နည်းပညာနှင့် ဖြေရှင်းချက်များ

မှန်ကန်သော CVD SiC၊ TaC အပေါ်ယံပိုင်း သို့မဟုတ် Solid SiC ကိုရွေးချယ်ခြင်းသည် epitaxy/etching လိုင်းများတွင် အမှုန်အဆင့်များနှင့် အစိတ်အပိုင်းများ၏သက်တမ်းကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်သည်။ ဤဆောင်းပါးသည် သင့်အား လျင်မြန်သောဆုံးဖြတ်ချက်များချနိုင်စေရန်နှင့် အန္တရာယ်ကိုလျှော့ချနိုင်စေရန်အတွက် အဓိကစက်ပစ္စည်းအစားထိုးဖြေရှင်းချက်များနှင့် အဓိကတိုင်းတာမှုများနှင့်ကိုက်ညီသော အပူချိန်၊ လေထုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်အလိုက် ပြတ်သားသောရွေးချယ်မှုနယ်နိမိတ်များကို ဖော်ပြပေးထားပါသည်။

VeTek ၏ ရေလမ်းညွန်လေဆာနည်းပညာသည် သေးငယ်သော၊ အနည်းဆုံး HAZ နှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအပလီကေးရှင်းများအတွက် အထွက်နှုန်းမြင့်မားသော 2 မီလီမီတာ SiC အလွှာများတွင် Φ0.15 မီလီမီတာ အပေါက်များကြားတွင် အပေါက်များကို မည်သို့ထုတ်ပေးသည်ကို ရှာဖွေပါ။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းကိရိယာများအတွက် အခက်ဆုံးနည်းပညာဆိုင်ရာ ပြဿနာမှာ အခေါင်းပေါက် လျှပ်စီးပင်များ အပြင်ဘက်မျက်နှာပြင်အပေါ်ယံပိုင်းမဟုတ်ဘဲ အခေါင်းပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံ၏အတွင်းနံရံတွင် တည်ငြိမ်ပြီး တူညီသော CVD အပေါ်ယံအလွှာကို ရရှိခြင်းဖြစ်သည်။ အတွင်းနံရံအပေါ်ယံပိုင်း တူညီမှုထိန်းချုပ်မှုမှ အတွင်းပိုင်းသန့်ရှင်းမှုအာမခံချက်အထိ၊ လုပ်ငန်းစဉ်အဆင့်တိုင်းသည် wafer အထွက်နှုန်းကို တိုက်ရိုက်သက်ရောက်သည်။ ဤဆောင်းပါးသည် Hollow lift pin အတွင်း-နံရံ coating ၏ အဓိကစိန်ခေါ်မှုများနှင့် အဓိကနည်းပညာပိုင်းဆိုင်ရာလမ်းကြောင်းများကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာထားသည်။