အဓိက နိဂုံး-မှန်ကန်သော CVD SiC၊ TaC အပေါ်ယံပိုင်း သို့မဟုတ် Solid SiC ကိုရွေးချယ်ခြင်းသည် epitaxy/etching လိုင်းများတွင် အမှုန်အဆင့်များနှင့် အစိတ်အပိုင်းများ၏သက်တမ်းကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်သည်။ ဤဆောင်းပါးသည် သင့်အား လျင်မြန်သောဆုံးဖြတ်ချက်များချနိုင်စေရန်နှင့် အန္တရာယ်ကိုလျှော့ချနိုင်စေရန်အတွက် အဓိကစက်ပစ္စည်းအစားထိုးဖြေရှင်းချက်များနှင့် အဓိကတိုင်းတာမှုများနှင့်ကိုက်ညီသော အပူချိန်၊ လေထုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်အလိုက် ပြတ်သားသောရွေးချယ်မှုနယ်နိမိတ်များကို ဖော်ပြပေးထားပါသည်။

GaN MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်များတွင်၊ ဂရပ်ဖိုက်အခြေခံ SiC-coated susceptors များသည် ပုံမှန်အားဖြင့် NH₃/H₂ လေထုအောက် 1100°C တွင် နာရီရာပေါင်းများစွာ တည်ငြိမ်စွာလည်ပတ်နိုင်သည်။ သို့ရာတွင်၊ အပူစက်ကွင်းများ တူညီမှုမရှိခြင်းကြောင့် အစွန်းနှင့် အလယ်ဗဟိုဒေသများကြား အလွှာ၏သက်တမ်း ကွာခြားချက် 50% ကျော်လွန်နိုင်သည်။ SiC PVT ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင်၊ အပူချိန် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ထက်ကျော်လွန်သောအခါ၊ SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် TaC အပေါ်ယံပိုင်း သို့မဟုတ် Solid SiC ဖြေရှင်းချက်များသို့ ပြောင်းရန် လိုအပ်ပြီး SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် သိမ်မွေ့လာပြီး ပြိုကွဲသွားပါသည်။ မှားယွင်းသောအစိတ်အပိုင်းပစ္စည်းကိုရွေးချယ်ခြင်း၏အကျိုးဆက်များ — အကောင်းဆုံးမှာ၊ 2-3 လတစ်ကြိမ် စားသုံးနိုင်သောပစ္စည်းများကို အစားထိုးပါ။ အဆိုးဆုံးမှာ အမှုန်အမွှားများ ညစ်ညမ်းမှုကြောင့် မီးဖိုတစ်ခုလုံး၏ အပိုင်းအစများ။ ဤဆောင်းပါးကို VeTek Semiconductor နည်းပညာအဖွဲ့ (ဒေါက်တာ Xiao ၏ လမ်းညွှန်မှုအောက်တွင်) မှ ရေးသားထားခြင်းဖြစ်ပြီး epitaxy/etching/PVT အင်ဂျင်နီယာများအတွက် "စက်ပစ္စည်းမော်ဒယ် → လုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများ → အစိတ်အပိုင်းရွေးချယ်ခြင်း → တစ်သက်တာမျှော်လင့်ချက်" ကို epitaxy/etching/PVT အင်ဂျင်နီယာများအတွက် ပစ္စည်းများအမြန်ကိုက်ညီမှု၊ ထိန်းချုပ်မှုအမှုန်အမွှားများနှင့် ပေးသွင်းသူများကို အကဲဖြတ်ရန် ကူညီပေးပါသည်။

1. လုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများအပေါ်အခြေခံ၍ SiC အပေါ်ယံပိုင်း၊ TaC အပေါ်ယံပိုင်း သို့မဟုတ် အစိုင်အခဲ SiC ကို မည်သို့ရွေးချယ်ရမည်နည်း။

အဓိက နိဂုံး-“အပူချိန် → လေထု → လုပ်ငန်းစဉ် အမျိုးအစား” ၏ အတိုင်းအတာသုံးရပ်ကို ဆုံးဖြတ်ပါ- ≤1600°C တွင် CVD SiC ကို ဦးစားပေးပါ။ >2000°C သို့မဟုတ် ပြင်းထန်စွာ တိုက်စားနိုင်သော လေထုအတွက် TaC ကို ရွေးချယ်ပါ။ ထွင်းထုခြင်းနှင့် အလွန်မြင့်မားသော သန့်ရှင်းမှုအခြေအနေများအတွက် Solid SiC ကို ဦးစားပေးပါ။

အမှန်တကယ် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းရွေးချယ်မှုများ ပြုလုပ်သည့်အခါ အင်ဂျင်နီယာအများစုသည် "ကျွန်ုပ်၏ Aixtron/Veeco စက်ပစ္စည်းများအတွက် GaN သို့မဟုတ် SiC epitaxy အသုံးပြုခြင်းအတွက်၊ မည်သည့်အပူချိန်နှင့် မည်သည့်လေထုအောက်တွင်၊ မည်သည့် coating ကို အသုံးပြုရမည်နည်း။" အဖြေသည် မရှုပ်ထွေးသော်လည်း ရှုထောင့်သုံးရပ်ကို အတူတကွ ချိတ်ဆက်ထားရန် လိုအပ်သည်။

