သတင်း

ဒီဆောင်းပါးက cul co ည့်သည်ရွေးချယ်ခြင်းအတွက်သတ်သတ်မှတ်မှတ်အကြောင်းပြချက်များနှင့်ကာဗွန်အပေါ်ဖုံးအုပ်ခြင်းနည်းလမ်းနှင့်နိယာမ၏နည်းလမ်းနှင့်နိယာမ၏နည်းလမ်းနှင့်မူပုဒ်၏နိယာမကိုဖော်ပြထားသည်။ ၎င်းသည် D8 Advance X-Ray dateveromethome (XRD) ကိုအသုံးပြုခြင်းကိုအထူးဆန်းစစ်ခြင်းကိုအထူးလေ့လာသည်။

ကြီးထွားလာသော Sic Sic Crystals အတွက်အဓိကနည်းလမ်းများမှာ - ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး (PVT), မြင့်မားသောဓာတုအခိုးအငွေ့ (HTCVD) နှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်ဖြေရှင်းချက် (HTCVD) နှင့်အပူချိန်ဖြေရှင်းချက်တိုးတက်မှုနှုန်း (HTCVD) နှင့်အပူချိန်ဖြေရှင်းချက်တိုးတက်မှုနှုန်း (HTCVD) နှင့်မြင့်မားသောအပူချိန် Solidition (HTCVD) နှင့်အပူချိန်ဖြေရှင်းချက်တိုးတက်မှုနှုန်းမြင့်

နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး photovoltaic စက်မှုလုပ်ငန်းဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူပျံ့နှံ့နေသော focks များနှင့် LPCVD famesces များသည်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်များ၏ထိရောက်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုက်ရိုက်သက်ရောက်စေသောနေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်မှုအတွက်အဓိကကိရိယာများဖြစ်သည်။ ပြည့်စုံသောထုတ်ကုန်စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်အသုံးပြုမှုကုန်ကျစရိတ်အပေါ် အခြေခံ. Silicon Carbide Weitics သည်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်များထက်ပိုမိုအားသာချက်များရှိသည်။ Photovoltaic လုပ်ငန်းတွင်ဆီလီကွန်ကာဗွန်ကြွေထည်များအသုံးပြုခြင်းသည် Photovoltaic လုပ်ငန်းတွင် Potovoltaic Enterpres သည်အရန်နိုင်ငံ၏ပစ္စည်းရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချရန်, Photovoltaic နယ်ပယ်ရှိဆီလီကွန်ကာဗွန်ကြွေထည်ပစ္စည်းများ၏အနာဂတ်လမ်းကြောင်းသည်အဓိကအားဖြင့်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်း, ပိုမိုကောင်းမွန်သောဝန်ဆောင်မှုများ,

ပစ္စည်းအရင်းအမြစ်နှင့်သန့်ရှင်းရေးထိန်းချုပ်မှု, လုပ်ငန်းစဉ် parameter upymimization, ပစ္စည်းကိရိယာပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှု, ပစ္စည်းကိရိယာပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှု, ပစ္စည်းကိရိယာပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှု, သက်ဆိုင်ရာစက်မှုလုပ်ငန်းဖြေရှင်းချက်အဖြစ်ကောင်းစွာ။

SiC တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု၏အသုံးချမှုရှုထောင့်မှ၊ ဤဆောင်းပါးသည် TaC coating နှင့် SIC coating ၏အခြေခံရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဘောင်များကို နှိုင်းယှဉ်ပြီး SiC အပေါ်ယံပိုင်း၏အခြေခံအားသာချက်များကို အပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ ပြင်းထန်သောဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှု၊ အညစ်အကြေးများကို လျှော့ချပေးသည့်အခြေခံအားသာချက်များကို ရှင်းပြထားသည်။ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသည်။

FAF စက်ရုံရှိတိုင်းတာခြင်းဆိုင်ရာပစ္စည်းကိရိယာများစွာရှိသည်။ ဘုံပစ္စည်းကိရိယာများတွင် lithography လုပ်ငန်းစဉ်တိုင်းတာခြင်းဆိုင်ရာပစ္စည်းကိရိယာများ, Pet Thin Field Thin Mosition Process Production လုပ်ငန်းစဉ်တိုင်းတာခြင်းဆိုင်ရာပစ္စည်းကိရိယာများ, စင်တီမီတာတိုင်းတာခြင်းဆိုင်ရာပစ္စည်းကိရိယာများ,