8 လက်မ Silicon Carbide တစ်ခုတည်း Crystal Crystal Crystal Crystal Barge Technology အပေါ်အခြေခံသည်

       ဆီလီကွန်ကာလက်သည်မြင့်မားသောအပူချိန်, ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားခြင်း, ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်စေရန်နှင့်ကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချရန်ကြီးမားသော silicon carbide အလွှာများ၏ပြင်ဆင်မှုသည်အရေးကြီးသောဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းဖြစ်သည်။ ၏လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များကိုရည်ရွယ်8 လက်မဆီလီကွန်ကာလက် (SIC) တစ်ခုတည်း Crystal ကြီးထွားမှုဆီလီကွန်ကာဘက်ကာအိတ်၏ကြီးထွားမှုယန္တရား (PVT) နည်းလမ်း၏တိုးတက်မှုယန္တရားကိုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း, အပူပေးစနစ် (TAC လမ်းပြလက်စွပ်, TAC coated crice,tac coated ကွင်းTAC coated plate, TAC သည် Petal လက်စွပ်သုံးပွင့်လက်စွပ်သုံးပွင့်ချပ် COAC COTAL CRICED COTAL CRICED COSTER, POUSES ဖိုက်ဖေး Sic-coated conscal crystal crystal crystal crystal crystal ကြီးထွားမှုနှင့်အခြားSic တစ်ခုတည်း Crystal ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အပိုပစ္စည်းများVetek Sememiconductor မှပေးထားသော), silicon carbide တစ်ခုတည်းသော Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystals မှ စ. CRICESS ROTATE နှင့်လုပ်ငန်းစဉ် parameter ကိုထိန်းချုပ်ခြင်းနည်းပညာများကိုလေ့လာခဲ့သည်။

နိဒါန်း

      Silicon Carbide (SIC) သည်တတိယမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ပုံမှန်ကိုယ်စားလှယ်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည်ကြီးမားသော bandgap အကျယ်, ပိုမိုမြင့်မားသော bandgap အကျယ်, လျှပ်စစ်လယ်ကွင်းနှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောအပူကူးယူခြင်းကဲ့သို့သောစွမ်းဆောင်ရည်အားသာချက်များရှိသည်။ ၎င်းသည်အပူချိန်မြင့်မားခြင်း, မြင့်မားသောဖိအားများနှင့်ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသောလယ်ကွင်းများတွင်ကောင်းမွန်စွာလုပ်ဆောင်သည်။  လက်ရှိတွင်ဆီလီကွန်ကာဘက်မျော crystals ၏စက်မှုလုပ်ငန်းတိုးတက်မှုသည်အဓိကအားဖြင့်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး (PVT) ကိုအသုံးပြုသည်။ ထို့ကြောင့် PPT တိုးတက်မှုနှုန်းစနစ်၏ဒီဇိုင်းသည်ခက်ခဲပြီးလုပ်ငန်းစဉ် parameter သည်တိုင်းတာခြင်းနှင့်ထိန်းချုပ်မှုနှင့်ထိန်းချုပ်မှုCrystal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်ကြီးထွားလာသော silicon carbide carbide carbide carbide crystals နှင့် crystal အရွယ်အစားသေးငယ်တဲ့ကြည်လင်အရွယ်အစားသေးငယ်တဲ့အရွယ်အစားချို့ယွင်းချက်တွေကိုထိန်းချုပ်ဖို့အခက်အခဲတွေကခက်ခဲသည်။