Temperature Window သည် ပထမအဆင့်ဖြစ်သည်။

CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 2000-2100°C အောက်တွင် တည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ ခိုင်မာမှုကို ဆက်လက်ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်။ ဤအကွာအဝေးကိုကျော်လွန်၍ ကွဲလွဲမှုမရှိသော အငွေ့ပျံခြင်း (ဦးစားပေး ဆီလီကွန် volatilization) ဖြစ်ပေါ်ပြီး မျက်နှာပြင် ကြမ်းတမ်းလာပြီး အမှုန်များ တိုးပွားလာစေသည်။ TaC အပေါ်ယံပိုင်း အရည်ပျော်မှတ်သည် 3880°C အထိမြင့်မားပြီး PVT ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုပတ်ဝန်းကျင်တွင်ပင် 2400°C ထက်အလွန်နိမ့်သော အငွေ့ဖိအားကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်။ Solid SiC တွင် coating-substrate interface ပြဿနာများမရှိသည့်အပြင် ထပ်ခါတလဲလဲ အပူရှော့ခ်ကြောင့် အခန်းအစိတ်အပိုင်းများကို ထွင်းထုခြင်းအတွက် သင့်လျော်သည်။

လေထုနှင့် သံချေးတက်ခြင်းကို ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုကို သတ်မှတ်သည်။

NH₃၊ H₂ သို့မဟုတ် ကလိုရင်းအခြေခံဓာတ်ငွေ့များပါရှိသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် SiC အပေါ်ယံပိုင်း ကောင်းမွန်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်သော်လည်း အပူချိန်မြင့် ဟိုက်ဒရိုဂျင်၏ SiC ၏ ချေးနှုန်းသည် TaC ထက် သိသိသာသာ မြင့်မားသည်။ အပူချိန်မြင့်သော အမိုးနီးယားတွင် TaC ၏ ချေးနှုန်းသည် SiC ၏ 1/6 ခန့်ရှိပြီး ဟိုက်ဒရိုဂျင်တွင် 1/10 အထိပင် ဖြစ်နိုင်ကြောင်း စမ်းသပ်မှုဒေတာက ပြသသည်။ ထို့ကြောင့်၊ SiC epitaxy သို့မဟုတ် GaN MOCVD အတွက် စံအခြေအနေများသည် SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို အများစု အသုံးပြုကြပြီး၊ သံချေးတက်ခြင်း သို့မဟုတ် အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန်အခြေအနေများသည် TaC သို့ ပြောင်းရပါမည်။

လုပ်ငန်းစဉ် Type နှင့် Component Function Matching

• GaN MOCVD / Si epitaxy- သန့်ရှင်းသောဂရပ်ဖိုက်ကို ဦးစားပေးသည် + CVD SiC coated susceptor၊ ကြိုတင်အပူပေးသည့်လက်စွပ်

• SiC PVT ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု- ဂရပ်ဖိုက်ပူဇုန်အစိတ်အပိုင်းများအတွက် TaC အပေါ်ယံပိုင်းကို ပြင်းပြင်းထန်ထန် အကြံပြုထားသည်။

• Plasma etching (Focus Ring, etc.)- အမှုန်အမွှားလိုအပ်ချက်များနှင့် ကုန်ကျစရိတ်ပေါ်မူတည်၍ Solid SiC သို့မဟုတ် SiC-coated graphite နှစ်မျိုးလုံး ဖြစ်နိုင်သည်။

• အမှုန်အမွှားများအတွက် အလွန်အရေးကြီးသော အမှုန်အမွှားများကို ချမ်ဘာရေးဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများ- အပေါ်ယံမျက်နှာပြင်မပါဘဲ Solid SiC ကို ဦးစားပေးပါ။

ပုံ 1 – VeTek ပင်မထုတ်ကုန်ပြပွဲ

2. Aixtron/Veeco Graphite Susceptor Compatibility နှင့် စိတ်ကြိုက် အစားထိုးဖြေရှင်းချက်

အဓိက နိဂုံး-VeTek သည် Aixtron G10၊ Veeco K465i၊ ASM Epsilon စသည်ဖြင့် အဓိကပလက်ဖောင်းများကို လွှမ်းခြုံထားသည့် ဖောက်သည်ပုံများ သို့မဟုတ် မူရင်းအပိုပစ္စည်းများအပေါ် အခြေခံ၍ 1:1 စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ပုံမှန်ထုတ်ကုန်များကို လျင်မြန်စွာ တင်ပို့နိုင်ပါသည်။ စိတ်ကြိုက်အစိတ်အပိုင်းများသည် ပုံမှန်အားဖြင့် ၃-၆ ပတ်ကြာသည်။

အင်ဂျင်နီယာအများစုအတွက် စိုးရိမ်ရသည့်အရာမှာ "ပြုလုပ်နိုင်သည်ရှိမရှိ" မဟုတ်ဘဲ "မူရင်းအစိတ်အပိုင်းများကဲ့သို့ တည်ငြိမ်မှုရှိမရှိ၊ ထိန်းချုပ်နိုင်သော ပို့ဆောင်ချိန်နှင့် ပြည့်စုံသော စစ်ဆေးရေးအစီရင်ခံစာများ ရရှိနိုင်ပါသည်။" VeTek ၏ အဓိကစွမ်းဆောင်နိုင်မှုတစ်ခုမှာ အဓိကစက်ပစ္စည်းအမှတ်တံဆိပ်များနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သော်လည်း ပုံများအတိုင်း စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခြင်းဖြစ်ပါသည်။

Major Equipment Compatibility Quick Reference

အောက်ဖော်ပြပါဇယားကို စက်တွင်းနည်းပညာဆိုင်ရာ ပြန်လည်သုံးသပ်ခြင်း သို့မဟုတ် ဝယ်ယူရေးအကဲဖြတ်ခြင်းအတွက် တိုက်ရိုက်အသုံးပြုနိုင်သည်-

လက်တွေ့ပရောဂျက်များတွင် သုံးစွဲသူများထံမှ မူရင်းအပိုပစ္စည်း သို့မဟုတ် CMM ပုံများကို ကျွန်ုပ်တို့ လက်ခံရရှိလေ့ရှိသည်။ နည်းပညာအဖွဲ့သည် အပူစက်ကွင်းကိုက်ညီမှုနှင့် အတိုင်းအတာခံနိုင်ရည်များကို အတည်ပြုပြီးနောက်၊ အလွှာသန့်ရှင်းမှု၊ အပေါ်ယံအထူနှင့် မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုဆိုင်ရာ အကြံပြုချက်များနှင့် ဖောက်သည်-ကိရိယာစစ်ဆေးခြင်းအတွက် နမူနာများကို ပံ့ပိုးပေးမည်ဖြစ်သည်။

3. CVD SiC အပေါ်ယံအထူတူညီမှုနှင့် အမှုန်ထိန်းချုပ်မှုအတွက် အဓိက မက်ထရစ်များ

အဓိက နိဂုံး-သီအိုရီတန်ဖိုးနှင့် နီးစပ်သော သိပ်သည်းဆသည် ± 5% အတွင်း ထိန်းချုပ်ထားသော အထူနှင့် မျက်နှာပြင် ကြမ်းတမ်းမှုသည် အမှုန့်များကြွေကျခြင်းနှင့် အမှုန်အမွှားများ ညစ်ညမ်းခြင်းတို့ကို နှိမ်နင်းရန် အဓိကအချက်ဖြစ်သည်။ GDMS/ICP-OES မှ ခြေရာခံထားသော အရေးကြီးသောသတ္တုအညစ်အကြေးများဖြင့် သန့်စင်မှုပစ်မှတ်သည် 5 ppm အောက်တွင်ရှိသည်။

အမှုန်အမွှားပြဿနာများသည် epitaxy အင်ဂျင်နီယာတိုင်း၏အိပ်မက်ဆိုးများဖြစ်သည်။ အပေါ်ယံမျက်နှာပြင်တွင် ပါးလွှာသောအစက်အပြောက်များ၊ ချွေးပေါက်များ သို့မဟုတ် သေးငယ်သောအက်ကွဲမှုများရှိနေသည်နှင့်တပြိုင်နက်၊ အမှုန့်များသည် ထပ်ခါတလဲလဲအပူစက်ဘီးစီးခြင်းနှင့် အဆိပ်ဓာတ်ငွေ့များတိုက်ခိုက်ခြင်းအောက်တွင် အမှုန့်များသွန်းသွားမည်ဖြစ်ပြီး wafer ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆကို တိုက်ရိုက်မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

အထူနှင့် တူညီမှု

ပုံမှန် CVD SiC အပေါ်ယံအထူသည် 100-200 μm ဖြစ်သည်။ လုပ်ငန်းစဉ်ဘောင်နှင့် စီးဆင်းမှုအကွက်ထိန်းချုပ်မှုမှတစ်ဆင့်၊ VeTek သည် အထူတူညီမှုကို ±5% အတွင်း တည်ငြိမ်စေသည်။ အပူလှိုင်း လည်ပတ်မှု 1000 ကျော်ပြီးနောက် (အခန်းအပူချိန် ↔ 1100 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်)၊ အပေါ်ယံပိုင်းသည် ရောင်ရမ်းမှုမပြဘဲ အမှုန်ချွတ်ယွင်းချက်များ ≤0.1/cm² ၏ တင်းကြပ်သော GaN MOCVD လိုအပ်ချက်ကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။

သန့်ရှင်းမှုနှင့် စစ်ဆေးရေး

အပေါ်ယံပိုင်းနှင့် အစိတ်အပိုင်းများ၏ အလုံးစုံသန့်စင်မှုသည် 5 ppm ထက်နိမ့်နိုင်ပြီး အချို့သောထုတ်ကုန်များသည် 99.99995% အထိရှိသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် Fe နှင့် Ni ကဲ့သို့သော အရေးပါသော အညစ်အကြေးများကို ထိန်းချုပ်နိုင်သော အဆင့်တွင် ရှိနေကြောင်း သေချာစေရန်၊ epitaxial layer doping သို့မဟုတ် carrier concentration ကို အနှောင့်အယှက်မဖြစ်အောင် ICP-OES နှင့် GDMS ကို အသုံးပြုပါသည်။

