သုံးမျိုး sich single crystal တိုးတက်မှုနှုန်းနည်းပညာ

ကြီးထွားလာသော Sic SicsStals များအတွက်အဓိကနည်းလမ်းများမှာ -ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး (Pvt), မြင့်မားသောအပူချိန်ဓာတုအခိုးအငွေ့ (HTCVD)နှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်ဖြေရှင်းချက်တိုးတက်မှုနှုန်း (HTSG)။ ပုံ 1 မှာပြထားတဲ့အတိုင်း။ သူတို့ထဲတွင် Pvt Method သည်ယခုအဆင့်တွင်ရင့်ကျက်သောနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ လက်ရှိအချိန်တွင် 6 လက်မတစ်ခုတည်းသောကြည်လင်အလွှာများကိုစက်မှုလုပ်ငန်းများပြုလုပ်ခဲ့ပြီး 8 လက်မအရွယ် Crystal ကို 2016 ခုနှစ်တွင်အမေရိကန်ပြည်ထောင်စုရှိ Cree မှအောင်မြင်စွာကြီးထွားလာသည်။ သို့သော်ဤနည်းလမ်းသည်အနိမ့်ဆုံးချို့ယွင်းချက်များ,

SI Source နှင့် C အရင်းအမြစ်သဘာဝဓာတ်ငွေ့သည် 2100 ခန့်ရှိသောအပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားသောသဘာ 0 ပတ် 0 န်းကျင်တွင်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာသဓာတုဗေဒကိုထုတ်လုပ်သည့်နိယာမကိုအသုံးပြုသည်။ PVT နည်းလမ်းကဲ့သို့ပင်ဤနည်းလမ်းသည်မြင့်မားသောကြီးထွားမှုအပူချိန်လိုအပ်ပြီးတိုးတက်မှုနှုန်းမြင့်မားသည်။ HTSG နည်းလမ်းသည်အထက်ပါနည်းလမ်းနှစ်ခုနှင့်ကွဲပြားသည်။ ၎င်း၏အခြေခံနိယာမသည် SI Sice Crystals ကြီးထွားလာရန်အတွက် SI နှင့် C ဒြပ်စင်များကိုပိုမိုမြင့်မားသောအပူချိန်ဖြေရှင်းချက်ဖြင့်အသုံးပြုခြင်းသည်အပူချိန်မြင့်မားသောဖြေရှင်းချက်ဖြင့်အသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ လက်ရှိကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုသောနည်းပညာပုံစံသည် TSSG နည်းလမ်းဖြစ်သည်။

ဤနည်းလမ်းသည်အပူစွမ်းအင်သုံးပုံမှ equilibrium ပြည်နယ် (2000 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်) အောက်ပိုင်းအပူချိန်ရှိ SIC ၏တိုးတက်မှုနှုန်းကိုရရှိနိုင်ပါသည်။ PVT နည်းလမ်းအပြီးပိုကြီးတဲ့အရည်အသွေးမြင့်ပြီးအရည်အသွေးမြင့်ခြင်းနှင့်ကုန်ကျစရိတ်ကိုပြင်ဆင်ရန်နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်လာလိမ့်မည်။

ပုံ 1 ။ Sic တစ်ခုတည်း Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Technologies ၏နိယာမသဘောတရားများကိုလေ့လာခြင်းပုံစံ

01 ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသမိုင်းနှင့်လက်ရှိ TSSG-GRAWING SIC sice setsters ၏လက်ရှိအခြေအနေ

Growning Sic အတွက် HTSG နည်းလမ်းသည်နှစ်ပေါင်း 60 ကျော်သမိုင်းရှိသည်။

1961 ခုနှစ်တွင် Halden et al ။ ပထမ ဦး ဆုံး Cic sic crystals ကို C သည်ပျော်ဝင်နေသောမြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားသော si အရည်ပျော်မှုမှစိမ်တစ်ခုတည်း crystals ကို si + x ဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသောမြင့်မားသောအပူချိန်ဖြေရှင်းချက်မှစိမ်တစ်ခုတည်း crystals ကြီးထွားမှုကိုစူးစမ်းလေ့လာခဲ့သည် (x, CR, SC, တီဘီ, PR, စသည်တို့) ။

