01-05 VETEK | အက်ပလီကေးရှင်းနယ်နိမိတ်မျဉ်းများနှင့် ထုလုပ်ခြင်း နှင့် သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသောအခြေအနေများတွင် Solid SiC ၏ရွေးချယ်မှုအမှတ်များ

အခဲ SiC သည် "ပိုစျေးကြီးသော coating အစားထိုး" မဟုတ်ဘဲ မျက်နှာပြင်မပါသော၊ ပလာစမာခံနိုင်ရည်ရှိသော နှင့် အလွန်ရှည်လျားသော သက်တမ်းကြာရှည်သည့် အခြေအနေများအတွက် အခြားသော နည်းပညာလမ်းကြောင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤဆောင်းပါးသည် etching နှင့် high-purity အသုံးပြုမှုတွင်၎င်း၏အသုံးချပရိုဂရမ်နယ်နိမိတ်များကိုရှင်းပြသည်

မျဉ်းတစ်ကြောင်းသည် အပေါ်ယံပိုင်းကွဲအက်ခြင်း သို့မဟုတ် အမှုန်အမွှားများကို အာရုံစိုက်ကွင်းများနှင့် အလားတူအနေအထားများပေါ်တက်နေခြင်းကို ထပ်ခါတလဲလဲတွေ့မြင်သောအခါ ပြဿနာမှာ "သန့်ရှင်းမှုမလုံလောက်ခြင်း" သို့မဟုတ် "မကောင်းတဲ့အမြောက်အများ" သာမဟုတ်ဘဲ ပစ္စည်းပုံစံသည် ပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်နှင့် ကိုက်ညီမှုရှိမရှိဖြစ်သည်။

1. အရေးပါသော Etching အစိတ်အပိုင်းများကို အဘယ်ကြောင့် ပို၍ရွေးချယ်ရသနည်း။အခဲ SiC?

အဓိက နိဂုံး-ပလာစမာသည် coating-substrate interface အတွက် အဆင်မပြေပါ။ Solid SiC သည် အပေါ်ယံမျက်နှာပြင်မပါဘဲ ဘီတာ-SiC အစုလိုက်ဖြစ်ပြီး၊ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံအရ delamination-type particle အရင်းအမြစ်များကို ဖယ်ရှားပေးသည်။ ၎င်းသည် ပလာစမာတိုက်စားမှုကို ပိုမိုပြင်းထန်စွာခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ပလာစမာနှင့်တိုက်ရိုက်ထိတွေ့သော focus rings ကဲ့သို့သော အရေးကြီးသောအစိတ်အပိုင်းများနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

epitaxy အပူပိုင်းဇုန်များတွင် coated graphite သည် ပင်မရေစီးကြောင်းအဖြစ် ကျန်ရှိနေပါသည်။ etch chambers များတွင် interface နှင့် erosion mechanisms ကွဲပြားသည်၊ ထို့ကြောင့် material selection logic သည် ၎င်းတို့နှင့်အတူ ပြောင်းလဲရမည်ဖြစ်သည်။

ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ဝန်ဆောင်မှု ကွာခြားချက်များ

• coated graphite- coating-graphite interface ပါရှိသည်။ ရေရှည်ပလာစမာ သို့မဟုတ် အပူဖိစီးမှုသည် delamination အန္တရာယ်ကို သယ်ဆောင်သည်။

• အခဲ SiC: bulk သည် SiC; interface delamination လမ်းကြောင်းမရှိ၊ သန့်စင်မှုသည် 5N-7N သို့ရောက်ရှိနိုင်သည်။

• ပုံမှန်အသုံးချပရိုဂရမ်များ- အလွန်မြင့်မားသော အမှုန်အမွှားများနှင့် တစ်သက်တာလိုအပ်ချက်များပါရှိသော အာရုံစူးစိုက်ကွင်း၊ ရေချိုးခေါင်းအချို့နှင့် အခန်းအစိတ်အပိုင်းများ

