဂုဏ်သတ္တိများ

စိန်သည် ပုံမှန်အနုမြူသလင်းကျောက်နှင့် covalent နှောင်ကြိုးပုံဆောင်ခဲဖြစ်သည်။ ပုံ ၁ (က) တွင် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံကို ပြထားသည်။ ၎င်းတွင် covalent နှောင်ကြိုးပုံစံဖြင့် အခြားကာဗွန်အက်တမ်သုံးလုံးနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသော အလယ်ကာဗွန်အက်တမ်တို့ ပါဝင်သည်။ ပုံ 1(b) သည် စိန်၏ အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းနှင့် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ အချိုးညီမှုကို ရောင်ပြန်ဟပ်သည့် ယူနစ်ဆဲလ်ဖွဲ့စည်းပုံဖြစ်သည်။

ပုံ 1 စိန် (က) ကြည်လင်သောဖွဲ့စည်းပုံ; (ခ) ယူနစ်ဆဲလ်ဖွဲ့စည်းပုံ

စိန်သည်ကမ္ဘာပေါ်တွင်ထူးခြားသောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများနှင့်စက်ပြင်, လျှပ်စစ်ဓာတ်အားနှင့်မှန်ဘီလူးများတွင်အလွန်ကောင်းမွန်သောဂုဏ်သတ္တိများရှိပြီးစတိုင်လ်များသည်အလွန်မြင့်မားသောခဲယဉ်းသော, ။ နှင့်ပွန်းစားကိရိယာများအတွက်ကောင်းစွာအသုံးပြုသည်; (၂) စိန်သည် ယနေ့ခေတ်သိကြသည့် သဘာဝဒြပ်များထဲတွင် အမြင့်ဆုံးအပူစီးကူးနိုင်စွမ်း (2200W/(m·K)) ရှိပြီး ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ထက် 4 ဆ ၊ ဆီလီကွန် (Si ) ထက် 13 ဆ ၊ 43 ဆ ပိုကြီးသည် ။ gallium arsenide (GaAs) နှင့် ကြေးနီနှင့် ငွေထက် 4 ဆမှ 5 ဆ ပိုကြီးပြီး ပါဝါမြင့်သော စက်များတွင် အသုံးပြုသည်။ ၎င်းတွင် low thermal expansion coefficient (0.8×10-6-1.5×10) ကဲ့သို့သော ကောင်းမွန်သော ဂုဏ်သတ္တိများ ရှိသည်။^စာ-၆K^စာ-၁) နှင့် မြင့်မားသော elastic modulus ။ အလားအလာကောင်းမွန်သော အီလက်ထရွန်းနစ်ထုပ်ပိုးသည့် ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ 

အပေါက်က Mobility သည် 4500 CM2500 ဖြစ်သည်^စာ-၁· s^စာ-၁နှင့်အီလက်ထရွန်ရွေ့လျားမှုသည် 3800 CM2800 ဖြစ်သည်^စာ-၁· s^စာ-၁၎င်းသည် မြန်နှုန်းမြင့် switching devices များနှင့် သက်ဆိုင်စေသည်။ ပြိုကွဲနေသော လယ်ကွင်းအား ခွန်အားသည် 13MV/cm ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် ဗို့အားမြင့်ကိရိယာများတွင် အသုံးချနိုင်သည်။ Baliga ကိန်းဂဏန်းသည် အခြားပစ္စည်းများထက် များစွာမြင့်မားသည် (တန်ဖိုးကြီးလေ၊ စက်ပစ္စည်းများကို ကူးပြောင်းအသုံးပြုရန် အလားအလာ ပိုများလေ)။ 

Polycrystalline စိန်သည်လည်း အလှဆင်အကျိုးသက်ရောက်မှုရှိသည်။ စိန်အပေါ်ယံပိုင်းသည် ဖလက်ရှ်အကျိုးသက်ရောက်မှုသာမက အရောင်မျိုးစုံပါရှိသည်။ တန်ဖိုးကြီးနာရီများထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ဇိမ်ခံပစ္စည်းများအတွက် အလှဆင် coatings နှင့် ဖက်ရှင်ထုတ်ကုန်တစ်ခုအဖြစ် တိုက်ရိုက်အသုံးပြုသည်။ စိန်၏ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် မာကျောမှုသည် Corning glass ထက် 6 ဆ နှင့် 10 ဆ ဖြစ်သောကြောင့် မိုဘိုင်းဖုန်းမျက်နှာပြင်များနှင့် ကင်မရာမှန်ဘီလူးများတွင်လည်း အသုံးပြုသည်။

ပုံ 2 စိန်နှင့် အခြားတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ ဂုဏ်သတ္တိများ