သိပ်သည်းဆနှင့် မျက်နှာပြင်အခြေအနေ

CVD လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော β-SiC polycrystalline အလွှာသည် သီအိုရီတန်ဖိုး (ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 3.21 g/cm³) နှင့် အလွန်နီးကပ်သော သိပ်သည်းဆရှိပြီး ချွေးပေါက်များရှိသည်။ မျက်နှာပြင် ကြမ်းတမ်းမှု (Ra) ကို ဖောက်သည် လုပ်ငန်းစဉ် လိုအပ်ချက် အရ ချိန်ညှိနိုင်ပြီး အမှုန်အမွှား ထုတ်လုပ်မှု ရင်းမြစ် ဖြစ်လာခြင်းမှ ကင်းဝေးစေပြီး လုံလောက်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အပြန်အလှန် ချိတ်ဆက်မှုကို သေချာစေသည်။

ပုံ 2 – CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းအတွက် GDMS စစ်ဆေးရေးအစီရင်ခံစာ

4. Case Study- Coating Yield ကို 50% မှ 90% ထိ တိုးတက်စေရန် အနားသတ်အဝါရောင်ကို ဖြေရှင်းခြင်း

အဓိက နိဂုံး-အသေးစားစိတ်ဖိစီးမှုကို ဖယ်ရှားရန် ကနဦး စုဆောင်းမှုနှုန်းနှင့် စီးဆင်းမှုနယ်ပယ်ကို တိကျစွာ ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့်၊ VeTek သည် သုံးစွဲသူ၏ MOCVD ဂရပ်ဖိုက်ခံနိုင်ရည်အား 50% မှ 90% ခန့်အထိ မြှင့်တင်ပေးပြီး ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သိသိသာသာ တိုးမြှင့်ပေးပါသည်။

ဒါက ထုတ်လုပ်ရေးလိုင်းမှာ ဖြစ်ပျက်ခဲ့တဲ့ တကယ့်အဖြစ်အပျက်ပါ။ ဖောက်သည်သည် အစွန်းများအဝါရောင်နှင့် ဂရပ်ဖိုက်ခံနိုင်ရည်အချို့တွင် အခွံခွာရန် သဘောထားကို အစီရင်ခံတင်ပြရာ၊ အသုတ်၏အပေါ်ယံပိုင်းတစ်ခုလုံး၏အထွက်နှုန်းသည် 50% ဝန်းကျင်ကြာမြင့်ကာ လိုင်းပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုကုန်ကျစရိတ်နှင့် wafer အန္တရာယ်တို့နှင့်အတူ၊

ဒေါက်တာ Xiao ဦးဆောင်သော နည်းပညာအဖွဲ့မှ ကြားဝင်ဆောင်ရွက်ပေးပြီးနောက်၊ လမ်းညွှန်ချက်နှစ်ခုကို အာရုံစိုက်ခဲ့သည်- ပထမ၊ ကနဦးအဆင့်တွင် အပ်နှံမှုနှုန်းသည် မြန်ဆန်လွန်းသဖြင့် အပေါ်ယံ၌ အတွင်းစိတ်ဖိစီးမှု စုစည်းမှုကို ဖြစ်စေသည်။ ဒုတိယ၊ အစွန်းနှင့်ဗဟိုဒေသများအကြား စီးဆင်းမှုနယ်ပယ်ခြားနားမှုသည် ဒေသအထူအပါး သို့မဟုတ် အထူအောက်သို့ ဦးတည်စေသည်။ MTS/H₂ အချိုးကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်၊ သိုလှောင်မှုအပူချိန် ပရိုဖိုင်နှင့် မီးဖိုချောင်အကွက်ဒီဇိုင်းကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် micro-stress ကို ထိထိရောက်ရောက် ထုတ်ပေးခဲ့သည်။ အဆုံးစွန်အားဖြင့်၊ အဆိုပါအသုတ်နှင့်နောက်ဆက်တွဲထုတ်လုပ်မှု၏အပေါ်ယံပိုင်းအထွက်နှုန်းသည် 90% ထက် တည်ငြိမ်ခဲ့ပြီး ဖောက်သည်၏အစားထိုးစက်ဝန်းကို ရှင်းရှင်းလင်းလင်း တိုးချဲ့ခဲ့ပြီး အမှုန်အမွှားတိုင်ကြားမှုများ သိသိသာသာကျဆင်းသွားခဲ့သည်။

ဤဖြစ်ရပ်က သရုပ်ပြသည်- “ကုတ်အင်္ကျီဝတ်နိုင်သည်” သည် အစမှတ်သာ; “အလွှာကို တည်ငြိမ်စွာ၊ ကြာရှည်ခံပြီး အမှုန်အမွှားများကို ထိန်းချုပ်ခြင်း” သည် အင်ဂျင်နီယာများ အလေးထားသော စစ်မှန်သောတန်ဖိုးဖြစ်သည်။ ဒေတာသည် မည်သည့် ပရိုမိုးရှင်းများထက်မဆို ပိုကျယ်သည်။

