သတင်း

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ၏ အဓိက တိုးတက်မှုနည်းလမ်းများတွင် PVT၊ TSSG နှင့် HTCVD တို့ပါဝင်သည်၊ တစ်ခုစီတွင် ထူးခြားသောအားသာချက်များနှင့် စိန်ခေါ်မှုများရှိသည်။ ကာဗွန်အခြေခံအပူဓာတ်အခြေခံပစ္စည်းများသည် SiC ၏တိကျသောဖန်တီးမှုနှင့်အသုံးချမှုအတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော တည်ငြိမ်မှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် သန့်ရှင်းမှုတို့ကို ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့် ကာဗွန်အခြေခံအပူကွက်များ၊

SiC သည် မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် သံချေးတက်မှုတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ၎င်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှုအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို ဓာတုအခိုးအငွေ့များ စုပုံခြင်းမှတစ်ဆင့် ဖန်တီးထားပြီး မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ ဓာတုတည်ငြိမ်မှုနှင့် epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် ကိုက်ညီသော ရာဇမတ်ကွက်များကို ပေးဆောင်သည်။ ၎င်း၏အနိမ့်အပူချဲ့ထွင်မှုနှင့် မာကျောမှုမြင့်မားမှုသည် တာရှည်ခံမှုနှင့် တိကျမှုကိုသေချာစေပြီး wafer carriers၊ preheating rings နှင့် အခြားအရာများကဲ့သို့ applications များတွင်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။ VeTek Semiconductor သည် မတူညီသော လုပ်ငန်းလိုအပ်ချက်များအတွက် စိတ်ကြိုက် SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို အထူးပြုပါသည်။

Silicon Carbide (SIC) သည်အပူချိန်မြင့်မားခြင်း, ချေးခြင်းခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း, ၎င်းတွင်ကြည်လင်သောအဆောက်အအုံ 200 ကျော်ရှိသည်။ 3c-Sic သည်၎င်း၏လျှပ်စစ်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားစီးဆင်းမှုအတွက်ထွက်ပေါ်လာပြီးအာဏာပိုင်များကမောရှေအတွက်အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်၎င်းသည် nanoelectronics, အပြာရောင် LEDs နှင့်အာရုံခံကိရိယာများတွင်ကြီးမားသောအလားအလာကိုပြသသည်။

အလားအလာရှိသော စတုတ္ထမျိုးဆက် "ultimate semiconductor" သည် ၎င်း၏ထူးခြားသော မာကျောမှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာများတွင် အာရုံစိုက်မှုရရှိနေသည်။ ၎င်း၏ မြင့်မားသောကုန်ကျစရိတ်နှင့် ထုတ်လုပ်မှုစိန်ခေါ်မှုများက ၎င်း၏အသုံးပြုမှုကို ကန့်သတ်ထားသော်လည်း CVD သည် ဦးစားပေးနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ မူးယစ်ဆေးဝါးနှင့် ကြီးမားသော ဧရိယာပုံဆောင်ခဲများကို စိန်ခေါ်နေသော်လည်း စိန်က ကတိပေးထားသည်။