2. အခဲ SiC နှင့် Coated Graphite အကြား TCO ကိုမည်သို့နှိုင်းယှဉ်ရမည်နည်း။

အဓိက နိဂုံး-ဝယ်ယူမှုယူနစ်စျေးနှုန်းတစ်ခုတည်းကို မနှိုင်းယှဉ်ပါနှင့်။ ခေါက်အစားထိုးစက်ဝန်း၊ စက်ရပ်ချိန်နှင့် အမှုန်များမှ အထွက်နှုန်းဆုံးရှုံးမှုများ သို့မဟုတ် wafer တစ်ခုစီသို့ ဆုံးရှုံးပြီးနောက်၊ Solid SiC သည် ဝန်မြင့်သော etch position များတွင် ပို၍အဆင်ပြေလေ့ရှိသည်။ အပျော့စား epitaxy ဗူးခွံများတွင်၊ coated graphite သည် များသောအားဖြင့် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ချိန်ခွင်လျှာအဖြစ် ရှိနေပါသည်။

TCO နှိုင်းယှဥ်မှုသည် အနည်းဆုံး အကျုံးဝင်သင့်သည်- တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းစျေးနှုန်း၊ မျှော်လင့်ထားသည့် တစ်သက်တာ (အလုပ်ချိန် သို့မဟုတ် နာရီများ)၊ စီစဉ်ထားသော စက်ရပ်ချိန်၊ မစီစဉ်ထားသည့် အမှုန်အမွှားနှင့်ဆိုင်သော စက်ရပ်ချိန်၊ အပိုင်းအစနှင့် ထောက်ပံ့ပို့ဆောင်ရေး။

အကျဉ်းချုပ် နှိုင်းယှဉ်

ဇယားတွင် အများအားဖြင့် အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ စီရင်ဆုံးဖြတ်ချက်များကို ပြသထားသည်။ တိကျသောဂဏန်းများကို အပင်သက်တမ်းနှင့် စက်ရပ်ချိန်ကုန်ကျစရိတ်တို့မှ တွက်ချက်ရပါမည်။

3. မိတ်ဆက်တဲ့အခါ ဘာတွေကို စိစစ်သင့်လဲ။အခဲ SiC?

အဓိက နိဂုံး-ပထမဦးစွာ အတိုင်းအတာနှင့် အပူ/လျှပ်စစ်ဓာတ်ကိုက်ညီမှုကို အတည်ပြုပါ၊ ထို့နောက် အမှုန်အမွှားများ၊ ထုထည်တူညီမှုနှင့် သေးငယ်သောအသုတ်များတွင် အမှန်တကယ်သက်တမ်းကို စစ်ဆေးပြီးနောက် အတိုင်းအတာဖြင့် ဝယ်ယူမှုပြုလုပ်ပါ။ “အဆင့်မြင့်ပစ္စည်း” ကိရိယာပေါ်ရှိ ဒေတာကို အစားထိုးခွင့်မပြုပါနှင့်။

အကြံပြုထားသော အတည်ပြုခြင်း အပိုင်း-

1. ပုံဆွဲခြင်း/မူရင်းအတိုင်းအတာများသည် အခန်းနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။ tolerances သည် install လုပ်ခွင့်ပြုသည်။

2. သန့်ရှင်းမှုနှင့် မျက်နှာပြင်အခြေအနေသည် အပင်သတ်မှတ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီသည် (အစီရင်ခံစာများ လိုအပ်နိုင်သည်)။

3. အသေးစား-အသုတ်- ကိရိယာ- အမှုန်များ၊ အရေးကြီးသော လုပ်ငန်းစဉ် ပြတင်းပေါက် အတိုင်းအတာများ၊ အစားထိုး စက်ဝန်း။

4. တူညီသောအခြေအနေများအောက်တွင် ရှိပြီးသား coating solution နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပြီး switch scope ကို ဆုံးဖြတ်ပါ။