      ဆီလီကွန်ကာလက်ထုတ်လုပ်မှုပစ္စည်းကိရိယာသည်ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာလက်နည်းပညာနှင့်စက်မှုဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက်ဖောင်ဒေးရှင်းဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာလက်ထက်၌ဆီလီကွန် Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Carbide ပစ္စည်းများဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက်နည်းပညာအဆင့်, Silicon Carbide Systal နှင့် Silicon Carbide Singstal တွင် silicon carbide crystal အလွှာအနေဖြင့်အလွှာ၏တန်ဖိုးသည်အကြီးဆုံးအချိုးအစားအတွက် 50% အထိရှိသည်။ Silicon Carbide Singstal Substates ၏အထွက်နှုန်းနှင့်ကြီးထွားမှုနှုန်းကိုတိုးတက်စေရန်ကြီးမားသောအရည်အသွေးမြင့်မားသော Silicon Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carstal Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide Carbide ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်များထောက်ပံ့ရေးတိုးမြှင့်ခြင်းနှင့်ဆီလီကွန်ကာလက်ကိရိယာများ၏ပျမ်းမျှကုန်ကျစရိတ်ကိုထပ်မံလျှော့ချနိုင်ရန်အတွက်ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာဗွန်အလွှာများ၏အရွယ်အစားကိုတိုးချဲ့ခြင်းသည်အရေးကြီးသောနည်းလမ်းများအနက်မှတစ်ခုဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင်အပြည်ပြည်ဆိုင်ရာ Silicon carbide အလွှာအရွယ်အစားမှာ 6 လက်မရှိပြီး 8 လက်မသို့အလျင်အမြန်တိုးတက်လာသည်။

       8 လက်မဆီလီကွန် Carstal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Carstal Crystal Carbide Singstal Faceboure ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက်ဖြေရှင်းရန်လိုအပ်သည့်အဓိကနည်းပညာများတွင် (1) အရွယ်အစားကြီးမားသောအပူချိန် gradient ကိုရရှိရန်နှင့် Longitudinal အပူချိန် gradient ကို 8 လက်မ Silicon carbide crystals များရရှိရန်အတွက်သင့်လျော်သောပိုကြီးသော longitudinal အပူချိန် gradient ။ (2) ကြီးမားသောသေးငယ်သောအစက်အရောအလှည့်နှင့်ကွိုင်သည်ရွေ့လျားမှုယန္တရားကိုရုပ်သိမ်းခြင်းနှင့်အနိမ့်ရွေ့လျားခြင်းနှင့်ကွိုင်သည် 8 လက်မ Crystal ၏ရှေ့နောက်ညီညွတ်မှုနှင့်အထူကိုပိုမိုလွယ်ကူစေရန်အတွက်အတည့်အနေဖြင့်ဆွေမျိုးများနှင့်ဆွေမျိုးများနှင့်ဆွေမျိုးများထံမှဆွေမျိုးများနှင့်ဆွေမျိုးများထံဆွေမျိုးအဖြစ်ပြောင်းလဲစေနိုင်သည်။ (3) အရည်အသွေးမြင့်တစ်ခုတည်း Crystal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်၏လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းပေးသည့်ပြောင်းလဲနေသောအခြေအနေများအောက်တွင်လုပ်ငန်းစဉ်ဆိုင်ရာသတ်မှတ်ချက်များကိုအလိုအလျောက်ထိန်းချုပ်ခြင်း။

1 Pvt Crystal ကြီးထွားမှုယန္တရား

       PVT Method သည် Sic Sichite Crucible ၏အောက်ခြေတွင် Sic Soice Crystals ကိုတပ်ဆင်ခြင်းဖြင့် Sicalon SingStals ကိုပြင်ဆင်ရန်ဖြစ်သည်။ Crucible ကိုရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းအညွှန်းကိန်းသို့မဟုတ်ခုခံခြင်းဖြင့် 2 300 ~ 400 ℃မှအပူကိုအပူပေးပြီး,porous ဖိုက်။ SIC SEAT CRYSTAL မှသယ်ယူပို့ဆောင်ရေးအဓိကပစ္စည်းများကို SIC, SI2C မော်လီကျူးများနှင့် SIC2 တို့ဖြစ်သည်။ မျိုးစေ့ကျောက်စိမ်းရှိအပူချိန်ကိုအောက်ပိုင်း micro-powder တွင်အနည်းငယ်နိမ့်သည်နှင့် axial အပူချိန် gradient ကို Crucible တွင်ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ပုံ 1 မှာပြထားတဲ့အတိုင်းဆီလီကွန်ကာလက်စ်က cylicon cylicon carbide ingot လက်အောက်မှာရှိတဲ့ကွဲပြားခြားနားတဲ့ဓာတ်ငွေ့အဆင့်အစိတ်အပိုင်းများကိုထိမိပြီးပုံရိပ်တွေကိုရောက်အောင်ပို့ဆောင်ပေးပြီးအဲဒါကို cylindrical silicon carbide intot တစ်ခုဖြစ်တဲ့ cylindrical carbide ingot ကိုရောက်စေဖို့အတွက်မြင့်မားတဲ့အပူချိန်ဓာတ်ငွေ့တွေဖြစ်အောင်မြင့်တက်စေတယ်။