စိန်ပြင်ဆင်မှု

စိန်ကြီးထွားမှုကို အဓိကအားဖြင့် HTHP နည်းလမ်း (အပူချိန်နှင့် ဖိအားမြင့်နည်းလမ်း) နှင့် ပိုင်းခြားထားသည်။CVD နည်းလမ်း (ဓာတုအငွေ့ထုတ်နည်း). CVD နည်းလမ်းသည် ၎င်း၏ အားသာချက်များဖြစ်သည့် ဖိအားခံနိုင်ရည်၊ ကြီးမားသော ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်း၊ ကုန်ကျစရိတ် နည်းပါးပြီး အပူချိန်မြင့်မားသော ခုခံမှုစသည့် အားသာချက်များကြောင့် စိန်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အလွှာများကို ပြင်ဆင်သည့် ပင်မနည်းလမ်းဖြစ်လာသည်။ တိုးတက်မှုနည်းလမ်းနှစ်ခုသည် မတူညီသောအသုံးချပရိုဂရမ်များကိုအာရုံစိုက်ပြီး ၎င်းတို့သည် အနာဂတ်တွင် အချိန်ကြာမြင့်စွာ ပေါင်းစပ်ဆက်ဆံရေးကိုပြသမည်ဖြစ်သည်။

မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ဖိအားမြင့်နည်းလမ်း (HTHP) သည် ကုန်ကြမ်းဖော်မြူလာမှ သတ်မှတ်ထားသော အချိုးအစားတွင် ဂရပ်ဖိုက်အမှုန့်၊ သတ္တုဓာတ်ကူပစ္စည်းမှုန့်နှင့် ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများကို ရောစပ်ပြီး granulating၊ static pressing၊ vacuum reduction၊ inspection၊ weighting၊ နှင့်အခြားလုပ်ငန်းစဉ်များ။ ထို့နောက် ဂရပ်ဖိုက်အမာခံကော်လံကို ပေါင်းစပ်ဘလောက်များ၊ အရန်အစိတ်အပိုင်းများနှင့် အခြားအလုံပိတ်ဖိအားထုတ်လွှင့်မှုမီဒီယာနှင့် ပေါင်းစပ်ပြီး စိန်တစ်လုံးတည်းသောပုံဆောင်ခဲများကို ပေါင်းစပ်အသုံးပြုနိုင်သည့် ဓာတုဘလောက်တစ်ခုအဖြစ် ဖန်တီးထားသည်။ ထို့နောက် အပူပေးပြီး ဖိအားပေးရန်အတွက် ခြောက်မျက်နှာ ထိပ်ဖိတစ်ခုတွင် ထားရှိကာ အချိန်အကြာကြီး တည်မြဲနေမည်ဖြစ်သည်။ ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုပြီးစီးပြီးနောက်၊ အပူသည်ရပ်တန့်သွားပြီး ဖိအားများထွက်လာပြီး စိန်တစ်လုံးတည်းသောပုံဆောင်ခဲများရရှိရန် ပေါင်းစပ်ထားသော ဓာတုကော်လံကိုရရှိရန် အလုံပိတ်ဖိအားပို့လွှတ်မှုကြားခံအား ဖယ်ရှားလိုက်ပါသည်။

ပုံ 3 ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာထိပ်တန်းစာနယ်ဇင်း၏ဖွဲ့စည်းပုံပုံဆိုင်ရာပုံ

သတ္တုဓာတ်ကူပစ္စည်းများကို အသုံးပြုခြင်းကြောင့်၊ စက်မှု HTHP နည်းလမ်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော စိန်မှုန်များသည် အချို့သော အညစ်အကြေးများနှင့် အပြစ်အနာအဆာများ ပါဝင်လေ့ရှိပြီး နိုက်ထရိုဂျင်ကို ပေါင်းထည့်ခြင်းကြောင့် ၎င်းတို့တွင် အဝါရောင်အရောင်ရှိတတ်သည်။ နည်းပညာအဆင့်မြှင့်ပြီးနောက်၊ မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ဖိအားမြင့်မားသောပြင်ဆင်မှုသည် ကြီးမားသောအမှုန်အမွှားအရည်အသွေးမြင့် စိန်တစ်လုံးပုံဆောင်ခဲများထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အပူချိန်မြင့်မြင့်ပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းကို အသုံးပြုနိုင်ပြီး စိန်စက်မှုလုပ်ငန်းအညစ်အကြေးအဆင့်မှ ကျောက်မျက်အဆင့်သို့ ပြောင်းလဲခြင်းကို သိရှိနားလည်နိုင်မည်ဖြစ်သည်။

ပုံ 4 စိန်ရုပ်ပုံသဏ္ဍာန်

Chemical vapor deposition (CVD) သည် စိန်ရုပ်ရှင်များကို ပေါင်းစပ်ခြင်းအတွက် ရေပန်းအစားဆုံးနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ အဓိကနည်းလမ်းများမှာ hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) နှင့်မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ပလာစမာ ဓာတုအငွေ့ထုတ်ခြင်း (MPCVD).

