TaC Coated Graphite Wafer အဖုံးကွင်း

ပင်မနည်းပညာဆိုင်ရာ အားသာချက်များ

• ထူးခြားသော ဓာတုခုခံမှု: အပူချိန် 1200°C နှင့် 2000°C ကြားတွင် ပြင်းထန်သော etching gases (H₂, NH₃, HCl) ကို ခံနိုင်ရည်ရှိအောင် တီထွင်ဖန်တီးထားပါသည်။

• အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှု ကိုက်ညီခြင်း။- ကျွန်ုပ်တို့၏တစ်ဦးတည်းပိုင် CVD လုပ်ငန်းစဉ်သည် TaC အပေါ်ယံပိုင်း၌ ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့် ကိုက်ညီမှုရှိသော အကောင်းဆုံး CTE (အပူဓာတ်ချဲ့ထွင်မှု) ရှိပြီး လျင်မြန်သောအပူစက်ဘီးစီးနေစဉ်အတွင်း ကွဲထွက်ခြင်း သို့မဟုတ် ကွဲအက်ခြင်းကို ကာကွယ်ပေးပါသည်။

• သာလွန်ကောင်းမွန်သော အမှုန်အမွှားထိန်းချုပ်မှု: porous graphite ကို လုံး၀ တံဆိပ်ခတ်ခြင်းဖြင့်၊ TaC အလွှာသည် အမှုန်အမွှားများကို ဖယ်ရှားပေးကာ သင်၏ wafer အထွက်နှုန်းကို တိုက်ရိုက်တိုးမြင့်စေပြီး ဓာတ်ပေါင်းဖို ရပ်နားချိန်ကို လျှော့ချပေးပါသည်။

• တိုးချဲ့ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း: ထပ်ခါတလဲလဲ သန့်ရှင်းရေး လည်ပတ်မှုများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော ဝတ်ဆင်မှု ခံနိုင်ရည် မြင့်မားသော မျက်နှာပြင်သည် ဖုံးအုပ်ထားသော သို့မဟုတ် SiC-coated အခြားနည်းလမ်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုင်ဆိုင်မှု (CoO) ကုန်ကျစရိတ် သိသိသာသာ သက်သာသည်။

Tantalum carbide (TaC) ကို အဏုကြည့် အပိုင်း ဖြတ်ပိုင်းပေါ်တွင် အုပ်ထားသည်။

TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring ၏ ထုတ်ကုန်သတ်မှတ်ချက်

ကျွန်ုပ်တို့၏ TaC ကာဗာကွင်းများကို အဘယ်ကြောင့်ရွေးချယ်သနည်း။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုသည် အမြတ်အစွန်းနှင့် ညီမျှကြောင်း ကျွန်ုပ်တို့ နားလည်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ TaC Coated Graphite Wafer Cover Rings များကို အပေါ်ယံပိုင်းသိပ်သည်းဆနှင့် သန့်ရှင်းမှုအတွက် အသုတ်လိုက်စမ်းသပ်ထားပါသည်။ သင်သည် 6 လက်မမှ 8 လက်မ wafer ထုတ်လုပ်မှုကို ကူးပြောင်းနေသည် သို့မဟုတ် အပူချိန်မြင့်သော MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်နေသည်ဖြစ်စေ၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ကွင်းများသည် ကမ္ဘာ့အဆင့်မီ epitaxy အတွက် လိုအပ်သော အပူနှင့် ဓာတုအကာအရံများကို ပေးပါသည်။