PVT တိုးတက်မှု၏အဓိကဓာတုဗေဒဆိုင်ရာတုံ့ပြန်မှုများမှာ -

SIC (S) ⇌ SI (G) + C (s)

2sic ⇌နှင့်₂ဂ (ဆ) + C (s)

2sic ⇌ SIC2 (G) + Si (L, G)

SIC (S) ⇌ SIC (G)

SIC singstals ၏ PVT တိုးတက်မှု၏ဝိသေသလက္ခဏာများမှာ -

1. ဓာတ်ငွေ့ခိုင်လုံသော interfaces နှစ်ခုရှိသည်။ တစ်ခုမှာဓာတ်ငွေ့ -IC အမှုန့်မျက်နှာပြင်ဖြစ်ပြီးအခြားတစ်ခုမှာဓာတ်ငွေ့-crystal interface ဖြစ်သည်။

2) ဓာတ်ငွေ့အဆင့်ကိုပစ္စည်းအမျိုးအစားနှစ်မျိုးဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသည်။ တစ်ခုမှာစနစ်သို့မိတ်ဆက်ပေးသည့် Inert Molecules ဖြစ်သည်။ အခြားတစ်ခုမှာပြိုကွဲခြင်းနှင့်သုတ်သင်ခြင်းများဖြင့်ထုတ်လုပ်သောဓာတ်ငွေ့အဆင့်အစိတ်အပိုင်း Simcn ဖြစ်သည်SIC အမှုန့်။ ဓာတ်ငွေ့အဆင့်အစိတ်အပိုင်းများသည်တစ် ဦး နှင့်တစ် ဦး အပြန်အလှန်ဆက်သွယ်ကြပြီး Crystall လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၏လိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီသော Crystalline Gas Phase Components Simcn သည် Sic Crystal သို့ရောက်ရှိလိမ့်မည်။

3) Solious Silicon Carbide Powder တွင် Solid-Richtrications မှတစ်ဆင့် carbide carbide နှင့် carbide carbide plipphologle များနှင့်အတူအစေ့များဖြစ်ပေါ်လာသောအမှုန်များအမှုအရာများအနက်အစိုင်အခဲတုံ့ပြန်မှုများအကြားအစိုင်အခဲတုံ့ပြန်မှုများပေါ်ပေါက်လာလိမ့်မည်။ ပြိုကွဲခြင်းနှင့် sublimation ။

(4) Crystal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တွင်အဆင့်ဆင့်ပြောင်းလဲမှုများပြုလုပ်နိုင်သည် - တစ်ခုမှာခိုင်မာသောဆီလီကွန်ကာဘက်ကာလက်စ်အမှုန်များသည်သဘာဝဓာတ်ငွေ့အဆင့်အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သော Simcn သည် crystallization မှတစ်ဆင့်အမှုန်များအဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်းဖြစ်သည်။

2 စက်ကိရိယာဒီဇိုင်း 

      ပုံ 2 မှာပြထားတဲ့အတိုင်းဆီလီကွန်ကာလက်စ် Crystal Crystal Crystal Grothing Grothing Cover, Chamber Seading, အပူ, အပူပေးစနစ်, အနိမ့်အဖုံးရုတ်သိမ်းရေးယန္တရား။

