သတင်း

CVD TAC Coating သည်အလွှာတစ်ခု (ပုန်းအောင်း) တွင်သိပ်သည်းသောကြာရှည်ခံသည့်အဖုံးကိုဖွဲ့စည်းရန်လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် TAC ကိုအပူချိန်မြင့်မားသောမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိအလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်သို့အပ်နှံခြင်း,

8 လက်မ Silicon Carbide (SIC) လုပ်ငန်းစဉ်ရင့်ကျက်သောအနေဖြင့်ထုတ်လုပ်သူများသည် 6 လက်မမှ 8 လက်မမှ 8 လက်မမှပြောင်းကုန်ပြီဖြစ်သည်။ မကြာသေးမီက Semiconductor နှင့် Resonac တွင် 8 လက်မ SIC ထုတ်လုပ်မှုတွင်နောက်ဆုံးသတင်းများကိုကြေငြာခဲ့သည်။

ဤဆောင်းပါးသည် 200 မီလီမီတာ SIC တွင်ယူနီဖောင်း 4H-Sic Explex Explipe လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကိုဤဆောင်းပါးသည်အသစ်သောဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသော PE1O8 Hot-Wall CVD ဓာတ်ပေါင်းဖို၏နောက်ဆုံးပေါ်တိုးတက်မှုများကိုမိတ်ဆက်ပေးသည်။

ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ optoelectronics နှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် SiC ပစ္စည်းများ လိုအပ်ချက် တိုးပွားလာသည်နှင့်အမျှ SiC တစ်ခုတည်းသော crystal တိုးတက်မှုနည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာဆိုင်ရာ ဆန်းသစ်တီထွင်မှု၏ အဓိကနယ်ပယ်တစ်ခု ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။ SiC တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုကိရိယာ၏အဓိကအချက်အနေဖြင့်၊ အပူပိုင်းနယ်ပယ်ဒီဇိုင်းသည် ကျယ်ပြန့်သောအာရုံစိုက်မှုနှင့် အတွင်းကျကျသုတေသနပြုမှုများကို ဆက်လက်ရရှိမည်ဖြစ်သည်။

စဉ်ဆက်မပြတ်နည်းပညာတိုးတက်မှုနှင့် အတွင်းကျကျယန္တရား သုတေသနပြုခြင်းဖြင့် 3C-SiC heteroepitaxial နည်းပညာသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ပိုမိုအရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးကို မြှင့်တင်ရန် မျှော်လင့်ပါသည်။

Spatial ALD၊ နေရာဒေသအလိုက် သီးခြားခွဲထားသော အနုမြူအလွှာ အစစ်ခံခြင်း။ wafer သည် မတူညီသော ရာထူးများကြား ရွေ့လျားပြီး နေရာတစ်ခုစီတွင် မတူညီသော ရှေ့ပြေးနိမိတ်များနှင့် ထိတွေ့သည်။ အောက်ပါပုံသည် ရိုးရာ ALD နှင့် နေရာဒေသအလိုက် သီးခြားခွဲထားသော ALD အကြား နှိုင်းယှဉ်ချက်ဖြစ်သည်။

မကြာသေးမီကဂျာမန်သုတေသနဌာနသည် Tantalum Carbide Technology နည်းပညာသုတေသနနှင့်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက်အောင်မြင်မှုရရှိခဲ့ပြီး CVD စုပ်ယူမှုဖြေရှင်းချက်ထက်ပိုမိုပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်နှင့်သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်နှင့်သဟဇာတဖြစ်သောရေမှုန်ရေမွှားညှိနှိုင်းမှုဖြေရှင်းနည်းကိုတီထွင်ခဲ့သည်။

အရှိန်အဟုန်ဖြင့် နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်သည့်ခေတ်တွင် အဆင့်မြင့်ကုန်ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာ၏ အရေးကြီးသော ကိုယ်စားလှယ်အဖြစ် 3D ပုံနှိပ်စက်သည် သမားရိုးကျကုန်ထုတ်လုပ်မှု၏ မျက်နှာစာကို တဖြည်းဖြည်း ပြောင်းလဲလျက်ရှိသည်။ နည်းပညာများ၏ စဉ်ဆက်မပြတ် ရင့်ကျက်မှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် 3D ပုံနှိပ်စက်နည်းပညာသည် အာကာသယာဉ်၊ မော်တော်ကားထုတ်လုပ်ရေး၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာပစ္စည်းများနှင့် ဗိသုကာဒီဇိုင်းစသည့် နယ်ပယ်များစွာတွင် ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချမှုအလားအလာများကို ပြသခဲ့ပြီး အဆိုပါစက်မှုလုပ်ငန်း၏ ဆန်းသစ်တီထွင်မှုနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးခဲ့သည်။