1999 ခုနှစ်တွင် Hofmann et al ။ ဂျာမနီရှိ Erlangen တက္ကသိုလ်မှတက္ကသိုလ်မှ Si SISE STURES နှင့်အမြင့်ဆုံးသောအပူချိန်နှင့်ဖိအားမြင့်မားခြင်းနှင့်ဖိအားမြင့်မားသော TSSG Method ကိုပထမဆုံးအကြိမ်အဖြစ်အသုံးပြုခဲ့သည်။

2000 ပြည့်နှစ်တွင်၎င်းတို့သည်လုပ်ငန်းစဉ်ကိုပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ပြီးအချင်း 20-30 မီလီမီတာရှိသော SI SI Crystals နှင့် 20 မီလီမီတာကို 1900-2400 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် STOTES ST. MM ကိုအသုံးပြုသည်။

ထိုအချိန်မှစ. ဂျပန်, တောင်ကိုရီးယား, ပြင်သစ်, ပြင်သစ်, တရုတ်နှင့်အခြားနိုင်ငံများရှိသုတေသီများသည် Tssg Method ကိုလျင်မြန်စွာဖွံ့ဖြိုးစေသည့် Tssg Method သည်လျင်မြန်စွာဖွံ့ဖြိုးလာခဲ့သည်။ ၎င်းတို့အနက်ဂျပန်ကို Sumitomo Metal နှင့် Toyota မှကိုယ်စားပြုသည်။ ဇယား 1 နှင့်ပုံ 2 Sic Sice Crystals ၏တိုးတက်မှုနှင့်ဇယား 2 နှင့်ပုံ 3 ပုံ 3 ပုံ 3 ပုံ 3 ပုံ 3 ပုံ 3 ပုံ 3 ပုံရိပ်ကိုပြသသည်။

ဤသုတေသနအဖွဲ့သည် 2016 ခုနှစ်တွင် Tssg Method မှ SIC Crystals ကြီးထွားလာခြင်းနှင့် ပတ်သက်. သုတေသနပြုခဲ့သည်။ မကြာသေးမီကအဖွဲ့သည် 4 လက်မအရွယ် SIC Crystal ကိုအောင်မြင်စွာစိုက်ပျိုးနိုင်ခဲ့ပြီးပုံ 4 တွင်ပြထားသည်။

ပုံ 2 ။Sic Crystal ၏ Optical Photic Photic Photic PhoticOMO Metale Commic

ပုံ 3 ။Tssg နည်းလမ်းကို အသုံးပြု. ကြီးထွားလာသော Toyota ၏အသင်း၏ကိုယ်စားလှယ်များ၏ကိုယ်စားလှယ်များ၏အောင်မြင်မှုများ

ပုံ 4 ။ ရူပဗေဒဆိုင်ရာသိပ္ပံပညာဌာန, တရုတ်သိပ္ပံအကယ်ဒမီ၏လုပ်ငန်းအောင်မြင်မှု, TSSG နည်းလမ်းကို အသုံးပြု. ကြီးထွားလာသော Sice Crystals တွင်

02 ကြီးထွားလာသော SIC နည်းစနစ်များကြီးထွားလာခြင်း၏အခြေခံနိယာမများ

SIC သည်ပုံမှန်ဖိအားတွင်အရည်ပျော်မှတ်မရှိပါ။ အပူချိန် 2000 ပြည့်လွန်နှစ်များအထက်ရောက်သောအခါ၎င်းသည်တိုက်ရိုက်ဓာတ်ငွေ့နှင့်ပြိုကွဲသွားလိမ့်မည်။ ထို့ကြောင့် Sic Crystals များကြီးထွားလာခြင်းနှင့်ပိုမိုကောင်းမွန်သောဖွဲ့စည်းမှုကိုနူးညံ့သိမ်မွေ့ခြင်း,

