စက်မှုသတင်း

ကမ္ဘာပေါ်ရှိအစွမ်းထက်ဆုံးသောထုတ်လုပ်သူလေး ဦး - SGL, Toyo Tanso, Tokai ကာဗွန်, Mersen နှင့် 4 င်းတို့၏သက်ဆိုင်ရာပုံမှန်ဂရပ်ဖစ်နှင့်လျှောက်လွှာဒေသများ။

ဒီဆောင်းပါးက cul co ည့်သည်ရွေးချယ်ခြင်းအတွက်သတ်သတ်မှတ်မှတ်အကြောင်းပြချက်များနှင့်ကာဗွန်အပေါ်ဖုံးအုပ်ခြင်းနည်းလမ်းနှင့်နိယာမ၏နည်းလမ်းနှင့်နိယာမ၏နည်းလမ်းနှင့်မူပုဒ်၏နိယာမကိုဖော်ပြထားသည်။ ၎င်းသည် D8 Advance X-Ray dateveromethome (XRD) ကိုအသုံးပြုခြင်းကိုအထူးဆန်းစစ်ခြင်းကိုအထူးလေ့လာသည်။

ကြီးထွားလာသော Sic Sic Crystals အတွက်အဓိကနည်းလမ်းများမှာ - ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး (PVT), မြင့်မားသောဓာတုအခိုးအငွေ့ (HTCVD) နှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်ဖြေရှင်းချက် (HTCVD) နှင့်အပူချိန်ဖြေရှင်းချက်တိုးတက်မှုနှုန်း (HTCVD) နှင့်အပူချိန်ဖြေရှင်းချက်တိုးတက်မှုနှုန်း (HTCVD) နှင့်မြင့်မားသောအပူချိန် Solidition (HTCVD) နှင့်အပူချိန်ဖြေရှင်းချက်တိုးတက်မှုနှုန်းမြင့်

နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး photovoltaic စက်မှုလုပ်ငန်းဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူပျံ့နှံ့နေသော focks များနှင့် LPCVD famesces များသည်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်များ၏ထိရောက်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုက်ရိုက်သက်ရောက်စေသောနေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်မှုအတွက်အဓိကကိရိယာများဖြစ်သည်။ ပြည့်စုံသောထုတ်ကုန်စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်အသုံးပြုမှုကုန်ကျစရိတ်အပေါ် အခြေခံ. Silicon Carbide Weitics သည်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်များထက်ပိုမိုအားသာချက်များရှိသည်။ Photovoltaic လုပ်ငန်းတွင်ဆီလီကွန်ကာဗွန်ကြွေထည်များအသုံးပြုခြင်းသည် Photovoltaic လုပ်ငန်းတွင် Potovoltaic Enterpres သည်အရန်နိုင်ငံ၏ပစ္စည်းရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချရန်, Photovoltaic နယ်ပယ်ရှိဆီလီကွန်ကာဗွန်ကြွေထည်ပစ္စည်းများ၏အနာဂတ်လမ်းကြောင်းသည်အဓိကအားဖြင့်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်း, ပိုမိုကောင်းမွန်သောဝန်ဆောင်မှုများ,

ပစ္စည်းအရင်းအမြစ်နှင့်သန့်ရှင်းရေးထိန်းချုပ်မှု, လုပ်ငန်းစဉ် parameter upymimization, ပစ္စည်းကိရိယာပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှု, ပစ္စည်းကိရိယာပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှု, ပစ္စည်းကိရိယာပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှု, သက်ဆိုင်ရာစက်မှုလုပ်ငန်းဖြေရှင်းချက်အဖြစ်ကောင်းစွာ။

SiC တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု၏အသုံးချမှုရှုထောင့်မှ၊ ဤဆောင်းပါးသည် TaC coating နှင့် SIC coating ၏အခြေခံရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဘောင်များကို နှိုင်းယှဉ်ပြီး SiC အပေါ်ယံပိုင်း၏အခြေခံအားသာချက်များကို အပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ ပြင်းထန်သောဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှု၊ အညစ်အကြေးများကို လျှော့ချပေးသည့်အခြေခံအားသာချက်များကို ရှင်းပြထားသည်။ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသည်။

FAF စက်ရုံရှိတိုင်းတာခြင်းဆိုင်ရာပစ္စည်းကိရိယာများစွာရှိသည်။ ဘုံပစ္စည်းကိရိယာများတွင် lithography လုပ်ငန်းစဉ်တိုင်းတာခြင်းဆိုင်ရာပစ္စည်းကိရိယာများ, Pet Thin Field Thin Mosition Process Production လုပ်ငန်းစဉ်တိုင်းတာခြင်းဆိုင်ရာပစ္စည်းကိရိယာများ, စင်တီမီတာတိုင်းတာခြင်းဆိုင်ရာပစ္စည်းကိရိယာများ,