တစ်ခုတည်းသောကြည်လင်ပစ္စည်းများတစ်ခုတည်းသော Sememonductor ထုတ်ကုန်အမျိုးမျိုးထုတ်လုပ်မှု၏လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။ 1959 ခုနှစ်အကုန်ပိုင်းတွင် Crystal ရုပ်ပစ္စည်းကြီးထွားမှုနည်းပညာ၏ပါးလွှာသောအလွှာတစ်ခု - epitaxial တိုးတက်မှုနှုန်းကိုတီထွင်ခဲ့သည်။

ဆီလီကွန်ကာလက်သည်မြင့်မားသောအပူချိန်, ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားခြင်း, ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်စေရန်နှင့်ကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချရန်ကြီးမားသော silicon carbide အလွှာများ၏ပြင်ဆင်မှုသည်အရေးကြီးသောဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းဖြစ်သည်။

ပြည်ပသင်းအကြောင်းသတင်းများအရဇွန်လ 24 ရက်နေ့တွင် BEATEDANCE သည် US chip ဒီဇိုင်းကုမ္ပဏီ (AI) သည်အဆင့်မြင့်အတုထောက်လှမ်းရေး (AI) ကိုကူညီလိမ့်မည်။ နှင့်အမေရိကန်ပြည်ထောင်စု။

SIC Optoeleletroughectronics ၏ ဦး ဆောင်ထုတ်လုပ်သူအနေဖြင့် Sanan Optoeleletroughectronics ၏ဆက်စပ်ဒိုင်းနမစ်များသည်စက်မှုလုပ်ငန်းတွင်ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အာရုံစိုက်ခဲ့ကြသည်။ မကြာသေးမီက Sanan Optoelelectronics သည် 8 လက်မအသွင်ပြောင်းမှု, အလွှာစက်ရုံထုတ်လုပ်မှုအသစ်များ, အစိုးရထောက်ပံ့မှုများနှင့်အခြားရှုထောင့်များတည်ထောင်ခြင်းတွင်နောက်ဆုံးပေါ်တိုးတက်မှုများ,

CIC နှင့် Aln တစ်ခုတည်း crystals များကြီးထွားလာခြင်း (PVT) နည်းလမ်းကို အသုံးပြု. Crucible, မျိုးစေ့ကိုင်ဆောင်သူကဲ့သို့သောအရေးကြီးသောအစိတ်အပိုင်းများနှင့်လမ်းညွှန်လက်စွပ်ကဲ့သို့သောအရေးပါသောအစိတ်အပိုင်းများနှင့်လမ်းညွှန်လက်စွပ်သည်အရေးပါသောအခန်းကဏ် play မှပါ 0 င်သည်။ ပုံ 2 (1) တွင်ဖော်ပြထားသည့်အတိုင်း pvt လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်းမျိုးစေ့ပြတ်တောက်မှုတွင် crystal သည်အောက်ပိုင်းအပူချိန်ဒေသတွင်နေရာချထားသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗွန်အလွှာများသည်ချို့ယွင်းချက်များစွာရှိပြီးတိုက်ရိုက်လုပ်ဆောင်ခြင်းမပြုနိုင်ပါ။ chitaxial product မှ chitaxial လုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် clitxAxial လုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် clitstal phat ရုပ်ရှင်ကိုသူတို့အပေါ်တွင်စိုက်ပျိုးရန်လိုအပ်သည်။ ဒီပါးလွှာသောရုပ်ရှင်သည် epitaxial အလွှာဖြစ်သည်။ Silicon Carbide ကိရိယာများအားလုံးနီးပါးသည် epitaxial ပစ္စည်းများတွင်သဘောပေါက်သည်။ အရည်အသွေးမြင့် silicon carbide တစ်သားတည်းဖြစ်တည်ခြင်း Estageneous Earitaxial ပစ္စည်းများသည်ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာအိတ်များ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက်အခြေခံဖြစ်သည်။ Estitaxial ပစ္စည်းများ၏စွမ်းဆောင်ရည်သည်ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာလက်စ်၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုက်ရိုက်အကောင်အထည်ဖော်သည်ကိုတိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်သည်။

Silicon Carbide သည် Semiconductor စက်မှုလုပ်ငန်းကိုစွမ်းအင်နှင့်အပူချိန်မြင့်မားသော application များနှင့်အပူချိန်မြင့်မားသော application များနှင့်ပြည့်စုံသောဂုဏ်သတ္တိများနှင့်ပြည့်စုံသောဂုဏ်သတ္တိများနှင့်ပြည့်စုံသောဂုဏ်သတ္တိများများနှင့်ပြည့်စုံသောပစ္စည်းကိရိယာများနှင့်ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များနှင့်ပြည့်စုံသောနေရာများရှိသည်။

မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု - ဓာတုအငွေ့အငှား (CVD) ဖြင့်စိုက်ပျိုးသောဆီလီကွန် Eplitaxial အလွှာသည်အလွန်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု,