သတင်း

စီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများ၏ စက်မှုလုပ်ငန်းခွင် ထုတ်လုပ်မှုအတွက်၊ တိုးတက်မှုတစ်ခုတည်း၏ အောင်မြင်မှုသည် အဆုံးပန်းတိုင်မဟုတ်ပါ။ စစ်မှန်သောစိန်ခေါ်မှုမှာ မတူညီသောအသုတ်များ၊ ကိရိယာများနှင့် အချိန်ကာလများတစ်လျှောက်တွင် ပေါက်ရောက်သော crystals များသည် တစ်သမတ်တည်းဖြစ်ပြီး အရည်အသွေးတွင် ထပ်တလဲလဲဖြစ်နိုင်မှုအဆင့်ကို မြင့်မားစွာထိန်းသိမ်းနိုင်စေရန်အတွက်ဖြစ်သည်။ ဤအခြေအနေတွင်၊ တန်တလမ်ကာဗိုက် (TaC) အပေါ်ယံပိုင်း၏အခန်းကဏ္ဍသည် အခြေခံကာကွယ်မှုထက်ကျော်လွန်သည်—၎င်းသည် လုပ်ငန်းစဉ်ပြတင်းပေါက်ကိုတည်ငြိမ်စေရန်နှင့် ထုတ်ကုန်အထွက်နှုန်းကိုကာကွယ်ရန် အဓိကအချက်ဖြစ်လာသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) PVT ကြီးထွားမှုတွင် ပြင်းထန်သော အပူစက်ဘီးစီးခြင်း (အခန်းအပူချိန် 2200 ℃ အထက်) ပါဝင်သည်။ အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (CTE) ၏ coefficients မတူညီမှုကြောင့် coating နှင့် graphite substrate အကြား ကြီးမားသော အပူဖိစီးမှုသည် coating lifetime နှင့် application များ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ဆုံးဖြတ်ရန် အဓိကစိန်ခေါ်မှုဖြစ်သည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) PVT ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ အပူစက်ကွင်း၏တည်ငြိမ်မှုနှင့် တူညီမှုသည် ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားနှုန်း၊ ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းမှုနှင့် ပစ္စည်းတူညီမှုကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်သည်။ စနစ်နယ်နိမိတ်အနေဖြင့်၊ အပူ-စက်ကွင်း အစိတ်အပိုင်းများသည် အပူချိန်မြင့်မားသောအခြေအနေများအောက်တွင် အနည်းငယ်အတက်အကျများကို သိသိသာသာချဲ့ထွင်ကာ မျက်နှာပြင်အပူချိန်ကိုပြသပြီး ကြီးထွားမှုမျက်နှာပြင်တွင် မတည်မငြိမ်ဖြစ်စေသည်။