အိမ်
ကြှနျုပျတို့အကွောငျး
ကုမ္ပဏီအကြောင်း
အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ
နည်းပညာ ကျွမ်းကျင်သူများ
ထုတ်လုပ်မှုပစ္စည်း
ကျွန်ုပ်တို့၏လက်မှတ်
ကျွန်ုပ်တို့၏ဝန်ဆောင်မှု
ထုတ်ကုန်များ
Tantalum Carbide Coating
Sic တစ်ခုတည်း Crystal ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အပိုပစ္စည်းများ
SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်
UV LED လက်ခံကိရိယာ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ
အစိုင်အခဲ silicon carbide
silicon epitaxy
Silicon Carbide Egitaxy
MOCVD နည်းပညာ
RTA/RTP လုပ်ငန်းစဉ်
ICP/PSS Etching လုပ်ငန်းစဉ်
အခြားဖြစ်စဉ်
ALD
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်များ
မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောအမှုန့်
oxidation နှင့် difficate အရည်ကျိုမီးဖို
ကြိုတင်ကြွေ
semiconductor quartz
အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ်ကြွေထည်
silicon nitride
sic
အထူးဂရပ်ဖစ်
pyrolytic ကာဗွန်နှင့်အတူ
Vitreous ကာဗွန်နှင့်
porous ဖိုက်
isotropic ပလိပ်
siliconized
မြင့်မြတ်သောသန့်ရှင်းရေးပွန်ဒူးစ်စာရွက်
ကာဗွန်ဖိုက်ဘာ
c / c စုပေါင်း
တင်းကျပ်ခံစားရတယ်
ပျော့ခံစားခဲ့ရ
ပံ့ပိုးမှုဝန်ဆောင်မှု
နည်းပညာနှင့် ဖြေရှင်းချက်များ
နည်းပညာနှင့် ခေတ်ရေစီးကြောင်းများ
ဖြေရှင်းချက်များ
ရွေးချယ်ရေးလမ်းညွှန်
ဖြစ်ရပ်မှန်လေ့လာရေး
ဝန်ဆောင်မှုများနှင့် အရင်းအမြစ်များ
နမူနာမြေပုံဆွဲခြင်း။
ပစ္စည်းများ & ဒီဇိုင်း
ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းနှင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှု
QC & ထောက်ပံ့ပို့ဆောင်ရေး
သတင်း
ကုမ္ပဏီသတင်း
စက်မှုသတင်း
ကြှနျုပျတို့ကိုဆကျသှယျရနျ
ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။
ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
ဝဘ်မီနူး
အိမ်
ကြှနျုပျတို့အကွောငျး
ကုမ္ပဏီအကြောင်း
အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ
နည်းပညာ ကျွမ်းကျင်သူများ
ထုတ်လုပ်မှုပစ္စည်း
ကျွန်ုပ်တို့၏လက်မှတ်
ကျွန်ုပ်တို့၏ဝန်ဆောင်မှု
ထုတ်ကုန်များ
Tantalum Carbide Coating
Sic တစ်ခုတည်း Crystal ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အပိုပစ္စည်းများ
SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်
UV LED လက်ခံကိရိယာ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ
အစိုင်အခဲ silicon carbide
silicon epitaxy
Silicon Carbide Egitaxy
MOCVD နည်းပညာ
RTA/RTP လုပ်ငန်းစဉ်
ICP/PSS Etching လုပ်ငန်းစဉ်
အခြားဖြစ်စဉ်
ALD
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်များ
မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောအမှုန့်
oxidation နှင့် difficate အရည်ကျိုမီးဖို
ကြိုတင်ကြွေ
semiconductor quartz
အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ်ကြွေထည်
silicon nitride
sic
အထူးဂရပ်ဖစ်
pyrolytic ကာဗွန်နှင့်အတူ
Vitreous ကာဗွန်နှင့်
porous ဖိုက်
isotropic ပလိပ်
siliconized
မြင့်မြတ်သောသန့်ရှင်းရေးပွန်ဒူးစ်စာရွက်
ကာဗွန်ဖိုက်ဘာ
c / c စုပေါင်း
တင်းကျပ်ခံစားရတယ်
ပျော့ခံစားခဲ့ရ
ပံ့ပိုးမှုဝန်ဆောင်မှု
နည်းပညာနှင့် ဖြေရှင်းချက်များ
နည်းပညာနှင့် ခေတ်ရေစီးကြောင်းများ
ဖြေရှင်းချက်များ
ရွေးချယ်ရေးလမ်းညွှန်
ဖြစ်ရပ်မှန်လေ့လာရေး
