CVD TAC သည် Petal Guide Guide Ring ကို coated

Silicon Carbide တစ်ခုတည်းသော Crystal Substrate ပစ္စည်းသည် bandgap semiconductor ပစ္စည်းနှင့်သက်ဆိုင်သောကြည်လင်သောရုပ်ပုံများဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင်မြင့်မားသောဗို့အားခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း, အပူချိန်မြင့်မားခြင်း, လက်ရှိအချိန်တွင်ကြီးထွားလာသော SIC Crystals အတွက်အဓိကနည်းလမ်းများမှာရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး (PVT Method), အပူချိန်မြင့်မားသောဓာတုအငွေ့အခိုးအငွေ့ (HTCVD နည်းလမ်း), အရည်အဆင့်နည်းလမ်းစသည်ဖြင့်ဖြစ်သည်။

ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအခိုးအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး (PVT) နည်းလမ်းသည်ကြီးမားသောစက်မှုလုပ်ငန်းထုတ်လုပ်မှုအတွက်အလွန်အမင်းသင့်လျော်သောနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်တွင် Sic Geet Crystal သည် CURATE PACTERATES တွင် 0 န်ဆောင်မှုပေးနေစဉ် CIC အမှုန်ကို CURPDER ၏ထိပ်တွင်နေရာချထားသည်။ မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့်ပိတ်ထားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ဖိအားနိမ့်ခြင်းအခြေအနေများအောက်တွင် Sic လေအုတ်တွင်ပံ့ပိုးမှုန့်ကိုပေးခဲ့သည်။ အပူချိန် gradient နှင့်အာရုံစူးစိုက်မှုကွာခြားချက်များကမောင်းနှင်မှုသည်မျိုးစေ့ကျောက်သုံးအနီးရှိဒေသတွင်းရှိမျိုးစိတ်များသည်အထက်သို့တက်ကြသည်။ တစ်ချိန်က SuperSaturated ပြည်နယ်သို့ရောက်ရှိသည့်အခြေအနေကိုရောက်ရှိပြီးနောက်ပြန်လည်ကောင်းမွန်လာသည်။

CVD TAC သည် Petal Guide Ring Petal Guide Ring သည်အရေးပါသောလုပ်ဆောင်မှုများကို 0 န်ဆောင်မှုပေးသည်။ အဓိကအားဖြင့်၎င်းသည်ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုကိုလမ်းညွှန်ခြင်းဖြင့်အရည်စက်ပြင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ ထို့အပြင်၎င်းသည် SIC Crystal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တွင်အပူကိုထိရောက်စွာပျောက်ကွယ်သွားသည်။ သင့်လျော်သောအပူချိန် gradient ကိုထိန်းသိမ်းခြင်းဖြင့် SIC Crystals အတွက်ကြီးထွားမှုအခြေအနေများနှင့်မညီမညာဖြစ်နေသောအပူချိန်ဖြန့်ဝေခြင်းကြောင့်ဖြစ်ရတဲ့ Crystal ချို့ယွင်းချက်များ၏အန္တရာယ်ကိုလျော့နည်းစေသည်။