2.1 အပူစနစ် 

     ပုံ 3 မှာပြထားတဲ့အတိုင်းအပူပေးစနစ်က induction အပူကိုမွေးစားပြီး induction coil နဲ့ဖွဲ့စည်းထားပါတယ်CRABRISHတစ် ဦး insulator အလွှာ (တင်းကျပ်ခံစားရတယ်, ပျော့ခံစားခဲ့ရ) စသည်တို့ကိုအလတ်စားကြိမ်နှုန်းသည်လက်အောက်ခံအကူးအပြောင်းကွိုင်၏အပြင်ဘက်တွင်လက်ရှိဖြတ်သန်းမှုကိုဖြတ်သန်းသွားသောအခါ, High-Purmefite Crucble Crucble ပစ္စည်းသည်ကောင်းမွန်သော citucizive ကောင်းမွန်သောလုပ်ဆောင်မှုဖြင့်ပြုလုပ်သောကြောင့် Eddy Current ကိုဖွဲ့စည်းထားသော Crucible နံရံပေါ်မှထွက်ပြေးတိမ်းရှောင်နေသည်။ Lorentz အင်အားစုများ၏လုပ်ဆောင်မှုအရသွေးဆောင်ထားသောလက်ရှိအခြေအနေသည်အစွန်အဖျားရှိခဲ့သည့်အပြင်ဘက်နံရံပေါ်ရှိ Crucible (i.E. , အရေပြားအကျိုးသက်ရောက်မှု) ကိုဆုံတွေ့စေပြီး radial ည့်သည်တစ်လျှောက်တဖြည်းဖြည်းအားနည်းသွားလိမ့်မည်။ Eddy Currents တည်ရှိမှုကြောင့်ကြီးထွားမှုစနစ်၏အပူအရင်းအမြစ်ရင်းမြစ်ဖြစ်လာသည့် Eddy Height တွင် Joule အပူကိုထုတ်လုပ်သည်။ Joule Heat ၏အရွယ်အစားနှင့်ဖြန့်ဖြူးခြင်းသည်အပူချိန်ကွက်လပ်ကိုတိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်ခြင်းကိုတိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်ပါ။

     ပုံ 4 မှာပြထားတဲ့အတိုင်း induction coil ဟာအပူစနစ်ရဲ့အဓိကအပိုင်းဖြစ်တယ်။ ၎င်းသည်လွတ်လပ်သောကွိုင်အဆောက်အအုံများကိုချမှတ်ပြီးအထက်နှင့်အောက်ပိုင်းနှင့်အနိမ့်အရွေ့ယန္တရားများကိုအသီးသီးတပ်ဆင်ထားသည်။ လျှပ်စစ်အပူချိန်တစ်ခုလုံး၏လျှပ်စစ်အပူချိန်အများစုကိုကွိုင်ကဘွားပြီးအတင်းအဓမ္မအအေးကိုပြုလုပ်ရမည်။ အဆိုပါကွိုင်သည်ကြေးနီပြွန်နှင့်အတူအနာနှင့်အတွင်းပိုင်းရေဖြင့်အအေးခံသည်။ သွေးဆောင်ထားသောလက်ရှိ၏ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေးမှာ 8 ~ 12 kHz ဖြစ်သည်။ အဆိုပါ induction အပူ၏ကြိမ်နှုန်းသည်ဖိုက်ခန်တြေတ်အတွင်းရှိလျှပ်စစ်သံလိုက်လယ်ကွင်း၏ထိုးဖောက်မှုအတိမ်အနက်ကိုဆုံးဖြတ်သည်။ အဆိုပါ coil motion ယန္တရားကိုမော်တာမောင်းနှင်သောဝက်အူတစ်စုံကိုအသုံးပြုသည်။ Induction COIil သည်အမှုန့်များ၏စိတ် 0 င်စားမှုကိုအောင်မြင်ရန်ပြည်တွင်းရေးပလိပ်ဖဲ့ကိုအပူပေးရန် induction power supply နှင့်ပူးပေါင်းလုပ်ဆောင်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်ကွိုင်နှစ်ခု၏အာဏာနှင့်ဆွေမျိုးအနေအထားကိုမျိုးစေ့ပြတ်တောက်မှုတွင်အပူပိုင်းကိုထိန်းချုပ်ရန်အောက်ပိုင်းကိုထိန်းချုပ်ရန်ထိန်းချုပ်ထားသည်။