Si-C Biny Phase ပုံအရ Si-Reher Rich End တွင် L + Sic "၏အဆင့်နှစ်ဆင့်ရှိသည့်ဒေသတစ်ခုဖြစ်ပြီး SIC ၏အရည်တိုးတက်မှုအတွက်ဖြစ်နိုင်ခြေကိုထောက်ပံ့ပေးသည်။ သို့သော် C အတွက် Si SI ၏ပျော်ဝင်မှုသည်အလွန်နည်းပါးသဖြင့်အပူချိန်မြင့်မားသောဖြေရှင်းချက်တွင် C ကိုတိုးမြှင့်ရာတွင်ကူညီရန် SI အရည်ပျော်မှုကို SI SI MELT သို့တပ်ဆင်ရန်လိုအပ်သည်။ လက်ရှိတွင် HTSG Method မှကြီးထွားလာသော Sic Sice Crystals အတွက်အဓိကနည်းပညာပုံစံသည် TSSG နည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ပုံ 5 (က) သည် Tssg Method မှကြီးထွားလာသော Sic Sicsstals ၏နိယာမ၏နိယာမ၏နိယာမတစ်ခုဖြစ်သည်။

၎င်းတို့ထဲမှအပူလွန်ကဲရေးဆိုင်ရာအချက်များနှင့်အပူချိန်မြင့်မားသောအချက်များနှင့် solute သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးလုပ်ငန်းစဉ်နှင့်ကြည်လင်သောသယ်ယူပို့ဆောင်ရေးတိုးတက်မှုနှင့်ကြည်လင်သောကြီးထွားမှု interface ၏ဒိုင်းနမစ်သည် Cictal Crystals ၏ 0 ယ်လိုအားကိုပိုမိုသိရှိရန်သော့ချက်ဖြစ်သည်။

ပုံ 5 ။ (က) Sic Sic Crystal Crystal တိုးတက်မှုနှုန်းကို TSSG နည်းလမ်းဖြင့်ဖွဲ့စည်းခြင်း, (ခ) Longitudinal ၏ longitudinal အပိုင်းအစများအနေဖြင့် Longitudinal + + sic နှစ်ခုအဆင့်ဒေသ

မြင့်မားသောအပူစွမ်းအင်သုံးပစ္စည်းများအပူစွမ်းအင်သုံးပစ္စည်းများ၏ဂုဏ်သတ္တိများ

အပူချိန်မြင့်မားသော solutions သို့အလုံအလောက်ပျော်ဝင်ခြင်းသည် Tssg Method မှကြီးထွားလာသော Sic Setsstals ကြီးထွားရန်သော့ချက်ဖြစ်သည်။ flux element များကိုထည့်သွင်းခြင်းသည်အပူချိန်မြင့်မားသောဖြေရှင်းနည်းများတွင် C ၏ပျော်ဝင်မှုကိုတိုးမြှင့်ပေးရန်ထိရောက်သောနည်းလမ်းဖြစ်သည်။

တစ်ချိန်တည်းမှာပင် Crystal ကြီးထွားမှုနှင့်နီးကပ်စွာဆက်နွယ်နေသောအပူစွမ်းအင်ကြီးထွားမှုနှင့်နီးကပ်စွာဆက်စပ်သောအပူစွမ်းအင်သိပ္ပံနည်းကျသည့်အဖြေများနှင့်အခြားအပူစွမ်းအင်သိသာထင်ရှားသည့်အချက်များနှင့်အခြားအပူစွမ်းအင်သိပ္ပံနည်းကျရောဂါဆိုင်ရာသတ်မှတ်ချက်များကိုထိန်းချုပ်လိမ့်မည်။ ထို့ကြောင့် Flux elements ရွေးချယ်ခြင်းသည် Get Sice Crystals များကြီးထွားလာရန်အတွက် TSSG နည်းလမ်းကိုရရှိရန်အတွက်အရေးအကြီးဆုံးအဆင့်ဖြစ်သည်။

Li-Si, Ti-Si, Cr-Si, Fe-Si, Si, Si, Ni-Si နှင့် Co-Si တို့အပါအ 0 င်စာပေများတွင်စာပေများတွင် Binary High High အပူချိန်မြင့်မားသောအချက်အချာကျသောဖြေရှင်းနည်းစနစ်များရှိသည်။ ၎င်းတို့အနက် Cr-Si, Ti-Si နှင့် FE-SI ၏ Binary စနစ်များနှင့် CR-CE-SI ကဲ့သို့သောဘက်စုံပါဝင်သောစနစ်များကိုကောင်းစွာတီထွင်နိုင်ပြီးကောင်းမွန်သောကြည်လင်တိုးတက်မှုရလဒ်များရရှိထားခြင်းကိုကောင်းစွာတီထွင်နိုင်ပြီးကောင်းမွန်သောကြည်လင်တိုးတက်မှုရလဒ်များရရှိထားခြင်းကိုကောင်းစွာတီထွင်နိုင်ပြီးကောင်းမွန်သောကြည်လင်တိုးတက်မှုရလဒ်များရရှိထားခြင်းကဲ့သို့သောအချက်များအရ