(၁) ပူသောအမျှင်ဓာတ်သည် ဓာတုအခိုးအငွေ့များထွက်ခြင်း။

HFCVD ၏အခြေခံနိယာမသည်ဓာတ်ငွေ့ဓာတ်ငွေ့ကိုစွန့်ခွာထွက်ပြေးလာသောဓာတ်ငွေ့ကိုစွန့်ခွာထွက်ပြေးလာသောအမြှေးပါးထဲ၌မြင့်မားသောတက်ကြွလှုပ်ရှားသောအုပ်စုများကိုထုတ်လုပ်ရန်လေဟာနယ်ခန်းတွင်အပူချိန်မြင့်မားသောသတ္တုဝါယာကြိုးဖြင့်တိုက်မိရန်ဖြစ်သည်။ ထုတ်လုပ်ထားသောကာဗွန်အက်တမ်များသည် nanodiammonds ကိုဖွဲ့စည်းရန်အလွှာပစ္စည်းများပေါ်တွင်အပ်နှံထားသည့်ပစ္စည်းတွင်အပ်နှံသည်။ ပစ္စည်းကိရိယာများသည်လည်ပတ်ရန်ရိုးရှင်းပါသည်, ကြီးထွားမှုကုန်ကျစရိတ်နိမ့်ကျသောကုန်ကျစရိတ်များကိုကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြု. စက်မှုလုပ်ငန်းထုတ်လုပ်မှုကိုရရှိရန်လွယ်ကူသည်။ အနိမ့်သောအပူ decomposy နည်းပါးခြင်းနှင့် firament နှင့် electrope မှလေးနက်သောသတ္တုအက်တမ်ပိုးမွှားများကြောင့် HFCVD သည် Polycrystalline Diamond Figram များပါ 0 င်သည် ။

ပုံ 5 (က) HFCVD စက်ကိရိယာပုံကြမ်း (ခ) လေဟာနယ်အခန်းဖွဲ့စည်းပုံ၊

(2) မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ပစ္စုပ္ပန် Plasma ဓာတုဗေဒအခိုးအငွေ့

MPCVD နည်းလမ်းသည် Magnetron သို့မဟုတ် Solid-State Source Sounds ကိုအသုံးပြုသည်။ ၎င်းသည် Laveguide မှတဆင့် 0 င်ရောက်သောအခန်းထဲသို့ကျရောက်စေပြီး, 

အလွန်အမင်းအာရုံစိုက်သော Electromagnetic Field သည်ဓာတ်ငွေ့ဓာတ်ငွေ့များနှင့်ဟိုက်ဒရိုဂျင်ကိုချိုးဖောက်သည်။ အီလက်ထရွန်သည်ကြွယ်ဝသော, ion ကြွယ်ဝသော, HFCVD နှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင်၎င်းသည်ပူပြင်းသည့်သတ္တုဝါယာကြိုးကိုပူဆွေးသောသတ္တုဝါယာကြိုးများကြောင့်ဖြစ်သောစိန်ရုပ်ရှင်၏ညစ်ညမ်းမှုကိုရှောင်ရှားနိုင်ပြီး Nanodiamond Film ရုပ်ရှင်၏သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုကိုတိုးပွားစေသည်။ HFCVD ထက်လုပ်ငန်းစဉ်များတွင်တုန့်ပြန်ဓာတ်ငွေ့များပိုမိုများပြားလာနိုင်ပြီး, ထို့ကြောင့် optical-storgond Diamond Polycrystalline Windows, Electronic-Grade-Grade-Grade-Grade-Grade Strivonon Crystals စသည်တို့ကိုပြင်ဆင်နိုင်ပါသည်။

