Lpe halfmoon Sic Epi ဓာတ်ပေါင်းဖို

Lpe halfmoon Sic Epi ဓာတ်ပေါင်းဖိုအရည်အသွေးမြင့်မားသောထုတ်လုပ်မှုအတွက်အထူးဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသောကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်Silicon Carbide (SIC) EplitaxialEpitxAxial လုပ်ငန်းစဉ်သည် LPE ဝက်မှတုံ့ပြန်မှုအခန်းတွင်အလွှာများ၌အလွှာသည်မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့်ဓာတ်ငွေ့များကဲ့သို့သောအစွန်းရောက်အခြေအနေများနှင့်ထိတွေ့မှုနှင့်ထိတွေ့မှုရှိသည့်နေရာများတွင်တွေ့ရသည်။ 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းနှင့်တုံ့ပြန်မှုအခန်းအစိတ်အပိုင်းများ၏ 0 န်ဆောင်မှုနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုသေချာစေရန်ဓာတုအငွေ့ပျံခြင်း (CVD)SIC အဖုံးများသောအားဖြင့်အသုံးပြုသည်။ 

Lpe halfmoon Sic Epi ဓာတ်ပေါင်းဖိုအစိတ်အပိုင်းများ:

အဓိကတုံ့ပြန်မှုအခန်းဖြေ - အဓိကတုံ့ပြန်မှုအခန်းကိုအပူချိန်ကင်းဆုံးသောပစ္စည်းများဖြစ်သောဆီလီကွန်ကာလက်ထက် (SIC) နှင့်ခွက်အလွန်မြင့်မားသောဓာတုဓာတ်အားပေးဆပ်ယံခုခံနှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်ခုခံရှိသည်။ အပူချိန်သည်များသောအားဖြင့် 1.400 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်နှင့် 1,600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အကြားအပူချိန်အခြေအနေများအောက်တွင်ရှိသောဆီလီကွန်ကာဘက် Crystals ကြီးထွားလာမှုကိုအထောက်အကူပြုနိုင်သည်။ အဓိကတုံ့ပြန်မှုအခန်း၏လည်ပတ်မှုဖိအားသည် 10 အကြားဖြစ်သည်^-310^-1MBAR နှင့် epitaxial တိုးတက်မှုနှုန်းကိုဖိအားကိုညှိခြင်းဖြင့်ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။

အပူအစိတ်အပိုင်းများ: ဖိုက်သို့မဟုတ် silicon carbide (SIC) အပူပေးစက်များသည်အပူချိန်အခြေအနေများအောက်တွင်တည်ငြိမ်သောအပူအရင်းအမြစ်တစ်ခုဖြစ်စေနိုင်သည်။

Lpe ဝက်နိုင့်ဟိုဘွန်း၏အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာ Epi Reador သည်အရည်အသွေးမြင့်မားသောဆီလီကွန်ကာလက်ထက်၌အရည်အသွေးမြင့်မားသော silicon carbide films များဖြစ်သည်။ အထူးသဖြင့်,၎င်းကိုအောက်ပါရှုထောင့်များတွင်ထင်ရှားသည်:

epitaxial အလွှာကြီးထွားမှု: အရည်အဆင့်သတ်မှတ်ချက် Egitaxiy ဖြစ်စဉ်ကိုမှတစ်ဆင့်အလွန်နည်းပါးသော Egitaxial အလွှာများသည်အလွန်မြင့်မားသောကြည်လင်အရည်အသွေးမြင့်မားနိုင်မှုကိုရရှိနိုင်ပါသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်အဓိကတုံ့ပြန်မှုအခန်းတွင်ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှုန်းကိုများသောအားဖြင့် Estitaxial layer ၏တူညီမှုကိုသေချာစေရန် 10-100 sccm (စံကုဗစင်တာများ) တွင်ပုံမှန်အားဖြင့်ထိန်းချုပ်ထားသည်။

မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှု: SIC EstagAxial အလွှာများသည်အပူချိန်မြင့်မားခြင်း, မြင့်မားသောဖိအားများနှင့်ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်အလွန်ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုထိန်းသိမ်းထားဆဲဖြစ်သည်။

ချွတ်ယွင်း density ကိုလျှော့ချ: LPE halfmloon ၏ထူးခြားသောဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာဒီဇိုင်းသည် EPI ဓာတ်ပေါင်းဖိုသည် Epi Reactor Sic Epi ဓာတ်ပေါင်းဖိုသည်အဓိကအားဖြင့် Crystal ချို့ယွင်းချက်များကိုထိရောက်စွာလျှော့ချနိုင်သည်။

Vetek Semiconductor သည် Semiconductor Industry အတွက်အဆင့်မြင့်နည်းပညာနှင့်ထုတ်ကုန်ဖြေရှင်းနည်းများကိုပေးရန်ကတိကဝတ်ပြုထားသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်ကျွန်ုပ်တို့သည်စိတ်ကြိုက်ထုတ်ကုန်ဝန်ဆောင်မှုများကိုထောက်ပံ့သည်။ကျွန်ုပ်တို့သည်တရုတ်နိုင်ငံတွင်သင်၏ရေရှည်မိတ်ဖက်ဖြစ်လာရန်စိတ်ရင်းမှန်ဖြင့်မျှော်လင့်ပါသည်.

CVD SIC ရုပ်ရှင် CRYSTAL ဖွဲ့စည်းပုံ၏ SEM အချက်အလက်များ:

CVD CISEATE ၏အခြေခံရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ：

Vetek Semiconductor Lpe Lpe Sic Epi ဓာတ်ပေါင်းဖိုထုတ်လုပ်မှုဆိုင်များ: