စက်မှုသတင်း

Silicon Carbide (SIC) Crystal ကြီးထွားလာသောမီးဖိုများသည်မျိုးဆက်သစ် semiconductor device များအတွက်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားစွာထုတ်လုပ်ရာတွင်အရေးပါသောအခန်းကဏ် play မှပါ 0 င်သည်။ သို့သော်မြင့်မားသောအရည်အသွေးမြင့် SIC Crystals ကြီးထွားလာခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည်သိသာထင်ရှားသည့်စိန်ခေါ်မှုများကိုတင်ပြသည်။ Crystal ချို့ယွင်းချက်များကိုလျှော့ချရန်နှင့်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကိုထိန်းချုပ်ရန်နှင့်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကိုထိန်းချုပ်ရန်နှင့်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကိုထိန်းချုပ်ရန်နှင့်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကိုထိန်းချုပ်ရန်အလွန်အမင်းအပူရှိန်များကိုစီမံရန်အစွန်းရောက်သော gradient များကိုစီမံခြင်းမှအဆင့်တစ်ခုစီသည်အဆင့်မြင့်အင်ဂျင်နီယာဖြေရှင်းနည်းများလိုအပ်သည်။ ဤဆောင်းပါးသည်ရှုမြင်ခြင်းမျိုးစုံမှ SIC Crystal ကြီးထွားလာသောပရိဘောဂများ၏နည်းပညာဆိုင်ရာစိန်ခေါ်မှုများကိုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာလိမ့်မည်။

Smart Cut သည် ion implantation နှင့် Wafer Stripping နှင့် Wafer Stripping အပေါ် အခြေခံ. အဆင့်မြင့်သော Semiconductor ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် Ultra - ပါးလွှာသောကြည်လင်ပစ္စည်းများကိုအလွှာတစ်ခုမှအခြားတစ်ခုသို့ပြောင်းရွှေ့နိုင်သည်။

အရည်အသွေးမြင့်နှင့်မြင့်သောအထွက်နှုန်းမြင့်သော silicon carbide အလွှာများကိုပြင်ဆင်ရာတွင် Core သည်အပူထုတ်လုပ်မှုအပူချိန်ကိုကောင်းမွန်စွာထိန်းချုပ်ရန်လိုအပ်သည်။ လတ်တလောတွင်အသုံးပြုသောအပူနယ်ပယ် Crucible ပစ္စည်းများသည်အဓိကအားဖြင့်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။

တတိယမျိုးဆက် semicement ဒုံးကျည်များကိုသင်တွေ့သောအခါပထမနှင့်ဒုတိယမျိုးဆက်များသည်အဘယ်သို့သောအရာကိုသင်သိချင်မည်မှာသေချာသည်။ ဤနေရာတွင် "Generation" ဒီနေရာမှာ Semiconductor ကုန်ထုတ်လုပ်မှုမှာအသုံးပြုတဲ့ပစ္စည်းတွေအပေါ်မှာအခြေခံပြီးခွဲခြားထားပါတယ်။

Electrostatic Chuck (Esc) ကို Elcrosostatic Chuck (Esc) ဟုလည်းခေါ်သည်။ ၎င်းသည်လေဟာနယ်နှင့်ပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်အတွက်သင့်တော်သည်။

TIC WAFRER CARFERS သည်တတိယမျိုးဆက် SemiconDucter စက်မှုလုပ်ငန်းကွင်းဆက်တွင်အဓိကစားသုံးမှုများအနေဖြင့်သူတို့၏နည်းပညာပိုင်းဆိုင်ရာလက္ခဏာများသည် Estitaxial တိုးတက်မှုနှင့်စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်း၏အထွက်နှုန်းကိုတိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်သည်။ 5G အခြေစိုက်စခန်းများနှင့်စွမ်းအင်ယာဉ်အသစ်များကဲ့သို့သောစက်မှုလုပ်ငန်းများတွင်ဗို့အားမြင့်မားခြင်းနှင့်အပူချိန်မြင့်မားသောကိရိယာများအတွက် 0 ယ်လိုအားနှင့်အတူ SIC Wafer သယ်ဆောင်သူများ၏သုတေသနနှင့်လျှောက်လွှာတို့သည်ယခုသိသာထင်ရှားသောဖွံ့ဖြိုးရေးအခွင့်အလမ်းများနှင့်ပြသနေသည်။