ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ

Veteksemicon ၏ CVD CICCACE SUCAPOR သည် Semiconductor Epitaxial Exitaxial Pergaxial Processing အတွက် EDMAREDREDRED (ic100ppb, ICP-E10 အသိအမှတ်ပြုခြင်း) နှင့်ဂန်, Sicicon-based Epi-layer များညစ်ညမ်းမှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိရန်အထူးအပူပေးသည့်အဖြေများဖြစ်သည်။ တိကျသော CVD နည်းပညာဖြင့်အင်ဂျင်နီယာ 6 "/ 8" / 12 "Wafers များကိုထောက်ပံ့သည်။ အနည်းဆုံးစိတ်ဖိစီးမှုများကိုသေချာစေသည်။ အပူချိန်အနည်းဆုံးစိတ်ဖိစီးမှုများကိုသေချာစေသည်။

ကျွန်ုပ်တို့၏ SIC coated planetary sortceptor သည် Semiconductor Troachuring ၏အပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်အဓိကအစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ဒီဇိုင်းသည် charmal carbide activate နှင့်အတူ silicon carbide အပေါ်ယံပိုင်းနှင့်အတူ silicon carbide အပေါ်ယံပိုင်းနှင့်ပေါင်းစပ်ပြီးအပူစီမံခန့်ခွဲမှုစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခွန်အားများကိုပြည့်စုံစေရန်ဖြစ်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့၏ SIC COACEADEND SEGAXAXY အတွက် SEGAXEND SICACON CACBIDE (CVD) ကိုပေါင်းစပ်ထားသည့်ဖိုက်စ်ကာဗွန်ကာဗွန် (CVD) တို့နှင့်ဖုံးအုပ်ထားသော sicfite abitional (CVD) တို့နှင့်ပေါင်းစပ်ထားသော sicfite carbide (ဥပမာ, mocvd, MBE) နှင့်ပေါင်းစပ်ထားသော sicfite carbide (sic sicp) အတွက်အခြေခံသည်။

Veteksemicon Single Sicicon Carbide (SIC), ဂယ်လီယမ် Nitride (Ganium Nitride (Gan Sicemride (Gan Semride) နှင့်အခြားတတိယမျိုးဆက် Semigradial Sheet နှင့်အခြားတတိယမျိုးဆက်ဆိုင်ရာအစိတ်အပိုင်းများအတွက်ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသည်။

Wafer လုပ်ကြံလုပ်ခြင်းနှင့်လုပ်ငန်းစဉ်တွင်အသုံးပြုသောအရေးကြီးသောအစိတ်အပိုင်းမှာ Plasma etching focus လက်စွပ်ကို Plasma Silicon, Silicon Carbide, Boron Carbide နှင့်အခြားကြွေထည်များကဲ့သို့သောပစ္စည်းများနှင့်ကွဲပြားခြားနားသောပစ္စည်းပလာစမာစွဲစေသည့် Plasma etching focus ring ကိုပြုလုပ်ရန်ဖြစ်သည်။

Vetek Semiconductor သည်တရုတ်နိုင်ငံတွင် ဦး ဆောင်သောထုတ်လုပ်သူထုတ်လုပ်သူနှင့်ကုန်ပစ္စည်းပေးသွင်းသူဖြစ်သည်။ SIC coated e-chuck သည် Gan Wafer actching လုပ်ငန်းစဉ်အတွက်အထူးစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ရှည်လျားသော 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းကိုအထူးဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ခိုင်မာသောလုပ်ဆောင်မှုစွမ်းရည်သည်သင်လိုချင်သော SIC ကြည်းစ်ကြည်းစတူဖြင့်သင့်အားကူညီရန်အထောက်အကူပြုသည်။ သင့်ရဲ့မေးမြန်းချက်ကိုမျှော်လင့်။