ပုံ 3 - တစ်ပုံစံတည်း မျက်နှာပြင်အရောင်နှင့် အပြစ်အနာအဆာမရှိသော သန့်စင်မြင့်မားသော CVD Silicon Carbide ဖြင့် Graphite Susceptor

5. Solid SiC နှင့် Coated Graphite အစိတ်အပိုင်းများနှင့် သက်ဆိုင်သည့် အနေအထားများကြား ကွာခြားချက်များ

အဓိက နိဂုံး-Coated graphite အစိတ်အပိုင်းများသည် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာပြီး အပူတုံ့ပြန်မှု ပိုမြန်သည်၊၊ epitaxy susceptors အများစုအတွက် သင့်လျော်သည်။ Solid SiC သည် အင်တာဖေ့စ်အန္တရာယ်နှင့် ပိုအားကောင်းသော ပလာစမာခံနိုင်ရည်မရှိပါ၊ လိုအပ်ချက်မြင့်မားသော etching အစိတ်အပိုင်းများနှင့် အလွန်ရှည်လျားသော တစ်သက်တာအခြေအနေများအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

ရွေးချယ်မှုအစည်းအဝေးများစွာဖြင့် ရုန်းကန်နေရသည်- ကျွန်ုပ်တို့သည် coated graphite ကိုသုံးသင့်သလား သို့မဟုတ် Solid SiC သို့ တိုက်ရိုက်သွားသင့်ပါသလား။ ၎င်းတို့နှစ်ခုသည် “ဘယ်ဟာပိုကောင်းလဲ” ဟူသော အကြောင်းမဟုတ်သော်လည်း လျှောက်လွှာတင်သည့်အခြေအနေနှင့် စုစုပေါင်းပိုင်ဆိုင်မှုကုန်ကျစရိတ် (TCO) အကြား အပေးအယူတစ်ခုဖြစ်သည်။

coated graphite အစိတ်အပိုင်းများ၏ အားသာချက်များမြင့်မားသောအလွှာအပူစီးကူးမှု၊ လျင်မြန်စွာအပူပေးခြင်း၊ ထိန်းချုပ်နိုင်သောကုန်ကျစရိတ်။ အလွှာသည် ဓာတုအတားအဆီးနှင့် အမှုန်အမွှားများကို နှိမ်နင်းပေးသည်။ မြင့်မားသော အပူတူညီမှုလိုအပ်သော အရွယ်အစားကြီးမားသော GaN/SiC epitaxy susceptors များအတွက် သင့်လျော်သည်။

အခဲ SiC ၏ အားသာချက်များcoating-substrate interface မရှိသော monolithic β-SiC၊ သန့်စင်မှုသည် 5N-7N သို့ရောက်ရှိနိုင်ပြီး၊ ပလာစမာတိုက်စားမှုကို ထူးထူးခြားခြားခံနိုင်ရည်ရှိပြီး၊ focus rings နှင့် showerheads ကဲ့သို့သော အရေးပါသော etching အစိတ်အပိုင်းများအတွက် သင့်လျော်ပြီး သက်တမ်း 2000+ နာရီအထိဖြစ်သည်။

6. အစိတ်အပိုင်း အပြည့်အစုံ ၊ Lifecycle Management နှင့် Cleaning & Regeneration ၏ တန်ဖိုး

အဓိက နိဂုံး-တပ်ဆင်မှုစောင့်ကြည့်ခြင်းနှင့် ကွဲလွဲနေသောသတိပေးချက်မှ ပရော်ဖက်ရှင်နယ်သန့်ရှင်းရေးနှင့် ပြန်လည်ထုတ်လုပ်ခြင်းအထိ၊ အပိတ်ကွင်းပိတ်စီမံခန့်ခွဲမှုပုံစံသည် TCO ကိုသိသိသာသာလျှော့ချနိုင်ပြီး အစိတ်အပိုင်းအသစ်ဝယ်ယူမှုအကြိမ်ရေကို လျှော့ချနိုင်သည်။ VeTek သည် Aixtron/Veeco နှင့် အခြားစက်ပစ္စည်းများအတွက် အထူးသီးသန့် သန့်ရှင်းရေးဝန်ဆောင်မှုများကို ဆောင်ရွက်ပေးပါသည်။

စက်ရုံများစွာသည် ဖုံးအုပ်ထားသော အစိတ်အပိုင်းများကို "အသုံးပြုခြင်းနှင့် စွန့်ပစ်ခြင်း" စားသုံးကုန်များအဖြစ် သတ်မှတ်သည်။ လက်တွေ့တွင်၊ ပရော်ဖက်ရှင်နယ် သန့်ရှင်းရေးနှင့် ပြန်လည်ထုတ်လုပ်ပြီးနောက်၊ အစိတ်အပိုင်းများ၏ အစိတ်အပိုင်းအများအပြားကို အမှုန်အမွှားအဆင့်များနှင့် အစိတ်အပိုင်းအသစ်များအနီးရှိ အပူပေးစွမ်းဆောင်မှုအဖြစ် Aixtron နှင့် Veeco ပလပ်ဖောင်းများအတွက် ကြိုတင်အပူပေးသည့်ကွင်းများ၊