ဝန်ဆောင်မှုများနှင့် အရင်းအမြစ်များ
နမူနာမြေပုံဆွဲခြင်း။
ပစ္စည်းများ & ဒီဇိုင်း
ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းနှင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှု
QC & ထောက်ပံ့ပို့ဆောင်ရေး
သတင်း
ကုမ္ပဏီသတင်း
စက်မှုသတင်း
ကြှနျုပျတို့ကိုဆကျသှယျရနျ
ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။
ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။
ထုတ်ကုန်ရှာဖွေမှု
ဘာသာစကား
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
မီနူးမှ ထွက်ပါ။
အိမ်
နည်းပညာနှင့် ဖြေရှင်းချက်များ
ရွေးချယ်ရေးလမ်းညွှန်
ရွေးချယ်ရေးလမ်းညွှန်
နည်းပညာနှင့် ခေတ်ရေစီးကြောင်းများ
ဖြေရှင်းချက်များ
ရွေးချယ်ရေးလမ်းညွှန်
ဖြစ်ရပ်မှန်လေ့လာရေး
05
01 Epitaxy နှင့် Etching လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် CVD SiC၊ TaC နှင့် Solid SiC တို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်နယ်နိမိတ်များ
မှန်ကန်သော CVD SiC၊ TaC အပေါ်ယံပိုင်း သို့မဟုတ် Solid SiC ကိုရွေးချယ်ခြင်းသည် epitaxy/etching လိုင်းများတွင် အမှုန်အဆင့်များနှင့် အစိတ်အပိုင်းများ၏သက်တမ်းကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်သည်။ ဤဆောင်းပါးသည် သင့်အား လျင်မြန်သောဆုံးဖြတ်ချက်များချနိုင်စေရန်နှင့် အန္တရာယ်ကိုလျှော့ချနိုင်စေရန်အတွက် အဓိကစက်ပစ္စည်းအစားထိုးဖြေရှင်းချက်များနှင့် အဓိကတိုင်းတာမှုများနှင့်ကိုက်ညီသော အပူချိန်၊ လေထုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်အလိုက် ပြတ်သားသောရွေးချယ်မှုနယ်နိမိတ်များကို ဖော်ပြပေးထားပါသည်။
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။
«
1
2
»
သတင်းအကြံပြုချက်များ
အဆိုပါ chip ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ် (2/2) ၏အပြည့်အစုံ (2/2) မှအပြည့်အစုံ: wafer ကနေထုပ်ပိုးခြင်းနှင့်စမ်းသပ်ခြင်း
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။ >>
တန်တလမ်ကာဘိုက် (TaC) အပေါ်ယံပိုင်းသည် SiC တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုတွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အပေါ်ယံထက် အဘယ်ကြောင့် သာလွန်သနည်း။ - VeTek တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။ >>
နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်ထုတ်လုပ်မှုအတွက် Quartz ကိရိယာများ
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။ >>
Tantalum Carbide Technology Rechthrough, Sic Eappaxial Pollatolution သည် 75% လျှော့ချနိုင်ပါသလား။
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။ >>
အစိုင်အခဲ silicon carbide ၏အသုံးပြုမှု
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။ >>
အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုတွင် SiC PVT Crystal Growth သည် အဘယ်ကြောင့် တည်ငြိမ်သနည်း။
ပိုမိုကြည့်ရှုပါ။ >>
WhatsApp
Tina
Email
Andy
VeTek
X
သင့်အား ပိုမိုကောင်းမွန်သောကြည့်ရှုမှုအတွေ့အကြုံကို ပေးဆောင်ရန်၊ ဆိုက်အသွားအလာကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာပြီး အကြောင်းအရာကို ပုဂ္ဂိုလ်ရေးသီးသန့်ပြုလုပ်ရန် ကျွန်ုပ်တို့သည် ကွတ်ကီးများကို အသုံးပြုပါသည်။ ဤဆိုက်ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ cookies အသုံးပြုမှုကို သင်သဘောတူပါသည်။
ကိုယ်ရေးအချက်အလက်မူဝါဒ
ငြင်းပယ်ပါ။
လက်ခံပါတယ်။