ပုံ 6 (က) SIC တိုးတက်မှုနှုန်းနှင့်အပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားသောဖြေရှင်းချက်စနစ်များနှင့်အပူချိန်မြင့်မားသောအချက်အချာကျသောဖြေရှင်းချက်စနစ် (3) ခုတွင် Kawanishi et al မှအလေးသော Cr-Si နှင့် FE-SI တို့တွင်အပူချိန်မြင့်မားသောဖြေရှင်းချက်စနစ် (3) ခုတွင်ဆက်ဆံရေးကိုပြသသည်။ 2020 ခုနှစ်တွင်ဂျပန်ရှိ Tohoku တက်ကသိုလျ၏။

ပုံ 6 (ခ) မှာပြထားတဲ့အတိုင်း Hyun et al ။ Si0.56cr0.4M0.044 (M = SC, TI, C CR, FE, FE, FE, FE, CU, FE, CU,

ပုံ 6 ။ (က) ကွဲပြားခြားနားသောမြင့်မားသောအပူချိန်ဖြေရှင်းချက်စနစ်များကိုအသုံးပြုသောအခါ (က) SIC တစ်ခုတည်း Crystal ကြီးထွားနှုန်းနှင့်အပူချိန်အကြားဆက်ဆံရေး

04 ကြီးထွားလာ kinetics စည်းမျဉ်း

အရည်အသွေးမြင့် Sic တစ်ခုတည်း crystals များကိုပိုမိုကောင်းမွန်စွာရယူနိုင်ရန်အတွက် Crystal မိုးရွာသွန်းမှု၏ Kinetics ကိုထိန်းညှိရန်လည်းလိုအပ်သည်။ ထို့ကြောင့်ကြီးထွားလာသော Sic Sic Crystals အတွက် TSSG နည်းလမ်းကိုအခြားသုတေသနအာရုံစူးစိုက်မှုမှာမြင့်မားသောအပူချိန်ဆိုင်ရာဖြေရှင်းနည်းများနှင့်ကြည်လင်တိုးတက်မှု interface တွင် Kinetics ၏စည်းမျဉ်းစည်းကမ်းများဖြစ်သည်။

စည်းမျဉ်းစည်းကမ်းများ၏အဓိကနည်းလမ်းများမှာအလှည့်ကျခြင်းနှင့်မျိုးစေ့များရှိသည့်မျိုးစေ့များနှင့်သက်ရောက်သောအပူချိန်စံသတ်မှတ်ခြင်း, အဓိကရည်ရွယ်ချက်မှာအပူချိန်မြင့်သောဖြေရှင်းချက်နှင့်ကြည်လင်သောတိုးတက်မှုနှုန်းကိုစနစ်တကျရှိရန်နှင့်အရည်အသွေးမြင့်မားသော setscitt ရိယာများကိုစနစ်တကျနှင့်အရည်အသွေးမြင့်မားသော cystals များသို့ကြီးထွားလာသည်။

သုတေသီများသည် Kusunoki et al မှအသုံးပြုသော "Crucible Ader-rotation နည်းပညာ" ကဲ့သို့သောတက်ကြွသောစည်းမျဉ်းကိုရရှိရန်နည်းလမ်းများစွာကိုကြိုးစားခဲ့သည်။ သူတို့ရဲ့အလုပ်မှာ 2006 ခုနှစ်မှာဖော်ပြခဲ့တယ်, Daikoku et al မှတီထွင်ခဲ့သော "connave solution connection နည်းပညာ" ကို Daikoku et al မှတီထွင်ခဲ့သည်။