ရိုးရှင်းသော lifecycle မှတ်တမ်းတစ်ခုကို တည်ထောင်ရန် အကြံပြုထားသည်- တပ်ဆင်ချိန်၊ စုဆောင်းမှုလုပ်ဆောင်ချိန်နာရီ၊ သန့်ရှင်းရေးတစ်ခုစီပြီးနောက် မျက်နှာပြင်အခြေအနေနှင့် အမှုန်အမွှားစမ်းသပ်မှုရလဒ်များ။ အပေါ်ယံပိုင်းသည် ထင်ရှားသော အဝါရောင်၊ အမှုန်အမွှားများ သို့မဟုတ် အဆက်မပြတ်ရှိနေသော အမှုန်အမွှားများကို ခံစားချက်ပေါ်အခြေခံ၍ အချိန်မတိုင်မီ ဖယ်ထုတ်မည့်အစား အစားထိုးဆုံးဖြတ်ချက်ကို အစပျိုးသင့်သည်မှသာလျှင် အပေါ်ယံပိုင်းသည် ထင်ရှားသောအဝါရောင်၊

ပုံ 4 – CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်း Graphite အစိတ်အပိုင်းများ သန့်ရှင်းရေးဝန်ဆောင်မှု

7. ပေးသွင်းသူ အကဲဖြတ်ခြင်း အမှတ်များနှင့် VeTek ဝန်ဆောင်မှု စွမ်းဆောင်ရည်များ

အဓိက နိဂုံး-ISO9001 စနစ်၊ ပြီးပြည့်စုံသော စစ်ဆေးရေးအစီရင်ခံစာများ (GDMS/ICP-OES)၊ နမူနာပံ့ပိုးမှု၊ အချိန်ကြာကြာ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် အင်္ဂလိပ်နည်းပညာဆိုင်ရာ ဆက်သွယ်မှုစွမ်းရည်တို့ကို အာရုံစိုက်ပါ။ VeTek တွင် 24/7 ပံ့ပိုးမှုနှင့် နိုင်ငံရပ်ခြား ဖောက်သည်ဝန်ဆောင်မှု အတွေ့အကြုံ ရှိသည်။

နိုင်ငံတကာ ဖောက်သည်များ သို့မဟုတ် တင်းကျပ်သော ပေးသွင်းသူ အရည်အချင်းသတ်မှတ်ချက်များရှိသော စက်ရုံများအတွက်၊ အောက်ပါအချက်များသည် အထူးအရေးကြီးသည်-

• အရည်အသွေးစနစ်- ISO9001၊ လုပ်ငန်းစဉ်ကို ထိန်းချုပ်ပြီး ခြေရာခံနိုင်သော။

• စစ်ဆေးခြင်းစွမ်းရည်- အပေါ်ယံပိုင်းနှင့် အလွှာအတွက် ပြီးပြည့်စုံသော ပစ္စည်းခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုအစီရင်ခံစာများကို ပေးဆောင်ပါ။

• နမူနာများနှင့် ပို့ဆောင်ချိန်- နမူနာအကဲဖြတ်ခြင်းကို ပံ့ပိုးပါ။ စံထုတ်ကုန်များ လျင်မြန်စွာ တင်ပို့နိုင်ပြီး ပုံမှန်အားဖြင့် 3-6 ပတ်အတွင်း စိတ်ကြိုက်အစိတ်အပိုင်းများ ညှိနှိုင်းမှုအပေါ်တွင် အရေးပေါ်အမိန့်စာများကို အမြန်ဆောင်ရွက်ပေးနိုင်သည်။

• နည်းပညာပိုင်းဆိုင်ရာ ဆက်သွယ်မှု- အရောင်းနှင့် အင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့ နှစ်ခုစလုံးသည် အင်္ဂလိပ်လို ကျွမ်းကျွမ်းကျင်ကျင် ဆက်သွယ်နိုင်ပြီး ပြည်ပမှ သုံးစွဲသူများအတွက် ဆက်သွယ်ရေးကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချနိုင်သည်။

• အရောင်းအပြီး တုံ့ပြန်မှု- အပေါ်ယံပိုင်း သို့မဟုတ် အစိတ်အပိုင်းများ ကွဲလွဲချက်များကို ပြသသည့်အခါ နည်းပညာဆိုင်ရာ ပံ့ပိုးကူညီမှုနှင့် ချို့ယွင်းမှု ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု အကူအညီ ပေးပါ။

ပုံ 5 – VeTek ထုတ်ကုန်မှာယူမှု လုပ်ငန်းစဉ် အပြည့်အစုံ

8. FAQ

(၁)။ ထုတ်ကုန်သည် ပုံများကိုအခြေခံ၍ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှုကို အပြည့်အဝပံ့ပိုးပေးပါသလား။ မည်သည့်အဓိကကိရိယာနှင့် ကိုက်ညီနိုင်သနည်း။

