SIC တစ်ခုတည်း Crystal ၏ PVT ကြီးထွားမှုအတွက် TAC coated လက်စွပ်

လက်ရှိတွင် Sic Power Devices များပိုမိုများပြားလာသည်။ ထို့ကြောင့်သက်ဆိုင်ရာ Semiconductor စက်ပစ္စည်းသည်ပိုမိုအရေးကြီးသည်, Sic ၏ဂုဏ်သတ္တိများသည်တိုးတက်မှုကိုတိုးတက်စေရမည်။ SIC သည် semiconductor တွင်အလွှာဖြစ်သည်။ SIC ကိရိယာများအတွက်မရှိမဖြစ်စီးနိုင်သောကုန်ကြမ်းအနေဖြင့် SIC Crystal ကိုမည်သို့ထိရောက်စွာထုတ်လုပ်နိုင်မည်နည်း SIC Crystal သည်အရေးကြီးသောအကြောင်းအရာများအနက်မှတစ်ခုဖြစ်သည်။ Pvt (ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး) နည်းဖြင့် Vett (ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး) နည်းလမ်းဖြင့် Vetek Semiconductor ၏ TAC coaced လက်စွပ်သည်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောအခန်းကဏ် play မှပါ 0 င်သည်။ ဂရုတစိုက်ဒီဇိုင်းနှင့်ကုန်ထုတ်လုပ်မှုကိုပြုလုပ်ပြီးနောက် TAC COCED လက်စွပ်သည်သင့်အားအလွန်ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်သင့်အားထောက်ပံ့ပေးပြီးတည်ငြိမ်မှုနှင့်တည်ငြိမ်မှုကိုသေချာစေသည်SIC Crystal ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်။

Tantalum carbide (TAC) သည်မြင့်မားသောအရည်ပျော်မှတ်တိုင်များအထိမြင့်မားသောအရည်ပျော်မှု,

tac coated လက်စွပ်ထုတ်ကုန်အင်္ဂါရပ်များ

(ဈ) အရည်အသွေးမြင့်မားသော TAC အပေါ်ယံလွှာထစ်ပစ္စည်းများနှင့်အတူကပ်ထားသည့်ပစ္စည်း

TAC COCEated SCL Clarstal SCL Clarstal ကိုအလွှာအဖြစ် အသုံးပြု. အရည်အသွေးမြင့် SGL Claptite ပစ္စည်းများကို အသုံးပြု. အရည်အသွေးကောင်းမွန်သောစီးကူးခြင်းနှင့်အလွန်မြင့်မားသောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုရှိသည်။ CVD TAC Coating သည်အလွန်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော CVD TAC (Tantalum carbide) ကိုတစ်ချိန်တည်းတွင်ပင်မ purity tac (Tantalum carbide) ကိုအသုံးပြုထားသည်။ TAC Coating သည်အပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန် (များသောအားဖြင့် 2000 ℃သို့မဟုတ်ထိုထက်ပိုသော) နှင့် pvt method အားဖြင့်အလွန်ကောင်းသောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်။SIC တိုးတက်မှုအစဉ်အဆက်သောလက်စွပ်၏ 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းကိုများစွာတိုးချဲ့ပါ။ ပစ္စည်းကိရိယာပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုကုန်ကျစရိတ်နှင့်အချိန်အတန်ကြာကိုလျှော့ချပါ။

10 μm 300 μm

TAC Coatingမြင့်မားသော Crystallinate နှင့်အလွန်အစွမ်းထက်တဲ့တူညီမှုနှင့်အတူ

(2) တိကျသောသက်တိညွှတ်လုပ်ငန်းစဉ်

Vetek Semiconductor ၏ Advanced CVD နှင့် Coating Processing Technet Technest သည် TAC အပေါ်ယံပိုင်းသည်လက်စွပ်၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်အလှည့်အပြောင်းနှင့်သိပ်သည်းစွာဖုံးလွှမ်းနေသည်ကိုသေချာစေသည်။ SIC Crystals ၏အရည်အသွေးမြင့်ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တွင်အပူချိန်နှင့်လေစီးဆင်းမှုနယ်ပယ်တွင်အပူချိန်အကွက်ပုံစံများကိုပေါင်းစပ်ထားသည့် COURITE အထူကို± 5um တွင်ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။

အထွေထွေဖုံးထားသည့်အထူသည် 35 ± 5um ဖြစ်ပြီးသင်၏လိုအပ်ချက်အရကျွန်ုပ်တို့လည်းစိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်နိုင်သည်။

(iii) အလွန်မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှုနှင့်အပူထိတ်လန့်တော်လှန်ရေး

PVT Method ၏အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင် Tac Sice Systal ၏ PVT Crystal အတွက် TAC couned လက်စွပ်သည်အလွန်ကောင်းမွန်သောတည်ငြိမ်မှုကိုပြသသည်။

H2, NH3, SIH4, SI ကိုခုခံခြင်း

လုပ်ငန်းစဉ်၏ညစ်ညမ်းမှုကိုကာကွယ်တားဆီးဖို့ Ultra- မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်

ပိုမိုမြန်ဆန်သောစစ်ဆင်ရေးသံသရာများအတွက်အပူထိတ်လန့်ဖို့မြင့်မားသောခုခံ

၎င်းသည်ရေရှည်အပူချိန်ကိုပျက်စီးစေခြင်း, SIC Crystals ၏တိုးတက်မှုအတွင်းအပူချိန်မကြာခဏပြောင်းလဲသွားသည်။ Vetek Semiconductor ၏ TAC COC COCSTAL ၏ PVT Crystal ၏ PVT ကြီးထွားမှုအတွက်အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူချိန်မြင့်တက်မှုရှိသည်။ နောက်ထပ်ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုနှင့်ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးတိုးတက်အောင်။

Vetek Semiconductor သည်မတူညီသောဖောက်သည်များကွဲပြားခြားနားသော Pvt Sic Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Concative Towns အတွက်စိတ်ကြိုက်ဝန်ဆောင်မှုများကိုပေးသည်။ ၎င်းသည်လက်စွပ်ခန္ဓာကိုယ်၏အရွယ်အစားသတ်မှတ်ချက်များ, အဘယ်ကြောင့်ဆိုသည့်အထူသို့မဟုတ်အထူးစွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များဖြစ်သည်။ ထုတ်ကုန်သည်သင်၏ပစ္စည်းကိရိယာများနှင့်လုပ်ငန်းစဉ်ကိုအပြည့်အဝဖြေရှင်းနိုင်ရန်သေချာစေရန်သင်၏လိုအပ်ချက်များနှင့်အညီလိုက်နာနိုင်သည်။

TAC Coating ၏ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ

က semiconductortac coated လက်စွပ် ထုတ်လုပ်မှုဆိုင်များ