စက်မှုသတင်း

wide-bandgap (WBG) တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလောကတွင်၊ အဆင့်မြင့်ကုန်ထုတ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် "ဝိညာဉ်" ဖြစ်ပါက ဂရပ်ဖိုက်အကူသည် "ကျောရိုး" ဖြစ်ပြီး ၎င်း၏မျက်နှာပြင်အပေါ်ယံအလွှာသည် အရေးကြီးသော "အရေပြား" ဖြစ်သည်။

ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၏ အစုရှယ်ယာမြင့်မားသောကမ္ဘာတွင်၊ Silicon Carbide (SiC) နှင့် Gallium Nitride (GaN) တို့သည် လျှပ်စစ်ယာဉ်များ (EVs) မှ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်အခြေခံအဆောက်အအုံအထိ တော်လှန်ရေးကို ဦးဆောင်လျက်ရှိသည်။ သို့သော်၊ ဤပစ္စည်းများ၏ ဒဏ္ဍာရီမာကျောမှုနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အားနည်းမှုသည် ကြီးမားသော ထုတ်လုပ်မှုဆိုင်ရာ ပိတ်ဆို့မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်၊ ဓာတုဗေဒနည်းအရ အစီအစဉ်ဆွဲခြင်း (CMP) လုပ်ငန်းစဉ်သည် နောက်ဆက်တွဲ lithography အဆင့်များ၏ အောင်မြင်မှု သို့မဟုတ် ကျရှုံးမှုကို တိုက်ရိုက်အဆုံးအဖြတ်ပေးသည့် wafer မျက်နှာပြင် အစီအစဉ်ရေးဆွဲခြင်း အောင်မြင်မှုအတွက် အဓိကအဆင့်ဖြစ်သည်။ CMP တွင် အရေးပါသော စားသုံးနိုင်သော ပစ္စည်းအဖြစ်၊ Polishing Slurry ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် ဖယ်ရှားမှုနှုန်း (RR) ကို ထိန်းချုပ်ရန်၊ ချို့ယွင်းချက်များကို လျှော့ချရန်နှင့် အလုံးစုံ အထွက်နှုန်းကို မြှင့်တင်ရာတွင် အဆုံးစွန်သော အချက်ဖြစ်သည်။