ဟုတ်ကဲ့။ susceptor၊ preheat ring၊ diversion ring၊ halfmoon၊ focus ring စသည်ဖြင့် Aixtron G10၊ Veeco၊ ASM၊ AMEC၊ TEL စသည့် ပလပ်ဖောင်းများနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

(၂)။ သန့်ရှင်းမှုကို ဘယ်လိုအာမခံလဲ။ သတ္တုအညစ်အကြေးများကို မည်သည့်အဆင့်တွင် ထိန်းချုပ်နိုင်သနည်း။

အပေါ်ယံပိုင်းနှင့် အစိတ်အပိုင်း သန့်စင်မှုသည် 5 ppm ထက် နိမ့်နိုင်ပြီး အချို့မှာ 99.99995% အထိ ရှိနိုင်သည်။ ICP-OES၊ GDMS နှင့် အခြားပစ္စည်းများကို သဲလွန်စခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာရန်အတွက် အသုံးပြုပြီး အစီရင်ခံစာအပြည့်အစုံကို ပေးထားသည်။

(၃)။ CVD SiC/TaC coatings များ၏ အထူတူညီမှုနှင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းတို့ကော။

အထူတူညီမှုကို ပုံမှန်အားဖြင့် ±5% အထူ 100-200 μm အတွင်း ထိန်းချုပ်ထားသည်။ သင့်လျော်သော လုပ်ငန်းစဉ်ပြတင်းပေါက်များအောက်တွင်၊ GaN MOCVD susceptor ၏သက်တမ်းသည် 500-1000 နာရီအကွာအဝေးသို့ရောက်ရှိနိုင်သည်။ အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန်အခြေအနေများသည် TaC သို့မဟုတ် Solid SiC သို့ပြောင်းရန် လိုအပ်သည်။

(၄)။ နမူနာစမ်းသပ်မှုကို ထောက်ခံပါသလား။ အစုလိုက်အမှာစာအတွက် ပုံမှန်အချိန်က ဘယ်လောက်လဲ။

နမူနာအကဲဖြတ်မှုကို ပံ့ပိုးထားသည်။ စံချိန်မီထုတ်ကုန်များလျင်မြန်စွာတင်ပို့နိုင်သည်; ဒီဇိုင်းရှုပ်ထွေးမှုနှင့် ထုထည်ပေါ်မူတည်၍ စိတ်ကြိုက်အစိတ်အပိုင်းများသည် 3-6 ပတ်ကြာတတ်သည်။ ညှိနှိုင်းပြီးပါက အရေးပေါ်အမိန့်စာများကို အမြန်ဆောင်ရွက်နိုင်မည်ဖြစ်သည်။

(၅)။ မည်သည့်အရည်အသွေးစနစ် အသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်များ ရနိုင်သနည်း။ စစ်ဆေးရေးအစီရင်ခံစာများနှင့် အရောင်းအပြီး ပံ့ပိုးကူညီမှုတို့ကို ပေးနိုင်ပါသလား။

ISO9001 အရည်အသွေးစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်သည် နေရာယူထားသည်။ ပစ္စည်းနှင့် အပေါ်ယံပိုင်းခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုအစီရင်ခံစာများကို 24/7 အွန်လိုင်းနည်းပညာပံ့ပိုးမှုနှင့်အတူ ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။ နိုင်ငံရပ်ခြား ဖောက်သည်များအတွက် အင်္ဂလိပ်စကားပြောဆိုမှုသည် ချောမွေ့သည်။

9. အကျဉ်းချုပ်နှင့် နောက်အဆင့်များ

ရွေးချယ်မှုသည် "စျေးအကြီးဆုံးကိုရွေးချယ်ခြင်း" သို့မဟုတ် "အထူဆုံးကိုရွေးချယ်ခြင်း" နှင့်ပတ်သက်ပြီး "သင်၏စက်ပစ္စည်းများ၊ လုပ်ငန်းစဉ်ပြတင်းပေါက်နှင့်အမှုန်ဘတ်ဂျက်အောက်ရှိအကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ကုန်ကျစရိတ်မျှတမှုရှိသောဖြေရှင်းချက်ကိုရှာဖွေခြင်း" နှင့်ပတ်သက်သည်။ ဤလက်စွဲစာအုပ်သည် သင့်အား ဆုံးဖြတ်ချက်မူဘောင်တစ်ခုကို လျင်မြန်စွာချမှတ်နိုင်စေရန် ကူညီပေးမည်ဟု မျှော်လင့်ပါသည်- အပူချိန်နှင့် လေထုကို ဦးစွာကြည့်ကာ၊ ထို့နောက် အပေါ်ယံပိုင်း သို့မဟုတ် Solid SiC နှင့် ကိုက်ညီပြီး နောက်ဆုံးတွင် ဒေတာဖြင့် တစ်သက်တာနှင့် အမှုန်အမွှားစွမ်းဆောင်ရည်ကို မှန်ကန်စေသည်။

