ထုတ်ကုန်များ

Vetek Semiconductor ၏ CVD CISIC COC CISICTION SIC COCTION သည်မြင့်မားသောအပူချိန်, ချေးခြင်းခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း, တရုတ်နိုင်ငံအနေဖြင့် CVD COC COC COUCE ထုတ်လုပ်သူနှင့်ပေးသွင်းသူနှင့်ပေးသွင်းသူနှင့်ကုန်ပစ္စည်းပေးသွင်းသူဖြစ်သော Vetek Semiconductor သည်သင်၏တိုင်ပင်ဆွေးနွေးမှုကိုမျှော်လင့်သည်။

Vetek Semiconductor သည်တရုတ်နိုင်ငံတွင် MOCVD LED EPI SUPIALOR ၏ပရော်ဖက်ရှင်နယ်ထုတ်လုပ်သူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ MOCVD LED EPI SUPIAPOR သည် EPITAXALIDER ကိရိယာ applications များကိုတောင်းဆိုရန်ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသည်။ ၎င်း၏မြင့်မားသောအပူစီးကူးခြင်း, ဓာတုတည်ငြိမ်မှုနှင့်ကြာရှည်ခံနိုင်မှုသည်တည်ငြိမ်သော epitagaxial တိုးတက်မှုနှုန်းနှင့် Semiconductor ရုပ်ရှင်ထုတ်လုပ်မှုကိုသေချာစေရန်အဓိကအချက်များဖြစ်သည်။

SIC အဖုံး Ald Susceptor သည်အက်တမ်အလွှာအစစ်ခံ (ALD) လုပ်ငန်းစဉ်တွင်အထူးအသုံးပြုသောပံ့ပိုးမှုအစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ald ပစ္စည်းကိရိယာများတွင်အဓိကအခန်းကဏ် plays မှအဓိကအခန်းကဏ် plays မှပါ 0 င်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ Ald Planetary SUCTALY SUCATEREAPOR ထုတ်ကုန်များသည်သင့်အားအရည်အသွေးမြင့်ထုတ်ကုန်ဖြေရှင်းနည်းများကိုယူဆောင်လာနိုင်သည်ဟုကျွန်ုပ်တို့ယုံကြည်သည်။

VeTek Semiconductor ၏ TaC coating tube သည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တစ်ခုတည်း ပုံဆောင်ခဲများ၏ အောင်မြင်ကြီးထွားမှုအတွက် အဓိကအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏မြင့်မားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်၊ ဓာတုမတည်ငြိမ်မှုနှင့်အလွန်ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ဖြင့်၊ ကိုက်ညီသောရလဒ်များနှင့်အတူအရည်အသွေးမြင့် crystals များထုတ်လုပ်မှုကိုသေချာစေသည်။ သင်၏ PVT နည်းလမ်း SiC ကြည်လင်ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် ကောင်းမွန်သောရလဒ်များရရှိစေရန် ကျွန်ုပ်တို့၏ဆန်းသစ်တီထွင်သောဖြေရှင်းနည်းများကို ယုံကြည်ပါ။ ကျွန်ုပ်တို့ထံ စုံစမ်းမေးမြန်းရန် ကြိုဆိုပါသည်။

Vetek Semiconductor သည် ser cere ceramic camucic Chuck ကိုကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်ထုတ်လုပ်ခြင်း, လွှဲပြောင်းခြင်းနှင့်အခြား link များ, ကျွန်ုပ်တို့၏စိမ်ရည် ceramic camuct သည်အလွန်ပြင်းထန်သောလေဟာနယ် onduum onsorection, မြင့်မားသောပြားချပ်ချပ်နှင့်သန့်စင်ခြင်းနှင့်သန့်ရှင်းမြင့်မြတ်မှုမြင့်မားခြင်း,

VeTek Semiconductor မှ CVD SiC coated RTP susceptor သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတစ်လျှောက်တွင်အသုံးပြုသည့် လျင်မြန်သောအပူလည်ပတ်ခြင်း (RTP) နှင့် လျင်မြန်သောအပူခံခြင်း (RTA) ပစ္စည်းများကို ဆောင်ရွက်ပေးပါသည်။ အလွှာအား အလွန်သိပ်သည်းသော CVD ဆီလီကွန်ကာဘိုင် (SiC) အလွှာတွင် ထည့်သွင်းထားသည့် သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော မြင့်မားသော isostatic graphite မှ စက်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသည်။ ဤတည်ဆောက်မှုသည် မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ ပြင်းထန်သော ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အားနည်းမှုနှင့် အပူချိန်မြင့်သော စက်ဘီးစီးခြင်းတွင် စဉ်ဆက်မပြတ် အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုကို ထုတ်ပေးသည်။