စက်မှုသတင်း

Silicon Carbide (SiC) တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ကမ္ဘာတွင်၊ အလင်းအများစုသည် 8 လက်မအရွယ် epitaxial ဓာတ်ပေါင်းဖိုများ သို့မဟုတ် wafer polishing ၏ရှုပ်ထွေးရှုပ်ထွေးမှုများအပေါ်တွင် မီးမောင်းထိုးပြသည်။ သို့သော်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်ကို အစဦးပိုင်းတွင် ခြေရာခံမိပါက—ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အငွေ့ပျံပို့ဆောင်ရေး (PVT) မီးဖိုအတွင်း—အခြေခံ “ပစ္စည်းတော်လှန်ရေး” သည် တိတ်တဆိတ် ဖြစ်ပွားနေပါသည်။

လျင်မြန်သော MEMS (Micro-Electromechanical Systems) ဆင့်ကဲပြောင်းလဲမှုခေတ်တွင်၊ မှန်ကန်သော piezoelectric ပစ္စည်းကို ရွေးချယ်ခြင်းသည် စက်စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ဆုံးဖြတ်ချက်ချခြင်း သို့မဟုတ် ဖြတ်တောက်ခြင်းပင်ဖြစ်သည်။ PZT (Lead Zirconate Titanate) ပါးလွှာသောဖလင် wafer များသည် AlN (Aluminum Nitride) ကဲ့သို့သော အခြားရွေးချယ်စရာများထက် ထိပ်တန်းရွေးချယ်မှုအဖြစ် ပေါ်ထွက်ခဲ့ပြီး၊ အစွန်းဆုံးအာရုံခံကိရိယာများနှင့် လှုံ့ဆော်ကိရိယာများအတွက် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အီလက်ထရွန်းနစ်ချိတ်ဆက်မှုချိတ်ဆက်မှုကို ပေးစွမ်းသည်။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှုသည် အဆင့်မြင့်လုပ်ငန်းစဉ် nodeများ၊ ပိုမိုမြင့်မားသောပေါင်းစပ်မှုနှင့် ရှုပ်ထွေးသောဗိသုကာလက်ရာများဆီသို့ ဆက်လက်တိုးတက်နေသဖြင့်၊ wafer အထွက်နှုန်းအတွက် အဆုံးအဖြတ်အချက်များသည် သိမ်မွေ့သောအပြောင်းအလဲကို လုပ်ဆောင်နေပါသည်။ စိတ်ကြိုက် semiconductor wafer ထုတ်လုပ်မှုအတွက်၊ အထွက်နှုန်းအတွက် အောင်မြင်မှုအမှတ်သည် lithography သို့မဟုတ် etching ကဲ့သို့သော core process များတွင်သာ တည်ရှိတော့မည်မဟုတ်ပါ။ High-purity susceptors များသည် လုပ်ငန်းစဉ်တည်ငြိမ်မှုနှင့် လိုက်လျောညီထွေမှုတို့ကို ထိခိုက်စေသည့် အရင်းခံပြောင်းလဲမှုတစ်ခု ဖြစ်လာသည်။