4. Case Study- Solid SiC နိဒါန်းကို Focus Ring Coating Delamination ဖြင့် မောင်းနှင်ထားသည်။

အဓိက နိဂုံး-ချို့ယွင်းမှုမုဒ်သည် ရိုးရှင်းသော မျက်နှာပြင် အစစ်ခံခြင်းထက် အပေါ်ယံမျက်နှာပြင် အညစ်အကြေးများကို ဖုံးအုပ်ထားသည့်အခါ၊ မကြာခဏ သန့်ရှင်းရေး သို့မဟုတ် ပြောင်းလဲမှုအများအပြားသည် ရောဂါလက္ခဏာများကိုသာ ကုသလေ့ရှိသည်။ ပလာစမာနှင့် တိုက်ရိုက်ထိတွေ့သည့် ရာထူးများတွင် Solid SiC ကို အကဲဖြတ်ခြင်းသည် delamination လမ်းကြောင်းကို တည်ဆောက်ပုံအရ ဖြတ်တောက်နိုင်သည်။

အင်ဂျင်နီယာမှတ်စု-

ဂရပ်ဖိုက် အာရုံခံကွင်းများကို အသုံးပြုထားသော ရှည်လျားသော ထွင်းထုလိုင်းတစ်ခု။ အလယ်ပိုင်းမှနှောင်းပိုင်းဘဝတွင် အမှုန်အမွှားများ ထပ်ခါတလဲလဲ မြင့်တက်ခဲ့သည်။ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုသည် သန့်ရှင်းမှုနှင့် အများကြီးပြောင်းလဲမှု—ထိရောက်သောကာလတိုဖြစ်သော်လည်း အမြဲတိုတောင်းသောစက်ဝန်းများဖြင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုတွင် ဦးစွာတုံ့ပြန်ခဲ့သည်။ မအောင်မြင်သော အပိုင်းခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုတွင် တူညီသောမျက်နှာပြင်-သိုက်ညစ်ညမ်းမှုမဟုတ်ဘဲ ပလာစမာ-တိုက်ရိုက်ဇုန်ကို လွန်စွာထပ်နေသော ဒေသဆိုင်ရာ အပေါ်ယံအလွှာနှင့် ထိတွေ့မှုတို့ကို ပြသခဲ့သည်။ ထို့နောက် လိုင်းကို မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။အခဲ SiCတူညီသောအတိုင်းအတာတွင်နမူနာများ။ သေးငယ်သောအသုတ် နှိုင်းယှဉ်မှုကို ပြသခဲ့သည်- တူညီသော လုပ်ငန်းစဉ်အောက်တွင် အမှုန်များသည် ပိုမိုတည်ငြိမ်ပြီး အစားထိုးစက်ဝန်းသည် ရှင်းရှင်းလင်းလင်း ပိုရှည်သည်။ တစ်ယူနစ်စျေးနှုန်းသည် မြင့်မားသော်လည်း စက်ရပ်ချိန်နှင့် အထွက်နှုန်းဆုံးရှုံးမှုအတွက် စာရင်းကိုင်ပြီးနောက် လည်ပတ်မှုနှုန်းကျသွားသည်။ ဆုံးဖြတ်ချက်အမှတ်မှာ "Solid SiC သည် အမြဲတမ်းပိုကောင်းသည်" မဟုတ်ဘဲ၊ ပျက်ကွက်မှုမုဒ်က အင်တာဖေ့စ်ကို ညွှန်ပြထားပြီးဖြစ်သည်—အပေါ်ယံပိုင်းလမ်းကြောင်းပေါ်ရှိ သန့်ရှင်းရေးပိုလုပ်ခြင်းက မူလအကြောင်းရင်းကို မဖယ်ရှားနိုင်ပါ။ ဤကိစ္စရပ်ကိုပြသသည်- ချို့ယွင်းမှုယန္တရားသည် ၎င်း၏မျက်နှာပြင်နှင့် ပလာစမာ-ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းဆိုင်ရာ အားသာချက်များနှင့် ကိုက်ညီသောအခါတွင် Solid SiC ကို ရွေးချယ်ပါ။ ဦးစွာခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာပါ၊ ထို့နောက်ပြောင်းပါ—ပထမဦးစွာပြောင်းခြင်းနှင့် နောက်မှရှင်းပြခြင်းထက် ပိုမိုစိတ်ချရသည်။

5. အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

1. epitaxy susceptors များထံသို့လည်း ရွှေ့သင့်ပါသလား။အခဲ SiC?

