မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောတင်းကျပ်ခံစားခဲ့ရ

SIC Estitaxial တိုးတက်မှုနှုန်းသည်အရည်အသွေးမြင့်သောဆီလီကွန်ကာလက်ထက်၌အလွှာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိအရည်အသွေးမြင့်သောဆီလီကွန်ကာလက်ထက်တွင်နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် Silicon Carbide Power Devices များနှင့်ဆီလီကွန်ကာလက်သည်စက်ပစ္စည်းများကဲ့သို့သောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့် silicon carbide semicructor semicruction semics များထုတ်လုပ်ရန်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။ ဤဖြစ်စဉ်တွင်အပူချိန်, သဘာဝဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှု, ဖိအားနှင့်အခြား parameters များအပါအ 0 င်ကြီးထွားမှုပတ် 0 န်းကျင်သည်အရည်အသွေးမြင့်မားသော silicon carbide epitaxial layers ကြီးထွားစေရန်အတွက်တင်းကြပ်စွာထိန်းချုပ်ရန်လိုအပ်သည်။ Sic Coatig Talkignax သည်ဂရစ်ဖိုက်ပိုင်း၏အဓိကအစိတ်အပိုင်းဖြစ်ပြီး Sic Citigaxial တိုးတက်မှုနှုန်းသည်အဓိကအားဖြင့်ဂေဟပြောင်းအစိတ်အပိုင်းများကိုအပူထိန်းသိမ်းခြင်း၏အခန်းကဏ် plays မှအဓိကအားဖြင့်အဓိကအားဖြင့်အဓိကအစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။

မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောတင်းကျပ်မှုခံစားခဲ့ရသည်မှာအပူရှိန်အရင်းအမြစ်၏အပူကို Sic Cooligigs arofite အစိတ်အပိုင်းများပတ်လည်တွင်ပိုမိုကောင်းမွန်သောအပူရှိန်အစိတ်အပိုင်းများကိုအညီအမျှဖြန့်ဝေနိုင်ပြီးကောင်းမွန်သောအပူကာကွယ်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုရှိသည်။ Sic JapterAxial တိုးတက်မှုနှုန်းတွင်၎င်းသည်အပူချိန်အလွန်အကျွံကိုရှောင်ရှားရန်ဖြည်းဖြည်းဖြည်းဖြည်းဖြန့်ဖြူးပေးနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကာဗရေအလွှာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိအပူချိန်ကွာခြားမှုကိုအလွန်သေးငယ်သောအကွာအဝေးတွင်ထိန်းချုပ်ထားသည်။ - 2 ℃, တစ် ဦး ဆီလီကွန်ကာလက်ထက် epitaxial အလွှာကြီးထွားလာရန်အလွန်အရေးကြီးသည်။

sicanaxial တိုးတက်မှုရှိ sicane (sih8) နှင့် propane (C3H8) ကဲ့သို့သောတုပ်ကွေးဓာတ်ငွေ့များ (C3H8) ကဲ့သို့သောတဖြည်းဖြည်းတိုးပွားလာသောဓာတ်ငွေ့အချို့ကိုအသုံးပြုသည်။ မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောတင်းကျပ်မှုခံစားခဲ့ရသည်။ နှင့်မြင့်မားသောစင်ကြယ်သောတင်းကျပ်မှု၏စင်ကြယ်မှုသည် 99.99% အထက်ဖြစ်သည်။ Estitaxial layer ကိုတုံ့ပြန်မှုပတ် 0 န်းကျင်သို့ညစ်ညမ်းစေနိုင်သောပစ္စည်းများအားလွှတ်ပေးလိမ့်မည်မဟုတ်ပါ။

သင့်လျော်သောသိပ်သည်းဆမြင့်မားသောစင်ကြယ်သောတင်းကျပ်သောစက်ပိုင်းဆိုင်ရာခွန်အားနှင့်အပူစီးကူးနိုင်မှုကိုသေချာစေနိုင်သည်။ အပူစီးကူးမှုကိုသေချာစေရန်အတွက်၎င်းသည် SIC Explaxial တိုးတက်မှုရှိပြင်ပအချက်များကို 0 င်ရောက်စွက်ဖက်ခြင်းကိုလျော့နည်းစေနိုင်သည်။

ရိုးရာကြွေထည်ပစ္စည်းများနှင့် သတ္တုပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော ဂရပ်ဖိုက်တောင့်တင်းမှုတွင် အပူစီးကူးမှုနှင့် ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှု ပိုမိုကောင်းမွန်ပြီး SiC epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် အထူးကောင်းမွန်သော အရန်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။

တရုတ်နိုင်ငံ၏အဓိကသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောတင်းကျပ်မှုအနေဖြင့် Vetek Semiconductor သည်ပစ္စည်းသို့မဟုတ်ထုတ်ကုန်အရွယ်အစားရှိသည့်အထူးသဖြင့်ပြုပြင်ထားသောထုတ်ကုန်များကိုအထူးသဖြင့်ပြုပြင်ပြောင်းလဲမှုပြုလုပ်နိုင်သည်။ နှင့် semiconductor စက်မှုလုပ်ငန်းများအတွက်ထုတ်ကုန်ဖြေရှင်းနည်းများ။ ကျွန်ုပ်တို့သည်သင်၏တရုတ်နိုင်ငံတွင်ရေရှည်မိတ်ဖက်ဖြစ်လာရန်စိတ်ရင်းမှန်ဖြင့်မျှော်လင့်ပါသည်။

VeTek Semiconductor မြင့်မားသော သန့်စင်မှု တောင့်တင်းသော ခံစားမှုကို ထုတ်လုပ်သည့်ဆိုင်များ