2014 ခုနှစ်တွင် Kusunoki et al ။ အပူချိန်မြင့်မားသောဖြေရှင်းချက် convection ၏စည်းမျဉ်းစည်းကမ်းများအောင်မြင်ရန်အနိမ့်အနေဖြင့်နှစ်မြှုပ်ခြင်းလမ်းညွှန်တစ်ခုအနေဖြင့်နှစ်မြှုပ်ခြင်းလမ်းညွှန်တစ်ခုအနေဖြင့်နှစ်မြှုပ်ခြင်းလမ်းညွှန်တစ်ခုအနေဖြင့်တစ် ဦး နှစ်မြှုပ်ခြင်းလမ်းညွှန်တစ်ခုအဖြစ်ထည့်သွင်းထားသည်။ Graphite လက်စွပ်၏အရွယ်အစားနှင့်အနေအထားကိုပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်နိုင်ပြီးပုံရိပ်တွင်ပြထားတဲ့အတိုင်းမြင့်မားသောအပူချိန်အဖြေတစ်ခုမှာယူနီဖောင်းကို Solute Crystal အောက်အပူချိန်မြင့်တဲ့အဖြေမှာတည်ထောင်နိုင်တယ်, ပုံ 7 မှာရှိတဲ့ကြည်လင်တိုးတက်မှုနှုန်းနဲ့အရည်အသွေးကိုတိုးတက်စေနိုင်တယ်။

ပုံ 7 - (က) အပူချိန်မြင့်မားသောဖြေရှင်းချက်စီးဆင်းမှုနှင့်အပူချိန်ဖြန့်ဖြူးပုံသည် crucible ၌အပူချိန်ဖြန့်ဖြူးခြင်းများပြပုံ \ t 

(ခ) စမ်းသပ်ကိရိယာနှင့်ရလဒ်အကျဉ်းချုပ်၏အစီအစဉ်ပုံစံ

ကြီးထွားလာသော Sic Crystals များအတွက် TSSG နည်းလမ်း၏ 05 ၏အားသာချက်များ

Growning Sic Crystals တွင် TSSG နည်းလမ်း၏အားသာချက်များကိုအောက်ပါရှုထောင့်များတွင်ထင်ဟပ်သည် -

(1) Growning Sic Sic Crystals အတွက်မြင့်မားသောအပူချိန်အဖြေနည်းလမ်းသည် Microtubes နှင့်အခြား macro ချို့ယွင်းချက်များကိုထိထိရောက်ရောက်ပြုပြင်နိုင်သည်။ 1999 ခုနှစ်တွင် Hofmann et al ။ Optical Microscope မှတစ်ဆင့် Microtubes ကိုပုံ 8 တွင်ပြသထားသည့် sic method sicstants ကြီးထွားလာခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင်ထိရောက်စွာဖုံးလွှမ်းနိုင်ကြောင်းကိုကြည့်ရှုစစ်ဆေးသည်။

ပုံ 8 - Sic Sice Crystal ၏ကြီးထွားမှုတွင် TSSG Method ၏တိုးတက်မှုအတွင်း Microtubes ပပျောက်ရေးပြပုံ \ t

(က) sic crystal မှ optical crystal မှ optical micrograph သည် transmission mode တွင် Grown Grown Brown သို့ရောက်သော microtubes by microtubes များကိုရှင်းရှင်းလင်းလင်းမြင်နိုင်သည်။ 

(ခ) ရောင်ပြန်ဟပ်မှုနည်းပါးသော area ရိယာ၏ optical micrograph, microtubes လုံးဝဖုံးလွှမ်းထားကြောင်းညွှန်ပြ။

(2) PVT Method နှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင် TSSG နည်းလမ်းသည် Crystal အချင်းတိုးချဲ့မှုကိုပိုမိုလွယ်ကူစွာရရှိနိုင်ပါသည်။

Toyota နှင့် Sumitomo ကော်ပိုရေးရှင်းတို့၏သက်ဆိုင်ရာသုတေသနအဖွဲ့များသည်ပုံ 9 (က) နှင့် (ခ) တွင်ပြထားတဲ့အတိုင်း Meniscus Hepart Control Control Control Control Uncheterion ကိုအောင်မြင်စွာအောင်မြင်စွာအောင်မြင်စွာအောင်မြင်စွာအောင်မြင်စွာအောင်မြင်နိုင်ခဲ့ပြီ