ကိစ္စအများစုတွင် မရှိပါ။ Epitaxy ပူသောဇုန်များသည် အပူတုံ့ပြန်မှုတန်ဖိုးရှိပြီး ကုန်ကျစရိတ်ပိုများသည်။ သန့်စင်မြင့်ဂရပ်ဖိုက် + CVD SiC/TaC အပေါ်ယံပိုင်းသည် ပင်မရေစီးကြောင်းအဖြစ် ကျန်ရှိနေပါသည်။ Solid SiC ကို etch နှင့် အခြားသော interface- နှင့် plasma-sensitive positions များအတွက် ဦးစားပေးထားသည်။

2. Solid SiC ၏ သက်တမ်းသည် နာရီ 2000 အမြဲရောက်ရှိနိုင်ပါသလား။

၎င်းသည် သင့်လျော်သော လုပ်ငန်းစဉ်များအောက်တွင် ပြင်းအားကို ရည်ညွှန်းခြင်း ဖြစ်သည်။ အမှန်တကယ်ရလဒ်များသည် ပလာစမာအခြေအနေများ၊ ဓာတ်ငွေ့များနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုနည်းဗျူဟာပေါ်တွင်မူတည်ပြီး စက်ရုံစစ်ဆေးမှုကို လိုက်နာရမည်ဖြစ်သည်။

3. Coated graphite ကို Solid SiC အတွက် 1:1 ဖြင့် လဲလှယ်နိုင်ပါသလား။

အတိုင်းအတာများကို မူရင်းအပိုင်း သို့မဟုတ် ပုံဆွဲခြင်းမှ မကြာခဏ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သော်လည်း ပစ္စည်းနှင့် အပူပိုင်း/လျှပ်စစ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အပြုအမူ ကွဲပြားသည်။ ကိရိယာဖြင့် စစ်ဆေးခြင်း လိုအပ်ပါသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်ဝင်းဒိုးသည် မပြောင်းလဲဟု မယူဆပါနှင့်။

4. ပိုမိုမြင့်မားသော ယူနစ်စျေးနှုန်းကို လက်ခံရန် ဝယ်ယူခြင်းကို မည်သို့ဆွဲဆောင်နိုင်မည်နည်း။

အခြေအနေတူ နှိုင်းယှဉ်ဒေတာကို သုံးပါ- အစားထိုးစက်ဝန်း၊ အမှုန်အမွှားများ၊ စက်ရပ်မှုအရေအတွက်များ—တစ်ပြေးနှုန်း သို့မဟုတ် wafer တစ်ခုအတွက် ကုန်ကျစရိတ်ကို တွက်ချက်ပါ၊ ယူနစ်စျေးနှုန်းတစ်ခုတည်းမဟုတ်ဘဲ

5. ဤစာမျက်နှာသည် ရွေးချယ်မှု-ဆုံးဖြတ်ချက်အစုစာမျက်နှာနှင့် မည်သို့အလုပ်လုပ်သနည်း။

Cluster စာမျက်နှာ 2 သည် အလုံးစုံ SiC/TaC/Solid SiC မူဘောင်ကို ပေးသည်။ ဤစာမျက်နှာတွင် Solid SiC နယ်နိမိတ်များနှင့် ထွင်းထုခြင်းနှင့် သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော အခြေအနေများတွင် အတည်ပြုခြင်းလမ်းကြောင်းကို အသေးစိတ်ဖော်ပြထားသည်။ ၎င်းတို့ကို တွဲသုံးပါ။