Tantalum carbide (TaC) coating သည် မြင့်မားသော အပူချိန်ခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် အပူစီမံခန့်ခွဲမှုစွမ်းရည်များကို မြှင့်တင်ပေးခြင်းဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို သိသိသာသာ သက်တမ်းတိုးနိုင်သည်။ ၎င်း၏မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှုဝိသေသလက္ခဏာများသည်ညစ်ညမ်းမှုညစ်ညမ်းမှုကိုလျှော့ချ၊ crystal ကြီးထွားမှုအရည်အသွေးကိုမြှင့်တင်ရန်နှင့်စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကိုတိုးမြှင့်စေသည်။ ၎င်းသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော၊ အလွန်အဆိပ်ပြင်းသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။

Tantalum Carbide (TAC) ကိုကန့်သတ်ထားသော Semiconductor field များတွင်အဓိကအားဖြင့် Estitaxial Commonomal Commonents, Crystal Componoms ၏အစိတ်အပိုင်းများ, အပူချိန်မြင့်မားသောစက်မှုလုပ်ငန်းအစိတ်အပိုင်းများ,

SIC ofagaxial တိုးတက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း SIC COC COC COUCTEDING ဆိုင်းငံ့မှုပျက်ကွက်မှုဖြစ်နိုင်သည်။ ဤစာတမ်းသည်အဓိကအားဖြင့်အချက်နှစ်ချက်များပါ 0 င်သော SIC coable coagner လုပ်ရပ်၏ပျက်ကွက်မှုဖြစ်စဉ်ကိုတိကျခိုင်မာစွာခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းကိုပြုလုပ်ခဲ့သည်။

ဤဆောင်းပါးတွင် အဓိကအားဖြင့် Molecular Beam Epitaxy ဖြစ်စဉ်နှင့် သတ္တု-အော်ဂဲနစ် ဓာတုငွေ့ထုတ်လွှတ်မှုနည်းပညာများ၏ သက်ဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ် အားသာချက်များနှင့် ကွဲပြားမှုများကို ဆွေးနွေးထားသည်။

VeTek Semiconductor ၏ Porous Tantalum Carbide သည် SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုဆိုင်ရာပစ္စည်း မျိုးဆက်သစ်တစ်ခုအနေဖြင့် အလွန်ကောင်းမွန်သောထုတ်ကုန်ဂုဏ်သတ္တိများရှိပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ဆောင်ခြင်းနည်းပညာအမျိုးမျိုးတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်ပါသည်။

epitaxial furnace ၏လုပ်ဆောင်မှုနိယာမမှာ မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ဖိအားများအောက်တွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများကို အလွှာတစ်ခုပေါ်တွင် အပ်နှံရန်ဖြစ်သည်။ Silicon epitaxial ကြီးထွားမှုသည် အချို့သော crystal orientation ဖြင့် ဆီလီကွန်တစ်ခုတည်းသော crystal substrate ပေါ်တွင် တူညီသော crystal orientation ရှိသော crystal အလွှာကို ကြီးထွားစေရန်ဖြစ်သည်။ ဤဆောင်းပါးတွင် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန် epitaxial ကြီးထွားမှုနည်းလမ်းများ- အငွေ့အဆင့် epitaxy နှင့် liquid phase epitaxy တို့ကို မိတ်ဆက်ပေးသည်။

Sio2, Sinc အပါအ 0 င်ခန်းမများတွင်ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်ပစ္စည်းများတွင်ဓာတုအငွေ့စုဆောင်းမှု (CVD) တွင် Sio2, Sinc အပါအ 0 င်ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်ပစ္စည်းများထည့်သွင်းရန်အသုံးပြုသည်။ အပူချိန်, ဖိအားနှင့်တုံ့ပြန်မှုဓာတ်ငွေ့အမျိုးအစားကိုညှိခြင်းအားဖြင့် CVD သည်မတူညီသောဖြစ်ရပ်များလိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီရန်စင်ကြယ်ခြင်း, တူညီမှုနှင့်ကောင်းမွန်သောရုပ်ရှင်သတင်းများကိုရရှိစေသည်။

ဤဆောင်းပါးသည် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်ပစ္စည်းများ၏ ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုအလားအလာများကို ဖော်ပြသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်များတွင် လောင်ကျွမ်းစေသော အက်ကွဲကြောင်းများကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းနှင့် သက်ဆိုင်သော ဖြေရှင်းချက်များကိုလည်း အာရုံစိုက်ပါသည်။