သတင်း

Semiconductor ကုန်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်အဆင့်ရှစ်ဆင့်ပါ 0 င်သည်။ သဲမှဆီလီကွန်ကိုယိမ်းယိုင်သူများ, ဓာတ်တိုးခြင်း, ပုံစံများ,

ဤဆောင်းပါးက Sapphire crystals များကိုပြင်ဆင်ရန်အတွက် Sapphires Methodals မှ Sapphires Methodals မှ Sapphires Methodals မှ Sapphires Methodals မှ Sapphires Methodals မှ Sapphires Methodals မှ Sapphires Methodals မှ Sapphireski methodals ကြီးထွားလာခြင်းနှင့် Sapphire Crystals ကြီးထွားလာခြင်း,

ဆောင်းပါးကအပူချိန် gradient ကိုတစ်ခုတည်းသောကြည်လင်မီးဖိုဖြင့်ရှင်းပြသည်။ Crystal ကြီးထွားမှု, ခိုင်ခံ့သောအရည် interface နှင့်အပူချိန် gradient ၏အခန်းကဏ် in တို့တွင်ငြိမ်သက်ခြင်းနှင့်ပြောင်းလဲနေသောအပူလယ်ကွင်းများကိုဖုံးအုပ်ထားသည်။

Taiko Pright Taiko Product သည်၎င်း၏အခြေခံအားဖြင့်အားသာချက်များ,

8 လက်မအရွယ် SIC Explaxial Funace နှင့် Homoepititaxial လုပ်ငန်းစဉ်သုတေသန

ဆောင်းပါးသည် ဆီလီကွန်၊ GaAs၊ SiC နှင့် GaN ကဲ့သို့သော ဆီလီကွန်၊ GaAs၊ SiC နှင့် GaN ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာ၏ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာထားသည်။