သတင်း

ဒီဘလော့ဂ်က "ဆီလီကွန်ကာလက်သည်ကြည်လင်တိုးတက်မှုနှုန်းကဘာလဲ?" ၎င်း၏အဓိကအကြောင်းအရာနှင့်ရှုထောင့်လေးခုမှအသေးစိတ်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း - silicon carbide ကြည်လင်တိုးတက်မှု, SIC အငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနည်းလမ်း (PVT) နှင့်ခြေလှမ်းစီးဆင်းမှုတိုးတက်မှုနှုန်းနှင့်ခြေလှမ်းစီးဆင်းမှုကြီးထွားမှုနှင့်ခြေလှမ်းစီးဆင်းမှုတိုးတက်မှုနှုန်း။

ဒီဘလော့ဂ်က "EpitAxAxial လုပ်ငန်းစဉ်ကဘာလဲ" Epi Program များ, EPI လုပ်ငန်း၏တိုးတက်မှုနည်းများ, EPI တိုးတက်မှုနည်းစနစ်များ, EPI တိုးတက်မှုနှုန်းများ,

Sicalon Carbide Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Guntal of Cystals ၏နည်းပညာအခက်အခဲများ,

ကမ္ဘာပေါ်ရှိအစွမ်းထက်ဆုံးသောထုတ်လုပ်သူလေး ဦး - SGL, Toyo Tanso, Tokai ကာဗွန်, Mersen နှင့် 4 င်းတို့၏သက်ဆိုင်ရာပုံမှန်ဂရပ်ဖစ်နှင့်လျှောက်လွှာဒေသများ။

ဒီဆောင်းပါးက cul co ည့်သည်ရွေးချယ်ခြင်းအတွက်သတ်သတ်မှတ်မှတ်အကြောင်းပြချက်များနှင့်ကာဗွန်အပေါ်ဖုံးအုပ်ခြင်းနည်းလမ်းနှင့်နိယာမ၏နည်းလမ်းနှင့်နိယာမ၏နည်းလမ်းနှင့်မူပုဒ်၏နိယာမကိုဖော်ပြထားသည်။ ၎င်းသည် D8 Advance X-Ray dateveromethome (XRD) ကိုအသုံးပြုခြင်းကိုအထူးဆန်းစစ်ခြင်းကိုအထူးလေ့လာသည်။

ကြီးထွားလာသော Sic Sic Crystals အတွက်အဓိကနည်းလမ်းများမှာ - ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး (PVT), မြင့်မားသောဓာတုအခိုးအငွေ့ (HTCVD) နှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်ဖြေရှင်းချက် (HTCVD) နှင့်အပူချိန်ဖြေရှင်းချက်တိုးတက်မှုနှုန်း (HTCVD) နှင့်အပူချိန်ဖြေရှင်းချက်တိုးတက်မှုနှုန်း (HTCVD) နှင့်မြင့်မားသောအပူချိန် Solidition (HTCVD) နှင့်အပူချိန်ဖြေရှင်းချက်တိုးတက်မှုနှုန်းမြင့်