အကယ်၍ သင်သည် Aixtron၊ Veeco သို့မဟုတ် အခြားပလပ်ဖောင်းများရှိ စုပ်ယူကိရိယာများ၊ အပူပေးကွင်းများ သို့မဟုတ် အပူဇုန်အစိတ်အပိုင်းများအတွက် အစားထိုးဖြေရှင်းချက်များအား အကဲဖြတ်နေပါက၊ သင်သည် VeTek နည်းပညာအဖွဲ့ကို တိုက်ရိုက်ဆက်သွယ်ရန် ကြိုဆိုပါသည်။ သင့်ပုံများ သို့မဟုတ် ရှိပြီးသား အပိုပစ္စည်းများအပေါ်အခြေခံ၍ ကျွန်ုပ်တို့သည် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ရန် အကြံပြုချက်များ၊ နမူနာပံ့ပိုးမှုနှင့် ပြည့်စုံသော စစ်ဆေးရေးအစီရင်ခံစာများကို ပေးနိုင်ပါသည်။ Dr. Xiao နှင့် အင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့သည် သင်နှင့် အချိန်မရွေး အပူစက်ကွင်း ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း သို့မဟုတ် အထူးဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်မှုဆိုင်ရာ လိုအပ်ချက်များကို ဆွေးနွေးရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေပါပြီ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်နှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ အချက်အလက်များအတွက် ကျေးဇူးပြု၍ကြှနျုပျတို့ကိုဆကျသှယျရနျ.

ပင်မအကိုးအကားများနှင့် ဒေတာအရင်းအမြစ်များ

1. VeTek Semiconductor အတွင်းပိုင်း အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ အချက်အလက် — SiC-coated graphite susceptor ၏ သက်တမ်းသည် GaN MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်အောက်တွင် နာရီ 500-1000၊ အပေါ်ယံအထွက်နှုန်း 50% မှ 90% အထိ တိုးတက်ကောင်းမွန်လာပြီး အခြားလက်တွေ့ဖြစ်ရပ်များ [1]။

2. T/CASME 2000-2025 နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ဖုံးအုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်ခံပစ္စည်းများအတွက် - တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း Epitaxy အတွက် SiC-coated ဂရပ်ဖိုက်ခံသူများအတွက် CVD လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော သန့်စင်မှုမြင့်မားသော isostatic graphite အလွှာအတွက်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း epitaxy ထုတ်ကုန်များအတွက် နည်းပညာဆိုင်ရာလိုအပ်ချက်များကို သတ်မှတ်ပေးပါသည်။

3. T/CASME 2085-2025 Silicon Carbide Crystal Growth အတွက် Tantalum Carbide Coated Products အတွက် နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက် — SiC crystal ကြီးထွားမှု အခြေအနေများတွင် TaC-coated graphite ထုတ်ကုန်များအတွက် နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်။

4. Nakamura et al.၊ "ဂရပ်ဖိုက်အလွှာများပေါ်ရှိ တန်တလမ်ကာဗိုက်ကို ရောနှောထားသော အလွှာများ- အမြောက်အများ နှင့် epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် အလွန်ယုံကြည်စိတ်ချရသော အကာအကွယ်အလွှာများ၊" အသုံးချ ရူပဗေဒစာများ အတွဲ၊ 106၊ 082108၊ 2015။ — TaC coatings များသည် မြင့်မားသောအပူချိန် (>2000°C) အောက်တွင် နှင့် SiC အပေါ်ယံပိုင်းဖြင့် ရှင်းလင်းသော စွမ်းဆောင်ရည်နယ်နိမိတ်ကို ဖန်တီးပေးနိုင်ကြောင်း အတည်ပြုပါသည်။

5. Wang et al., "Si on SiC ကြီးထွားမှုအပေါ် ကာဗွန်ဒိုင်းရှင်းကြားခံအလွှာ၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုများ၊" Journal of Crystal Growth, Vol. 199၊ pp. 564–567၊ 1999။ — Scopus နှင့် Web of Science မှ အညွှန်းပြုထားသော SiC CVD ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ကြားခံအလွှာအကျိုးသက်ရောက်မှုနှင့် မျက်နှာပြင်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာထိန်းချုပ်မှုတို့ကို ဆွေးနွေးထားသည်။

မှတ်ချက်- စာသားရှိ တစ်သက်တာနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ဒေတာများသည် ပုံမှန်ရည်ညွှန်းတန်ဖိုးများဖြစ်သည်။ တိကျသော လုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများ၊ စက်ပစ္စည်းအခြေအနေနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုအဆင့်တို့ကြောင့် အမှန်တကယ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိခိုက်ပါသည်။ လက်တွေ့တိုင်းတာမှုများဖြင့် ကျေးဇူးပြု၍ စစ်ဆေးပါ။

ရေးသားသူ-VeTek Semiconductor Technical Engineering Team (ဒေါက်တာ Xiao ၏ လမ်းညွှန်မှုဖြင့် ပြီးမြောက်သည်)

နောက်ထပ် နည်းပညာဆိုင်ရာ ဆွေးနွေးမှု သို့မဟုတ် နမူနာ အကဲဖြတ်ခြင်းအတွက်၊ တရားဝင် ဝဘ်ဆိုက်မှတဆင့် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။