6. အနှစ်ချုပ်နှင့် နောက်အဆင့်များ

အခဲ SiC ၏တန်ဖိုးသည် အင်တာဖေ့စ်နှင့် ပလာစမာခံနိုင်ရည်မရှိ—ယေဘူယျ “ပိုမိုမြင့်မားသောအဆုံး” မဟုတ်ပါ။ ချို့ယွင်းမှုမုဒ်သည် အပေါ်ယံပိုင်းကွဲလွဲမှု သို့မဟုတ် တိုတောင်းသော etch-position သက်တမ်းကို ညွှန်ပြသောအခါ၊ ၎င်းသည် သေးငယ်သောအသုတ်စစ်ဆေးခြင်းမှတစ်ဆင့် ရွေးချယ်မှုများထဲသို့ ဆောင်လာရကျိုးနပ်ပါသည်။ ဇာတ်လမ်းသည် သမားရိုးကျ epitaxy hot zone အဖြစ် ကျန်ရှိနေသောအခါ၊ coated graphite သည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အဖြေဖြစ်လေ့ရှိပါသည်။

အခဲ SiC မိတ်ဆက်ခြင်းအတွက် အာရုံစိုက်ကွင်းများကဲ့သို့သော ရာထူးများသည် သင့်လျော်မှုရှိမရှိ အကဲဖြတ်ရန် လိုအပ်ပါက၊ သင်သည် VeTek နည်းပညာအဖွဲ့ထံ ဆက်သွယ်ရန် ကြိုဆိုပါသည်။ ဒေါက်တာ Xiao နှင့် အင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့သည် Dimensional match၊ နမူနာစစ်ဆေးခြင်း နှင့် TCO ဆွေးနွေးမှုများကို ကူညီပေးနိုင်ပါသည်။

အလုံးစုံရွေးချယ်မှုဘောင်အတွက်၊ ကြည့်ပါ-လုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများဖြင့် SiC Coating၊ TaC Coating သို့မဟုတ် Solid SiC ကို ရွေးချယ်နည်း; စနစ်အပြည့်အစုံအတွက် တိုင်စာမျက်နှာကို ကြည့်ပါ။01 Epitaxy နှင့် Etching လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် CVD SiC၊ TaC နှင့် Solid SiC တို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်နယ်နိမိတ်များ.

ပင်မအကိုးအကားများနှင့် ဒေတာအရင်းအမြစ်များ

1. VeTek Semiconductor အတွင်းပိုင်း အင်ဂျင်နီယာနှင့် etch-customer လျှောက်လွှာအလေ့အကျင့်။

2. Semiconductor Epitaxy & Etching Etching Equipment အတွက် CVD Coating Consumables Selection Engineering Handbook ရှိ Solid SiC နှင့် coating solutions ဆိုင်ရာ နယ်နိမိတ်မှတ်စုများ။

3. VeTek တရားဝင်ဝဘ်ဆိုဒ် ထုတ်ကုန်နှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာပစ္စည်းများ- https://www.veteksemicon.com/silicon-carbide-coating

မှတ်ချက်- စာသားရှိ တစ်သက်တာနှင့် TCO ကိန်းဂဏန်းများသည် ပုံမှန်အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ ကိုးကားချက်များဖြစ်သည်။ အမှန်တကယ်တန်ဖိုးများသည် အပင်စိစစ်ခြင်းနှင့် ကုန်ကျစရိတ်တွက်ချက်ခြင်းတို့ကို လိုက်နာပါသည်။

ရေးသားသူ- VeTek Semiconductor Technical Engineering Team (ဒေါက်တာ Xiao ၏ လမ်းညွှန်မှုဖြင့် ပြီးမြောက်သည်)

နောက်ထပ် နည်းပညာဆိုင်ရာ ဆွေးနွေးမှု သို့မဟုတ် နမူနာ အကဲဖြတ်ခြင်းအတွက်၊ တရားဝင် ဝဘ်ဆိုက်မှတဆင့် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။