2.2 croucible လည်ပတ်ယန္တရား 

      ကြီးမားသောအရွယ်တိုးတက်မှုစဉ်အတွင်းSilicon carbide တစ်ခုတည်း crystalsလိုင်၏လေဟာနယ်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် crucible သည်လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်နှင့်အညီလှည့်ထားသည်။ ပုံ 5 မှာပြထားတဲ့အတိုင်း, မော်တာမောင်းနှင်တဲ့ဂီယာ pair တစုံကိုကျော်လွှားနိုင်တဲ့တည်ငြိမ်တဲ့လည်ပတ်မှုကိုအောင်မြင်ဖို့သုံးတယ်။ လှည့်ရိုးတံ၏တက်ကြွသောတံဆိပ်ခတ်ခြင်းကိုရရှိရန်သံလိုက်အရည်တံဆိပ်ခတ်ဖွဲ့စည်းပုံကိုအသုံးပြုသည်။ သံလိုက်အရည်တံဆိပ်ခတ်ထားသောသံလိုက်တိုင်ဖိနပ်နှင့်သံလိုက်အရည်ဖိနပ်နှင့်သံလိုက်အရည်နှင့်သံလိုက်အရည်နှင့်လက်ကိုင်လက်စွပ်တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန်ခိုင်မြဲသောအရည်လက်စွပ်ကိုခိုင်မြဲစေရန်သံလိုက်အရည်များနှင့်ခိုင်မြဲသောအရည်လက်စွပ်ကိုခိုင်မြဲစေရန်သံလိုက်အရည်များနှင့်သံလိုက်အရည်များအကြားရှိလှည့်ထားသောသံလိုက်ကွင်းဆက်လှံတံများကိုပြုလုပ်သည်။ အလှည့်အပြောင်းရွေ့လျားမှုကိုလေဟာနယ်အခန်းထဲသို့ 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့်အနိမ့်ဆုံးသောတံဆိပ်ခတ်ခြင်း၏အားနည်းချက်များကိုကျော်လွှားနိုင်သည့်အခါ, သံလိုက်အရည်နှင့်လိပ်ပြာပံ့ပိုးမှုသည်သံလိုက်အရည်များနှင့်သက်သောင့်သက်သာရှိသောအထောက်အပံ့များ၏မြင့်မားသောအထောက်အပံ့များကိုသေချာစေရန်နှင့်အပူလယ်ကွင်း၏တည်ငြိမ်မှုကိုရရှိရန်အတွက်ရေအေးစေသောဖွဲ့စည်းပုံကိုအသုံးပြုသည်။

2.3 အနိမ့်အဖုံးရုတ်သိမ်းရေးယန္တရား

     အနိမ့်အဖုံးရုတ်သိမ်းရေးယန္တရားသည်ကားမောင်းခြင်း, ဘောလုံးဝက်အူ, linear ည့်လမ်းညွှန်, မီးခိုးကွင်းခတ်ခြင်း, အောက်ပိုင်းအဖုံး၏တက်နှင့်ဆင်းလှုပ်ရှားမှုများကိုနားလည်သဘောပေါက်ရန် dewucate မှတဆင့်မီးဖိုအသနားခံလွှာ pair တှားကန့်သတ်ထားသည့်မီးဖိုအဖုံး bracket ကိုမောင်းထုတ်သည်။

