သတင်း

Physical Vapor Transport (PVT) နည်းလမ်းဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားလာမှုဖြစ်စဉ်တွင်၊ အလွန်မြင့်မားသောအပူချိန် 2000-2500°C သည် "အမြှောင့်နှစ်ထပ်ဓား" — ၎င်းသည် အရင်းအမြစ်ပစ္စည်းများကို sublimation နှင့် ပို့ဆောင်ရာတွင် မောင်းနှင်နေစဉ်တွင်၊ ၎င်းသည် အပူပိုင်းဇုန်အတွင်းရှိ သတ္တုဒြပ်စင်များ အထူးသဖြင့် အပူပိုင်းဇုန်အတွင်းရှိ ပစ္စည်းအားလုံးမှ အညစ်အကြေးများကို သိသိသာသာ ပြင်းထန်စွာ ထုတ်ပေးပါသည်။ အစိတ်အပိုင်းများ။ ဤအညစ်အကြေးများသည် ကြီးထွားမှုကြားခံအတွင်းသို့ ဝင်ရောက်ပြီးသည်နှင့် ၎င်းတို့သည် သလင်းကျောက်၏ အဓိကအရည်အသွေးကို တိုက်ရိုက်ထိခိုက်စေမည်ဖြစ်သည်။ ဤသည်မှာ တန်တလမ်ကာဘိုက် (TaC) အပေါ်ယံပိုင်း PVT ကြီးထွားမှုအတွက် "ရွေးချယ်စရာရွေးချယ်မှု" မဟုတ်ဘဲ "မဖြစ်မနေရွေးချယ်မှု" ဖြစ်လာရခြင်း၏ အခြေခံအကြောင်းရင်းဖြစ်သည်။

Veteksemicon တွင်ကျွန်ုပ်တို့သည်ဤစိန်ခေါ်မှုများကိုနေ့စဉ်ရှာဖွေရန်အထူးသဖြင့်အလူမီနီယမ်အောက်တိုတိုင်းအောက်ဆိုဒ်များကိုသတ်မှတ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီသောဖြေရှင်းနည်းများအဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်းကိုအထူးပြုသည်။ မှန်ကန်သောချဉ်းကပ်မှုသည်အကုန်အကျများသောစွန့်ပစ်ပစ္စည်းနှင့်အစိတ်အပိုင်းပျက်ကွက်မှုကို ဦး ဆောင်လမ်းပြနိုင်သည့်အတွက်မှန်ကန်သောစက်ပစ္စည်းများနှင့်ပြုပြင်ခြင်းနည်းလမ်းများကိုနားလည်ခြင်းသည်အလွန်အရေးကြီးသည်။ ဒီဖြစ်နိုင်ခြေကိုဖြစ်စေတဲ့ပရော်ဖက်ရှင်နယ်နည်းစနစ်တွေကိုလေ့လာကြည့်ရအောင်။

ကြိုးဖြတ်တောက်ခြင်းတွင် COAT ကို DICING ရေထဲသို့မိတ်ဆက်ပေးခြင်းသည်တည်ငြိမ်သောအခွန်စည်းကြပ်မှုနှင့်ညစ်ညမ်းမှုနိမ့်ကျခြင်းကိုနှိမ်နင်းရန်အတွက်ထိရောက်သောလုပ်ငန်းစဉ်အတိုင်းအတာဖြစ်သည်။