ပုံ 9 - (က) TSSG နည်းလမ်းရှိ Meniscus Control နည်းပညာ၏ Meniscus Control Technology ၏အစီအစဉ်, 

(ခ) ကြီးထွားမှု angle ပြောင်းလဲခြင်းသည်ဤနည်းပညာဖြင့်ရရှိသော SIC Crystal နှင့် Meniscus ၏အမြင့်နှင့်ဘေးထွက်အမြင်, 

(ဂ) Meniscus အမြင့်တွင် 20 နာရီအတွက်တိုးတက်မှုနှုန်း 2.5 မီလီမီတာ, 

()) 0.5 မီလီမီတာတစ် meniscus အမြင့်တွင် 10 နာရီတိုးတက်မှု,

(င) 35 နာရီအတွက်တိုးတက်မှုနှုန်းသည် 1.5 မီလီမီတာမှ 1.5 မီလီမီတာအထိတိုးပွားလာသည်။

(3) PVT Method နှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင် TSSG Method သည် Stable P-type doping အောင်မြင်ရန်ပိုမိုလွယ်ကူသည်။ ဥပမာအားဖြင့် Shirarai et al ။ Toyota ၏ပုံ 10 တွင်ပြထားတဲ့အတိုင်း TSSG Method ကို TSSG Method ကနေစွမ်းဆောင်နိုင်တဲ့ P-type Sic Crystals ကိုကျော်ဖြတ်နိုင်ခဲ့တယ်လို့ 2014 မှာဖော်ပြခဲ့တယ်။

ပုံ 10 - (က) TSSG နည်းလမ်းဖြင့်စိုက်ပျိုးသော P-type Sic Crystal ၏ဘေးထွက်အမြင်, 

(ခ) ကြည်လင်၏ longitudinal အပိုင်း၏ optical ဓာတ်ပုံ, 

(ဂ) အပူချိန်မြင့်မားသောအဖြေတစ်ခုမှ (6%) တွင်အယ်လ်အကြောင်းအရာ 3% (အက်တမ်အပိုင်း) ဖြင့်မြင့်မားသောအပူချိန်အဖြေတစ်ခုမှကျောက်စိမ်း၏ထိပ်တန်းမျက်နှာပြင် shape သုက်ပိုးပုံသဏ္ဌာန်

06 နိဂုံးချုပ်နှင့် Outlook

Grosg Intoining Sic Sic Crystals အတွက် TSSG နည်းလမ်းသည်လွန်ခဲ့သောအနှစ် 20 အတွင်းမှာတိုးတက်မှုများစွာရှိခဲ့ပြီးအသင်းအနည်းငယ်သည်အရည်အသွေးမြင့်မားသော 4 လက်မအရွယ် SIC တစ်ခုတည်း crystals များကို TSSG နည်းလမ်းဖြင့်စိုက်ပျိုးကြသည်။

သို့သော်ဤနည်းပညာ၏နောက်ထပ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည်အောက်ပါသော့ချက်ကျသောရှုထောင့်များတွင်အောင်မြင်မှုများလိုအပ်နေဆဲဖြစ်သည်။

(1) အဖြေ၏အပူစွမ်းအင်သိပ္ပံဘာသာရပ်ဂုဏ်သတ္တိများ၏နက်ရှိုင်းလေ့လာမှု,

(2) ကြီးထွားမှုနှုန်းနှင့်ကြည်လင်အရည်အသွေးအကြားမျှတမှု,

(3) တည်ငြိမ်သောကြည်လင်တိုးတက်မှုနှုန်းအခြေအနေများတည်ထောင်ခြင်း,

(4) သန့်စင်ပြီး dynamic control နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု။

TSSG နည်းလမ်းသည် PVT နည်းလမ်းကိုနောက်ကွယ်တွင်အတော်အတန်ဖြစ်နေသေးသော်လည်း Tssg Method သည် Tosg Methody ၏အဓိကရည်ရွယ်ချက်မှာပိုမိုနူးညံ့သိမ်မွေ့ခြင်းနှင့်အဓိကနည်းစနစ်များကိုဆက်လက်ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။ SIC စက်မှုလုပ်ငန်း၏လျင်မြန်စွာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုမောင်းနှင်မှု။