     အောက်ပိုင်းအဖုံးရုတ်သိမ်းရေးယန္တရားသည်ကြီးမားသောအရွယ်အစားရှိသောပုဏ္ဏားများကိုနေရာချထားခြင်းနှင့်ဖယ်ရှားခြင်းတို့ကိုလွယ်ကူချောမွေ့စေသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးတွင်အခန်းသည်လေဟာနယ်, မြင့်မားသောဖိအားများနှင့်ဖိအားနိမ့်ခြင်းကဲ့သို့သောအခန်းသည်ဖိအားပြောင်းလဲခြင်းအဆင့်များရှိသည်။ အောက်ပိုင်းအဖုံး၏ချုံ့ခြင်းနှင့်တံဆိပ်ခတ်ခြင်းအခြေအနေတိုက်ရိုက်ဖြစ်စဉ်ကိုယုံကြည်စိတ်ချရမှုအပေါ်တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်သည်။ တံဆိပ်ခတ်အပူချိန်အနေဖြင့်တံဆိပ်ခတ်သည်နှင့်တပြိုင်နက်လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးကိုဖျက်သိမ်းလိမ့်မည်။ MOMAL SERSO ထိန်းချုပ်မှုနှင့်ကန့်သတ်ထားသောကိရိယာမှတစ်ဆင့်အောက်ပိုင်းဖိအားများ၏တည်ငြိမ်မှုကိုသေချာစေရန်မီးဖိုချောင်တံဆိပ်ခတ်လက်စွပ်၏အကောင်းဆုံးအခြေအနေကိုရရှိရန်အတွက်အနိမ့်အဖုံးစည်းဝေးတင်ခြင်းနှင့်တံဆိပ်ခတ်ခြင်းများကိုရရှိရန်ထိန်းချုပ်ထားသည်။

2.4 လျှပ်စစ်ထိန်းချုပ်မှုစနစ် 

      ဆီလီကွန်ကာဘန်း carbide crystals များအတွင်းလျှပ်စစ်ထိန်းချုပ်မှုစနစ်သည်အဓိကအားဖြင့်ကွဲပြားသောလုပ်ငန်းစဉ် parameters များကိုတိကျစွာထိန်းချုပ်ရန်လိုအပ်သည်။ အဓိကအားဖြင့်ကွိုင်နေရာ,

      ပုံ 7 မှာပြထားတဲ့အတိုင်း Control System က controls system ကိုဆာဗာတစ်ခုအနေနဲ့အသုံးပြုတယ်, အဲဒါက coil နဲ့ crucible ရဲ့လှုပ်ရှားမှုထိန်းချုပ်မှုကိုနားလည်သဘောပေါက်ဖို့ဘတ်စ်ကားမှတဆင့် servo driver နဲ့ချိတ်ဆက်ထားတယ်။ ၎င်းသည်အပူချိန်, ဖိအားနှင့်အထူးလုပ်ငန်းစဉ်သဘာဝဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုကိုအချိန်မှန်ထိန်းချုပ်မှုကိုအကောင်အထည်ဖော်ရန်စံပြထိန်းချုပ်သူနှင့်စီးဆင်းမှုထိန်းချုပ်ရေးနှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ Ethernet မှတစ်ဆင့် configuration software နှင့်ဆက်သွယ်မှုကိုတည်ဆောက်သည်, system အချက်အလက်များကိုအချိန်မှန်နှင့်အပြန်အလှန်ဖလှယ်ခြင်းနှင့်အိမ်ရှင်ကွန်ပျူတာပေါ်တွင်အမျိုးမျိုးသောလုပ်ငန်းစဉ် parameter အချက်အလက်များကိုဖော်ပြထားသည်။ အော်ပရေတာများ, လုပ်ငန်းစဉ် 0 န်ထမ်းများနှင့်မန်နေဂျာများသည်သတင်းအချက်အလက်များကို Control Symment ဖြင့်ပြောင်းရွှေ့ခြင်းဖြင့်လူ့စက်မျက်နှာပြင်မှတစ်ဆင့်လဲလှယ်ပါ။

