MOCVD SiC Coated Susceptor

နည်းပညာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ

CVD SIC ရုပ်ရှင်အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ

ထုတ်ကုန်အဓိပ္ပါယ်နှင့်ဖွဲ့စည်းမှု

VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor သည် GaN နှင့် SiC ကဲ့သို့သော တတိယမျိုးဆက် semiconductors များ၏ epitaxial processing အတွက် အထူးပြုလုပ်ထားသော ပရီမီယံ wafer သယ်ဆောင်သည့် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤထုတ်ကုန်သည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပစ္စည်းနှစ်ခု၏ သာလွန်ကောင်းမွန်သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို ပေါင်းစပ်ထားသည်-

High-Purity Graphite Substrate: အခြေခံပစ္စည်းသည် ထူးခြားသောဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာသမာဓိ၊ မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆနှင့် အပူပိုင်းလုပ်ဆောင်မှုတည်ငြိမ်မှုတို့ကို ပိုင်ဆိုင်ကြောင်းသေချာစေရန် isostatic pressing နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ထားသည်။

CVD SiC Coating: သိပ်သည်းပြီး ဖိစီးမှုကင်းတဲ့ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အကာအကွယ်အလွှာကို အဆင့်မြင့် ဓာတုအငွေ့ပျံခြင်း (CVD) နည်းပညာဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စိုက်ပျိုးထားသည်။

အဘယ်ကြောင့် VETEK သည် သင်၏အထွက်နှုန်းကို အာမခံသနည်း။

Thermal Uniformity Control တွင် Ultimate Precision: သမားရိုးကျ သယ်ဆောင်သူများနှင့် မတူဘဲ၊ VETEK ခံနိုင်ရည်များသည် အပေါ်ယံအထူနှင့် အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်အား နာနိုမီတာ တိကျစွာ ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် မျက်နှာပြင်တစ်ခုလုံးကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း အပူလွှဲပြောင်းပေးနိုင်သည်။ ဤခေတ်မီသော အပူစီမံခန့်ခွဲမှုသည် wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ လှိုင်းအလျား စံသွေဖည်မှု (STD) ကို ထိထိရောက်ရောက် လျှော့ချပေးကာ single-wafer အရည်အသွေးနှင့် အစုလိုက် လိုက်လျောညီထွေရှိမှုကို သိသိသာသာ မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

Zero Particle Contamination ဖြင့် ရေရှည်ကာကွယ်ခြင်း။: အလွန်အဆိပ်ဓာတ်ငွေ့များပါရှိသော MOCVD တုံ့ပြန်မှုအခန်းများတွင် သာမန်ဂရပ်ဖိုက်ခြေနင်းများသည် အမှုန်အမွှားများ ပေါက်ကွဲလွယ်သည်။ VETEK ၏ CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် ထူးထူးခြားခြား ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အစွမ်းအစများ ပါဝင်ပြီး graphite micropores များကို ဖုံးအုပ်ထားသည့် သည်းမခံနိုင်သော အကာတစ်ခုအဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။ ၎င်းသည် GaN သို့မဟုတ် SiC epitaxial အလွှာများ၏ ညစ်ညမ်းမှုကို ဟန့်တားကာ အလွှာ၏ အညစ်အကြေးများကို လုံး၀ အထီးကျန်မှုကို သေချာစေသည်။

ထူးခြားသော ပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုနှင့် ဝန်ဆောင်မှုဘဝ-VETEK ၏ မူပိုင်မျက်နှာပြင် ကုသခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကြောင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့် အကောင်းဆုံးသော အပူချဲ့မှု ကိုက်ညီမှုကို ရရှိစေသည်။ ပြင်းထန်သောအပူချိန်များကြားတွင် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော အပူစက်ဘီးစီးခြင်းအောက်တွင်ပင်၊ အပေါ်ယံလွှာသည် အခွံခွာခြင်း သို့မဟုတ် မိုက်ခရိုအက်ကြောင်းများ မဖြစ်ထွန်းဘဲ ပိုမိုကောင်းမွန်သော ကပ်ငြိမှုကို ထိန်းသိမ်းပေးပါသည်။ ၎င်းသည် အပိုပစ္စည်းပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုအကြိမ်ရေကို သိသိသာသာလျှော့ချပေးပြီး သင်၏စုစုပေါင်းပိုင်ဆိုင်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချပေးသည်။

ငါတို့အလုပ်ရုံ