G5 အတွက် Gan Eplitaxial Confidite Support

Vetek Semiconductor သည် G5 ထုတ်လုပ်သူနှင့်ပေးသွင်းသူအတွက်ပရော်ဖက်ရှင်နယ်တရုတ် Estitaxial Cappite SURPORCEAPOR ဖြစ်သည်။ G5 အတွက် G5 အတွက် G5 အတွက် G5 အတွက် CitterxiAd Supceptor သည် Aixtron G5 Metal-Orgaticic Computicic Subition (MOCVD) တွင်အသုံးပြုသောအရေးပါသောအစိတ်အပိုင်း (MOCVD) တွင်အသုံးပြုသောအဓိကအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည် ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်းဖြန့်ဖြူးခြင်း,

G5 အတွက် VeTek Semiconductor GaN Epitaxial Graphite susceptor ၏ အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

-High Peenity: SCAPOR ကို CVD ဖုံးထားသည့် CVD ဖုံးအုပ်ခြင်းဖြင့်စင်ကြယ်သောဖိုက်အဟာရဖြင့်ပြုလုပ်သည်။

-Excellent အပူချိန်။

-Low thermal expansion: susceptor ၏ low thermal expansion coefficient သည် အပူချိန်မြင့်သော ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်အတွင်း အပူဖိစီးမှုနှင့် ကွဲအက်ခြင်းကို လျော့နည်းစေသည်။

-Cheemical inertness: Captite သည်ဓာတုဗေဒအရ inert နှင့် Gan Precrals နှင့်မတုံ့ပြန်သည့်ရုပ်ရှင်များတွင်မလိုချင်တဲ့အညစ်အကြေးတွေကိုတားဆီးပေးတယ်။

- Aixtron G5 နှင့် လိုက်ဖက်ညီမှု- susceptor ကို Aixtron G5 MOCVD စနစ်တွင် အသုံးပြုရန်အတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး သင့်လျော်သော အံဝင်ခွင်ကျနှင့် လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို အာမခံပါသည်။

အပလီကေးရှင်းများ

တောက်ပမှုမြင့်မားသော LED များ- GaN-based LEDs များသည် ယေဘူယျအလင်းရောင်၊ မော်တော်ယာဥ်အလင်းရောင်နှင့် ဖန်သားပြင်အပလီကေးရှင်းများအတွက် စံပြဖြစ်စေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားပြီး တာရှည်ခံမှုကို ပေးဆောင်ပါသည်။

စွမ်းအင်သုံး transistors: Gan Transistors သည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားသိပ်သည်းဆ, ထိရောက်မှုနှင့်ပြောင်းလဲခြင်းမြန်နှုန်းအရသာလွန်ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပေးသည်။

Laser diodes: Gan-based လေဆာရောင်ခြည်သည်မြင့်မားသောထိရောက်မှုနှင့်လှိုင်းအလျားတိုတိုတိုတောင်းသော,

G5 အတွက် Gan Eplitaxial Graphite Susceptor ၏ကုန်ပစ္စည်း parameter သည်

မှတ်ချက်- မွမ်းမံခြင်းမပြုမီ၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ပထမသန့်စင်မှုကို ပြုလုပ်မည်ဖြစ်ပြီး၊ အပေါ်ယံပြီးနောက်၊ ဒုတိယသန့်စင်မှုကို ပြုလုပ်ပါမည်။

Sememonductor ထုတ်လုပ်မှုဆိုင်နှင့်နှိုင်းယှဉ်ကြည့်ပါ။