ပုံ 6 MPCVD ၏အတွင်းပိုင်းဖွဲ့စည်းပုံ

စိန်ဖြိုးနှင့် အကျပ်ရိုက်သည်။

ပထမဦးဆုံး စိန်အတုကို ၁၉၆၃ ခုနှစ်တွင် အောင်မြင်စွာ တီထွင်နိုင်ခဲ့ပြီး နှစ်ပေါင်း ၆၀ ကျော် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာပြီးနောက်၊ ကျွန်ုပ်၏နိုင်ငံသည် ကမ္ဘာပေါ်တွင် စိန်အတုထွက်ရှိမှု အများဆုံးနိုင်ငံ ဖြစ်လာခဲ့ပြီး ကမ္ဘာ၏ ၉၀ ရာခိုင်နှုန်းကျော်အထိ ရှိသည်။ သို့သော်လည်း တရုတ်နိုင်ငံ၏ စိန်များသည် အနိမ့်ဆုံးနှင့် အလတ်စား အပလီကေးရှင်း စျေးကွက်များတွင် အဓိကအားဖြင့် အနုနည်းကြိတ်ခွဲခြင်း၊ optics၊ မိလ္လာကုသမှုနှင့် အခြားနယ်ပယ်များကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များတွင် အာရုံစိုက်နေကြသည်။ ပြည်တွင်းစိန်များ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် ကြီးမားသော်လည်း ခိုင်ခံ့မှုမရှိသည့်အပြင် တန်ဖိုးကြီးပစ္စည်းများနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့်ပစ္စည်းများကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များစွာတွင် အားနည်းချက်ရှိသည်။ 

CVD စိန်များ၏ နယ်ပယ်တွင် ပညာရပ်ဆိုင်ရာ အောင်မြင်မှုများအရ၊ အမေရိကန်၊ ဂျပန်နှင့် ဥရောပရှိ သုတေသနများသည် ထိပ်တန်းနေရာ၌ ရှိနေပြီး ကျွန်ုပ်နိုင်ငံတွင် မူရင်းသုတေသန အနည်းငယ်သာရှိသည်။ “၁၃ ကြိမ်မြောက် ငါးနှစ်စီမံကိန်း” ၏ အဓိက သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေး၏ ပံ့ပိုးကူညီမှုဖြင့် ပြည်တွင်းတွင် ပိုင်းခြားထားသော epitaxial အရွယ်အစား ကြီးမားသော စိန်တုံးကျောက်ခဲများသည် ကမ္ဘာ့ပထမတန်းစား အနေအထားသို့ ခုန်တက်သွားခဲ့သည်။ ကွဲပြားသော epitaxial တစ်ခုတည်းသော crystals ၏သတ်မှတ်ချက်အရ "14th ငါးနှစ်စီမံကိန်း" တွင်ကျော်လွန်သွားနိုင်သည့်အရွယ်အစားနှင့်အရည်အသွေးကွာဟချက်ကြီးမားသည်။

ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းမှ သုတေသီများသည် optoelectronic စက်ပစ္စည်းများတွင် စိန်များကို အသုံးချပြီး ဘက်စုံသုံးပစ္စည်းအဖြစ် စိန်များအတွက် လူတို့၏မျှော်လင့်ချက်များကို ပြည့်မီစေရန်အတွက် စိန်များ၏ ကြီးထွားမှု၊ တားမြစ်ဆေးနှင့် ကိရိယာတပ်ဆင်ခြင်းဆိုင်ရာ နက်ရှိုင်းသောသုတေသနကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ သို့သော်လည်း စိန်၏ တီးဝိုင်းကွာဟမှုသည် 5.4 eV အထိ မြင့်မားသည်။ ၎င်း၏ p-type conductivity ကို boron doping ဖြင့် ရရှိနိုင်သော်လည်း n-type conductivity ကိုရရှိရန် အလွန်ခက်ခဲသည်။ နိုင်ငံအသီးသီးမှ သုတေသီများသည် နိုက်ထရိုဂျင်၊ ဖော့စဖရပ်နှင့် ဆာလဖာကဲ့သို့သော အညစ်အကြေးများကို ရာဇမတ်ကွက်အတွင်းရှိ ကာဗွန်အက်တမ်များကို အစားထိုးသည့်ပုံစံဖြင့် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ သို့မဟုတ် ပိုလီခရစ်စတယ်လိုင်း စိန်အဖြစ်သို့ စွန့်ပစ်ခဲ့ကြသည်။ သို့သော်၊ အလှူရှင်၏ စွမ်းအင်အဆင့် သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးများ အိုင်ယွန်ပြုရန် ခက်ခဲခြင်းကြောင့်၊ ကောင်းသော n-type conductivity ကို မရရှိသေးဘဲ၊ စိန်အခြေခံ အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများ၏ သုတေသနနှင့် အသုံးချမှုကို များစွာ ကန့်သတ်ထားသည်။ 