     Control System သည်နယ်ပယ်အချက်အလက်ကောက်ယူခြင်း, Actuators အားလုံး၏လည်ပတ်မှုအခြေအနေနှင့်ယန္တရားများအကြားယုတ္တိဆက်ဆံရေးမျိုးကွဲများကိုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုအားလုံးကိုလုပ်ဆောင်သည်။ ပရိုဂရမ်မာသောထိန်းချုပ်သူသည်အိမ်ရှင်ကွန်ပျူတာ၏ညွှန်ကြားချက်များကိုလက်ခံပြီးစနစ်၏ actuator တစ်ခုစီ၏ထိန်းချုပ်မှုကိုဖြည့်စွက်သည်။ အလိုအလျောက်လုပ်ငန်းစဉ်မီနူး၏ကွပ်မျက်ခြင်းနှင့်ဘေးကင်းလုံခြုံရေးမဟာဗျူဟာကို programmable controller မှကွပ်မျက်ခံရသည်။ ပရိုဂရမ်မာ Crimroller ၏တည်ငြိမ်မှုသည်လုပ်ငန်းစဉ်မီနူး၏တည်ငြိမ်မှုနှင့်လုံခြုံမှုယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုသေချာစေသည်။

     အထက်ပြုပြင်ပြောင်းလဲမှုသည်အချက်အလက်များကိုအစစ်အမှန်အချိန်နှင့်ပတ်သက်ပြီးအချက်အလက်ဖလှယ်ခြင်းနှင့်ကွင်းဆင်းအချက်အလက်များကိုပြသသည်။ ၎င်းတွင်အပူပေးထိန်းချုပ်မှု, ဖိအားထိန်းချုပ်ခြင်း, အချိန်နှင့်တပြေးညီစောင့်ကြည့်လေ့လာခြင်းနှိုးစက်အချက်ပြမှုများကိုပြသခြင်း, အချိန်နှင့်အသေးစိတ်အချက်အလက်များကိုမှတ်တမ်းတင်ခြင်း, လုပ်ငန်းစဉ်အချက်အလက်များ, မျက်နှာပြင်လည်ပတ်မှုအကြောင်းအရာနှင့်စစ်ဆင်ရေးအချိန်အားလုံး၏အချိန်နှင့်တပြေးညီမှတ်တမ်းတင်ခြင်း။ အမျိုးမျိုးသောလုပ်ငန်းစဉ် parameters များကိုပေါင်းစပ်ခြင်း၏ပေါင်းစပ်မှုသည်ပရိုဂရမ်မာ Controller အတွင်းရှိအခြေခံကုဒ်များမှတစ်ဆင့်အမြင့်ဆုံးအဆင့် 100 ဆင့်ကိုအကောင်အထည်ဖော်နိုင်သည်။ အဆင့်တစ်ခုစီတွင်လုပ်ငန်းစဉ်စစ်ဆင်ရေးအချိန်ကဲ့သို့သောလုပ်ငန်းစဉ် parameters များထက်ပိုသောလုပ်ငန်းစဉ် parameters များကိုပါ 0 င်သည်။

3 အပူလယ်ပြင်ခြင်း simulation analysis

    အပူလယ်ပြင်ခြင်း simulation ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုမော်ဒယ်ကိုထူထောင်သည်။ ပုံ 8 သည် croucible ကြီးထွားသည့်အခန်းထဲရှိအပူချိန်မို cloud ်းတိမ်မြေပုံဖြစ်သည်။ ကြီးထွားမှုအပူချိန် 4h-Sic တစ်ခုတည်း Crystal ကိုသေချာစေရန်အတွက်မျိုးစေ့၏ဗဟို crystal ၏ဗဟိုအပူချိန်ကို 2200 ℃ဖြစ်ရန် 2205.4 ဖြစ်သည်။ ဤအချိန်တွင် CRUCEIRE Top ၏ဗဟိုအပူချိန်မှာ 2167.5 ℃ဖြစ်ပြီးအမှုန့် area ရိယာ၏အမြင့်ဆုံးအပူချိန် (ဘေးထွက်အောက်ပိုင်း) သည် 2274.4 ℃ဖြစ်သည်။

       ကြည်လင်သော crystal ၏ radial gradient ကိုဖြန့်ဖြူးပုံကိုပုံ 9 တွင်ပြထားသည်။ မျိုးစေ့ကျောက်တုံးမျက်နှာပြင်၏နိမ့်ကျသောအပူချိန်နိမ့်သောအပူချိန်သည်ကြည်လင်သောတိုးတက်မှုပုံစံကိုထိရောက်စွာတိုးတက်စေနိုင်သည်။ လက်ရှိတွက်ချက်ထားသောကန ဦး အပူချိန်ကွာခြားချက်မှာ 5.4 ℃ဖြစ်ပြီး, အလုံးစုံပုံသဏ် is ာန်သည်အပြားနှင့်အနည်းငယ်ခခုံးနီးပါးရှိသည်။