တစ်ချိန်တည်းမှာပင်ကြီးမားသော area ရိယာတစ်ခုတည်း Crystal Diamond သည် Crystal Silicon Wafers ကဲ့သို့သောကြီးမားသော crystal silicon wafers ကဲ့သို့သောကြီးမားသောပမာဏများစွာဖြင့်ပြင်ဆင်ရန်ခက်ခဲသည်။ အထက်ပါပြ problems နာနှစ်ခုအရလက်ရှိ Semiconductor Doping နှင့် Device Development သီအိုရီသည်စိန် n-type doping နှင့် device action ၏ပြ problems နာများကိုဖြေရှင်းရန်ခက်ခဲကြောင်းပြသသည်။ အခြား doping နည်းလမ်းများနှင့် dopants များကိုရှာဖွေရန်သို့မဟုတ် doping နှင့် device development development ္ဘဖြိးတိုးတက်မှုကိုလေ့လာရန်ပင်လိုအပ်သည်။

အလွန်အကျွံ စျေးများလွန်းသော စိန်များ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကိုလည်း ကန့်သတ်ထားသည်။ ဆီလီကွန်၏စျေးနှုန်းနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏စျေးနှုန်းသည်ဆီလီကွန်၏အဆ 30-40 ဖြစ်သည်၊ ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ်၏စျေးနှုန်းသည်ဆီလီကွန်၏အဆ 650-1300 ရှိပြီး၊ ဓာတုစိန်ပစ္စည်းများ၏စျေးနှုန်းသည်ဆီလီကွန်၏အဆ 10,000 ဖြစ်သည်။ မြင့်မားလွန်းသောစျေးနှုန်းသည် စိန်များ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် အသုံးချမှုကို ကန့်သတ်ထားသည်။ ကုန်ကျစရိတ်များကို မည်ကဲ့သို့ လျှော့ချနည်း သည် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေး အကျပ်အတည်းကို ချိုးဖျက်ရန် အောင်မြင်မှု လမ်းကြောင်းတစ်ခု ဖြစ်သည်။

အလားအလာ

စိန်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည် လက်ရှိတွင် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အခက်အခဲများနှင့် ရင်ဆိုင်နေရသော်လည်း ၎င်းတို့သည် စွမ်းအားမြင့်၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်၊ အပူချိန်မြင့်ပြီး ပါဝါနည်းပါးသော အီလက်ထရွန်နစ်စက်ပစ္စည်းများ၏ မျိုးဆက်သစ်များကို ပြင်ဆင်ရန်အတွက် အလားအလာအရှိဆုံး ပစ္စည်းအဖြစ် သတ်မှတ်ခံထားရဆဲဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင် အပူဆုံးတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကို ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် သိမ်းပိုက်ထားသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင် စိန်ဖွဲ့စည်းပုံရှိသော်လည်း ၎င်း၏ အက်တမ်တစ်ဝက်သည် ကာဗွန်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် ၎င်းကို စိန်တစ်ဝက်ဟု မှတ်ယူနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ဆီလီကွန်ပုံဆောင်ခဲခေတ်မှ စိန်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာခေတ်အထိ အသွင်ကူးပြောင်းသည့်ထုတ်ကုန်ဖြစ်သင့်သည်။

"Diamonds are forever, and one diamonds forever" ဆိုတဲ့ စကားလုံးက De Beers ရဲ့ နာမည်ကို ယနေ့တိုင် နာမည်ကြီးစေခဲ့ပါတယ်။ စိန်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအတွက်၊ အခြားဂုဏ်ကျက်သရေတစ်မျိုးကို ဖန်တီးရန် အမြဲတမ်းနှင့် စဉ်ဆက်မပြတ် ရှာဖွေမှုများ လိုအပ်နိုင်သည်။

Vetek Semiconductor သည်တရုတ်ထုတ်လုပ်သူဖြစ်သည်Tantalum carbide အပေါ်ယံ, Silicon carbide အပေါ်ယံပိုင်းGaN ထုတ်ကုန်များ၊အထူးဂိဒ်, ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာဗွန်ကြွေထည်နှင့်အခြား semiconductor ceramics။ Vetek Semiconductor သည် Semiconductor Industry အတွက်အမျိုးမျိုးသောအဖုံးအမျိုးမျိုးအတွက်အဆင့်မြင့်ဖြေရှင်းချက်များပေးရန်ကတိကဝတ်ပြုထားသည်။

သင့်တွင်မေးမြန်းစုံစမ်းလိုပါကသို့မဟုတ်နောက်ထပ်အသေးစိတ်အချက်အလက်များလိုအပ်ပါကကျွန်ုပ်တို့နှင့်ဆက်သွယ်ရန်မတွန့်ဆုတ်ပါနှင့်။

Mob/WhatsAPP- +86-180 6922 0752

အီးမေးလ် - Anny@veteksemi.com