       ကုန်ကြမ်းမျက်နှာပြင်နှင့်မျိုးစေ့မျက်နှာပြင်အကြားအပူချိန်ခြားနားချက်ကွေးကိုပုံ 10 တွင်ပြထားသည်။ ပစ္စည်းမျက်နှာပြင်၏ဗဟိုအပူချိန်မှာ 2210 ℃နှင့်မျိုးစေ့မျက်နှာပြင်အကြားရှိပုံရိပ်မျက်နှာပြင်နှင့်မျိုးစေ့ကျောက်စိမ်းမျက်နှာပြင်အကြားဖွဲ့စည်းသည်။

      ခန့်မှန်းခြေတိုးတက်မှုနှုန်းကိုပုံ 11 တွင်ပြထားသည်။ မြန်လွန်းသောကြီးထွားမှုနှုန်းသည် polymorphism နှင့် dislocation ကဲ့သို့သောချို့ယွင်းချက်များ၏ဖြစ်နိုင်ခြေကိုတိုးမြှင့်နိုင်သည်။ လက်ရှိခန့်မှန်းခြေတိုးတက်မှုနှုန်းသည် 0.1 မီလီမီတာ / ဇနှင့်နီးသည်။ ၎င်းသည်ကျိုးကြောင်းဆီလျော်သောအကွာအဝေးအတွင်းဖြစ်သည်။

     အပူပိုင်းဒေသ Simulation anionsys နှင့်တွက်ချက်မှုများမှတဆင့်မျိုးစေ့၏ဗဟိုအပူချိန်နှင့်အစွန်းအပူချိန်သည် 8 လက်မကြည်လင်၏ adial comeption gradient ကိုတွေ့ရသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင် Crucible ၏ထိပ်နှင့်အောက်ဆုံးသည်ကျောက်သလင်း၏အရှည်နှင့်အထူများအတွက်သင့်လျော်သော axial အပူချိန် gradient ကိုဖွဲ့စည်းသည်။ ကြီးထွားမှုစနစ်၏လက်ရှိအပူစနစ်သည် 8 လက်မတစ်ခုတည်း crystals ၏ကြီးထွားမှုကိုဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။

4 စမ်းသပ်စမ်းသပ်မှု

     ဒီကိုအသုံးပြုခြင်းSilicon Carbide တစ်ခုတည်း Crystal Comment Brother GettingSilicon Carbide Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Carbide Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Carbide Crystal ကိုစတင်ခြင်းပြုလုပ်ခဲ့ခြင်းကိုပြုလုပ်သောအပူချိန်,

5 နိဂုံးချုပ်

     Gradient Thermal field, crucible motion motion ယန္တရားကဲ့သို့သော 8 လက်မဆီလီကွန် carbide carbide crystals ၏တိုးတက်မှုအတွက်အဓိကနည်းပညာများလေ့လာခြင်းကိုလေ့လာခဲ့သည်။ Crucible ကြီးထွားသည့်အခန်းထဲရှိအပူနယ်ပယ်သည်စံပြအပူချိန် gradient ကိုရရှိရန် Simulated နှင့်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခဲ့သည်။ စမ်းသပ်ပြီးနောက်နှစ်ဆကွေးသော induction pooding method သည်ကြီးမားသောအရွယ်အစားကြီးထွားမှုကိုဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်ဆီလီကွန်ကာလက် crystals။ ဤနည်းပညာ၏သုတေသနနှင့်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် 8 လက်မ carbide crystals ရရှိရန်အတွက်ပစ္စည်းကိရိယာများကို 6 လက်မ Carbide Crystals ကိုရရှိရန်အတွက်စက်ကိရိယာဖောင်ဒေးရှင်းမှ 8 လက်မအထိရှိသည်။